薄膜晶体管和利用该薄膜晶体管的有源矩阵平板显示器制造技术

一种薄膜晶体管和一种有源矩阵平板器材。通过形成具有多重剖面的一传导材料层，减少了临界尺寸（ＣＤ）偏差和提高了分级覆盖。该薄膜晶体管包括形成于一绝缘衬底上的传导材料层，其中该传导材料层由至少一个薄膜晶体管传导材料层组成，并且该传导材料层的一边缘部分由具有多重边缘锥角的多重剖面组成。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管和一种利用该薄膜晶体管的有源矩阵平板显示器，特别是涉及通过形成一具有多重剖面传导层在薄膜晶体管和利用该薄膜晶体管的有源矩阵平板显示器内减少临界尺寸(CD)以及提高分级覆盖。
技术介绍
一般地，在有源矩阵平板显示器中，单位像素形成在其阵列衬底上，该单位像素为一交叉了多个栅线和多个数据线的矩阵形式。作为转换和驱动元件薄膜晶体管形成在每个像素区域上。通过多个掩模工艺形成了该阵列衬底。特别地，利用一例如铝(Al)、钼(Mo)、钨化钼(MoW)或类似物的低电阻金属形成一例如一栅线、一数据线或类似物的传导层。图1是显示现有有源矩阵平板显示器的横截面图。图2和3为一现有有源矩阵平板显示器的截面扫描电子显微镜(SEM)照片。参考图1，一多晶硅层的有源层120形成于其上形成有缓冲层110的绝缘衬底100上。栅绝缘层130和一栅金属淀积在衬底的整个表面上，并且图案该栅金属以形成栅电极140。利用栅电极140作为一掩模制造杂质掺杂从而形成源极区121和漏极区125。在源极区121和漏极区125之间的有源层120内的区域作为通道区123。其后，淀积和图案层间绝缘层150以形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管包括：一有源传导层、一源极区和一漏极区；一绝缘于有源传导层的栅传导层，对该栅传导层构图以形成一栅电极；一绝缘层，被淀积在栅传导层上并且被图案化从而形成分别到源极区和漏极区的接触孔；一淀积在绝缘层 上的金属传导层，形成一源电极、一漏电极和金属配线；和一形成在金属传导层上的钝化层，包括形成于钝化层上并且暴露了漏极区的一部分的一通路孔；其中该有源传导层、该栅传导层或该金属传导层中的一个或多个，包括至少一个具有多重边缘锥角的 多重边缘部分剖面的传导材料层。

【技术特征摘要】
KR 2003-9-3 61589/031.一种薄膜晶体管包括一有源传导层、一源极区和一漏极区；一绝缘于有源传导层的栅传导层，对该栅传导层构图以形成一栅电极；一绝缘层，被淀积在栅传导层上并且被图案化从而形成分别到源极区和漏极区的接触孔；一淀积在绝缘层上的金属传导层，形成一源电极、一漏电极和金属配线；和一形成在金属传导层上的钝化层，包括形成于钝化层上并且暴露了漏极区的一部分的一通路孔；其中该有源传导层、该栅传导层或该金属传导层中的一个或多个，包括至少一个具有多重边缘锥角的多重边缘部分剖面的传导材料层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中多重边缘锥角包括一大约60°到90°的向下部分锥角和向上部分锥角并且其它边缘锥角在层向上方向逐渐减小，其它边缘锥角中的任何一个具有一在相邻低边缘锥角的四分之一和四分之三之间的范围。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中至少一个传导材料层由第一边缘锥角和第二边缘锥角的一双重剖面组成，第一边缘锥角为60°到90°并且第二边缘锥角为30°到60°。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中具有第二边缘锥角的部分的厚度在至少一个传导材料层厚度的四分之一和四分之三之间。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中至少一个传导材料层由至少两个传导材料层组成，不同于一底部传导材料层，至少两个传导材料层中的一个的一边缘锥角为在相邻低传导材料层边缘锥角二分之一和三分之二之间。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中至少一个传导材料层由一第一薄膜晶体管传导材料层和在该第一薄膜晶体管上形成的一第二薄膜晶体管传导材料层组成，该第一薄膜晶体管传导材料层的边缘锥角为60°到90°并且该第二薄膜晶体管传导材料层的边缘锥角为30°到60°。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中该第二薄膜晶体管传导材料层的厚度在至少一个传导材料层厚度的四分之一和四分之三之间。8.一种有源矩阵平板显示器设备包括一用于有源矩阵平板显示器像素区的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有一形成在绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜泰旭，郑仓龙，任忠烈，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]