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一种制备多晶硅的方法，其特征是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为０．５～２．５ｎｍｎｍ，在４００～５００℃温度，氮气气氛下退火２～４小时，形成镍硅化合物ＮｉＳｉ↓［２］；用能量密度为２６０～３６０ｍＪ／ｃｍ↑［２］的准分子激光...该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。
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一种制备多晶硅的方法，其特征是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为０．５～２．５ｎｍｎｍ，在４００～５００℃温度，氮气气氛下退火２～４小时，形成镍硅化合物ＮｉＳｉ↓［２］；用能量密度为２６０～３６０ｍＪ／ｃｍ↑［２］的准分子激光...