包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的Ｐ型和Ｎ型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。尤其是，涉及这样一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，其中在薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅晶粒具有不同的大小和形状。
技术介绍
诸如悬空键这样的键合缺陷存在于用在薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)的有源沟道区域中的多晶硅的晶粒间界处。已经知道这些缺陷会成为电荷载流子的陷阱。TFT特性比如阈值电压(Vth)、亚阈值斜率、电荷载流子迁移率、漏泄电流、器件稳定性以及类似指标会直接或间接地受到TFT沟道区域中的晶粒和/或晶粒间界的大小、一致性、数目、位置以及方向的影响。例如，晶粒的位置也能够直接或间接地影响为有源矩阵显示器而制造的TFT的一致性。目前，在整个衬底上，包括在TFT有源沟道区域中的晶粒间界(也可以被称作“主”晶粒间界)的数目彼此可以相等或者不相等。参照图1A和1B，该数目取决于晶粒的大小、倾斜角度θ、有源沟道区域的尺寸(比如长度L、宽度W)以及各个TFT在衬底上的位置。如图1A和1B中所示，能够被包括在所述有源沟道区域中的主晶粒间界的数目可以被表示为Nmax。该数目取决于晶粒大小(Gs)、有源沟道尺寸(L×W)、倾斜角度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板显示装置，包括：一象素部分，包括多个薄膜晶体管，其中所述多个薄膜晶体管由通过一栅极线和一数据线传送来的信号进行驱动；和一驱动电路部分，具有至少一个薄膜晶体管，用于向所述象素部分传送信号并且被连接到所述栅极线和所述数据 线，其中形成于所述至少一个薄膜晶体管的有源沟道中的每单位面积上的多晶硅晶粒平均数目小于形成于包括在所述象素部分中的所述多个薄膜晶体管的一个的有源沟道中的多晶硅晶粒平均数目。

【技术特征摘要】
KR 2003-7-16 48889/03;KR 2003-7-23 50772/031.一种平板显示装置，包括一象素部分，包括多个薄膜晶体管，其中所述多个薄膜晶体管由通过一栅极线和一数据线传送来的信号进行驱动；和一驱动电路部分，具有至少一个薄膜晶体管，用于向所述象素部分传送信号并且被连接到所述栅极线和所述数据线，其中形成于所述至少一个薄膜晶体管的有源沟道中的每单位面积上的多晶硅晶粒平均数目小于形成于包括在所述象素部分中的所述多个薄膜晶体管的一个的有源沟道中的多晶硅晶粒平均数目。2.如权利要求1中所述的平板显示装置，其中形成于所述象素部分的所述有源沟道区域中的多晶硅晶粒平均大小比形成于所述驱动电路部分的所述有源沟道区域中的多晶硅晶粒平均大小更加一致。3.如权利要求1中所述的平板显示装置，其中形成于所述有源沟道区域中的所述多晶硅的平均晶粒大小在所述驱动电路部分中大于在所述象素部分中。4.如权利要求1中所述的平板显示装置，其中该平板显示装置是一有机场致发光显示装置。5.如权利要求1中所述的平板显示装置，其中该平板显示装置是一液晶显示装置。6.一种制造平板显示装置的方法，包括形成一非晶硅薄膜；和利用一激光器使得所述非晶硅薄膜发生结晶以便形成一多晶硅薄膜，其中所述激光器在一象素部分的有源沟道区域中的所述非晶硅层上的辐照能量小于所述激光器在一驱动电路部分的有源沟道区域中的所述非晶硅层上的辐照能量。7.如权利要求6所述制造平板显示装置的方法，其中所述激光器在所述驱动电路部分上的辐照能量在约320mJ/cm2至约540mJ/cm2的范围内。8.如权利要求7所述制造平板显示装置的方法，其中所述激光器在所述象素部分上的辐照能量处于约200mJ/cm2至约320mJ/cm2的范围内。9.如权利要求6所述制造平板显示装置的方法，其中所述激光器是一受激准分子激光器。10.如权利要求6中所述制造平板显示装置的方法，其中所述结晶操作包括顺序横向固化...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴志容，具在本，朴惠香，李基龙，李乙浩，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]