提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括基底层和在基底层上的至少一条金属线，其中，所述至少一条金属线中的每条金属线包括第一金属结构和在第一金属结构上的第二金属结构，第一金属结构通过直接蚀刻工艺形成，第二金属结构通过...

一种存储器件，包括：多个存储单元；以及多个感测放大器，电连接到多个存储单元中的一个或多个存储单元，并且多个感测放大器中的每个感测放大器被配置为感测并放大位线的位线信号以产生经放大的位线信号。多个感测放大器中的至少一个感测放大器可以被配置...

一种示例半导体封装包括第一半导体芯片、在垂直方向上堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片、在第二半导体芯片之间的接合层、以及在第一半导体芯片上并覆盖第二半导体芯片和接合层的侧壁的模制构件。沟槽被定位在第二半导体芯片中的至少一个上。接合层...

一种半导体存储器设备，包括：在第一半导体结构中的存储器单元阵列，并且其包括被配置以存储主数据的存储器区域和被配置以存储对应于主数据的奇偶校验数据的奇偶校验区域；在通过金属焊盘接合到第一半导体结构的第二半导体结构中的第一ECC引擎，其被配...

根据本公开的示例实施例的半导体装置包括：包括存储器单元的存储器单元阵列区域，存储器单元中的每一个包括单元晶体管和信息存储结构；以及外围电路区域，其在水平方向上与存储器单元阵列区域间隔开。外围电路区域包括在第一水平上的上互连件、在垂直于水...

一种半导体器件包括：在第一方向上彼此相邻的第一单位单元区域和第二单位单元区域；在第二方向上与第一单位单元区域相邻的第三单位单元区域；沿着第一方向与第一单位单元区域布置在一起的抽头单元区域；位线和互补位线，每个位线和互补位线在衬底的第一表...

一种半导体封装件包括：封装基板；以及设置在所述封装基板上并且包括至少两个半导体芯片的第一多个半导体芯片。所述第一多个半导体芯片中的设置为距所述封装基板最近的半导体芯片可以通过凸块连接到所述封装基板，并且所述第一多个半导体芯片中的设置为距...

提供了集成电路和制造集成电路的方法。所述集成电路包括：标准单元；第一电力线，在第一方向上延伸并且向标准单元提供第一电源电压；以及第二电力线，在第一方向上延伸并且向标准单元提供第二电源电压，第一电力线和第二电力线在与第一方向垂直的第二方向...

一种集成电路，包括：标准单元；电力轨，在第一布线层中在第一方向上延伸并被配置为向标准单元供电；以及上部电源图案，设置在第一布线层上方的第二布线层中。上部电源图案包括在第一方向上延伸的多个矩形上部电源贴片，并被配置为向电力轨供电。多个上部...

提供半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：半导体芯片，在半导体芯片中电极形成在芯片基底的第一表面上；透明基底，包括布线层；柱电极，通过布线层电连接到电极；以及包封树脂层，覆盖布线层，其中，柱电极通过第一导电部连接...

提供了通过失败位扫描操作生成位置索引信号的扫描寄存器电路和包括该扫描寄存器电路的存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，被配置为存储数据；页缓冲器电路，被配置为将数据存储在存储器单元阵列中或读取存储在存储器单元阵列中的数据；以及...

提供一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、以及位于第一电极与第二电极之间的电介质膜结构，其中，电介质膜结构包括第一铁电材料膜、第一插入膜、第二铁电材料膜和第一顺电材料膜，第一铁电材料膜比第一顺电材料膜...

一种非易失性存储器装置，包括半导体衬底，该半导体衬底包括单元区域、坝区域和阶梯区域。非易失性存储器装置包括栅极堆叠、多个第一沟道结构、虚设沟道结构、字线切口、至少一个串选择线、多个第二沟道结构、串选择线切口、掩埋结构、坝结构、位于字线切...

一种半导体装置，所述半导体装置包括：在下层间绝缘层上沿第一水平方向延伸的第一绝缘图案和第二绝缘图案，堆叠在所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案上的第一多个纳米片和第二多个纳米片，围绕所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案的场绝缘层，位于所述第...

一种半导体器件，包括衬底、第一层间绝缘层、下布线层、下布线封盖层、蚀刻停止层、第二层间绝缘层、在第一方向上延伸到蚀刻停止层和第二层间绝缘层中的过孔沟槽、以及在过孔沟槽中的过孔，其中，过孔与下布线封盖层的上表面接触，其中，过孔的上表面在第...

一种磁性存储器件，包括：自由磁性层，被配置为在彼此相反的第一方向和第二方向之间切换磁化方向；第一绝缘层，在自由磁性层上；铁电层，在自由磁性层的侧表面上；以及非磁性导电层，在自由磁性层的下表面上，其中，磁性存储器件还包括电源，电源被配置为...

提供了被配置为与主机通信的装置以及操作包括主机和装置的存储系统的方法，该方法包括：由装置基于从主机提供的第一电压产生调节电压，并且使用调节电压作为用于驱动装置的装置控制器的驱动电压；由主机从装置获得装置的驱动电压信息；由主机基于驱动电压...

公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备，所述有机金属化合物由式1表示。在式1中，M1为过渡金属，Ln1为由式1A表示的配体，Ln2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，其它取代基的描...

一种集成电路器件包括鳍形有源区。成对的下沟道区设置在有源区上。成对的上沟道区设置在下沟道区的上部上。下源极/漏极区形成在有源区上，并且接触成对的下沟道区。上源极/漏极区形成在下源极/漏极区上，并且接触成对的上沟道区。上源极/漏极区包括接...

一种制造半导体器件的方法，包括：形成有源结构；在有源结构上形成初步栅极介电层；在初步栅极介电层上形成包括第一偶极子材料的第一偶极子层和包括第二偶极子材料的第二偶极子层；去除有源结构的除第一区域之外的区域中的第一偶极子层和第二偶极子层；去...