【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及集成电路器件，更具体地涉及包括鳍形有源区的集成电路器件。
技术介绍
1、现代电子装置正变得更小，提供多种功能，并且提供高性能。实现这些进步已经使得集成电路（“ic”）的容量和集成度的增加。随着ic变得更加高度集成，将其连接到电子装置所需的布线结构也变得更加复杂。
技术实现思路
1、一种集成电路器件包括在衬底上沿着第一水平方向延伸的鳍形有源区。在鳍形有源区上，成对的下沟道区在第一水平方向上彼此间隔开。在成对的下沟道区的上部上，成对的上沟道区在第一水平方向上彼此间隔开。在鳍形有源区上，栅极线包括围绕成对的下沟道区并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸的成对的下栅极部分。成对的上栅极部分围绕成对的上沟道区并且在第二水平方向上延伸。在鳍形有源区上，下源极/漏极区与成对的下栅极部分相邻，并且接触成对的下沟道区。在下源极/漏极区上，上源极/漏极区与成对的上栅极部分相邻，并且接触成对的上沟道区。隔离结构设置在下源极/漏极区与上源极/漏极区之间。上源极/漏极区包括接触成对的上沟道区...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，
3. 根据权利要求1所述的集成电路器件，
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第三半导体图案包括在所述第一半导体图案与所述隔离结构之间并在垂直方向上与所述第一半导体图案和所述第二半导体图案交叠的部分。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第三半导体图案接触所述第一半导体图案和所述第二半导体图案两者。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第三半导体图案包括在垂直方向上不与所述第一半导体图案或...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，
3. 根据权利要求1所述的集成电路器件，
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第三半导体图案包括在所述第一半导体图案与所述隔离结构之间并在垂直方向上与所述第一半导体图案和所述第二半导体图案交叠的部分。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第三半导体图案接触所述第一半导体图案和所述第二半导体图案两者。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第三半导体图案包括在垂直方向上不与所述第一半导体图案或所述第二半导体图案交叠的部分。
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述上源极/漏极区的上表面的最下部分和所述下表面的最上部分在垂直方向上不与所述第一半导体图案或所述第二半导体图案交叠。
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第三半导体图案直接地接触所述隔离结构。
9. 根据权利要求1所述的集成电路器件，
10.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：金茶惠，朴宰贤，尹镇灿，许大弘，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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