制备多晶硅的方法技术

一种制备多晶硅的方法，其特征是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为０．５～２．５ｎｍｎｍ，在４００～５００℃温度，氮气气氛下退火２～４小时，形成镍硅化合物ＮｉＳｉ↓［２］；用能量密度为２６０～３６０ｍＪ／ｃｍ↑［２］的准分子激光把非晶硅熔化，随着熔化的非晶硅温度降低，在非晶硅的上下界面处生长出多晶硅。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料
，涉及一种硅材料，具体地说是一种把非晶硅转化成多晶硅的方法。
技术介绍
目前，制备多晶硅薄膜技术按照生长环境主要分为以下几种，即预沉积法(as-deposited)，固相晶化法(SPC)，金属诱导法(MIC)，脉冲快速热烧结法(PRTA)和准分子激光晶化法(ELA)。预沉积法通常是由低压化学气相沉积(LPCVD)设备直接生长。在约630℃高温下，SiH4发生热分解淀积成多晶硅。此方法生长的多晶硅粒度较小，生长温度较高，不适宜在玻璃上生长。固相晶化法是把已淀积的非晶硅薄膜放在650℃左右的环境温度，通过较长时间的热退火，通常10小时以上，把非晶硅转化成多晶硅。此方法也是在高温下进行，且晶化度较低。金属诱导法是在固相晶化法的基础上通过某些金属或其金属盐，诱导非晶硅发生晶化。根据文献报道这种方法的生长机理是金属和a-Si在界面处发生扩散反应，能降低晶化温度，使a-Si的晶化温度可低于500℃。Carmarata等报道，Ni通过离子注入a-Si薄膜，加热形成NiSi2化合物，NiSi2作为晶核能通过a-Si迁移生成。硅的晶核首先在NiSi2/a-Si界面成核本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备多晶硅的方法，其特征是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为0.5～2.5nmnm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火2～4小时，形成镍硅化合物NiSi2；用能量密度为260～360mJ/cm2的准分子激光把非晶硅熔化，随着熔化的非晶硅温度降低，在非晶硅的上下界面处生长出多晶硅。2.根据权利要求1所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖燕平，邵喜斌，付国柱，荆海，郜峰利，缪国庆，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：