一种时钟信号分配电路以及操作该时钟信号分配电路的方法，时钟信号分配电路包括：基于n型金属氧化物半导体（NMOS）的调节器，被配置为接收第一电压并通过调节器电压输出节点输出具有比第一电压低的电压电平的调节器电压；以及基于NMOS的驱动器，...

根据实施例的图像传感器包括：像素阵列，包括被配置为基于从光源接收到的第一光来生成有源信号的至少一个有源像素、以及被配置为基于第一光来生成虚设信号的至少一个虚设像素；读出电路，被配置为基于从至少一个有源像素的第一有源像素输出的有源信号来生...

根据一个实施例，一种电子装置包括：存储器，存储指令；第一功率放大器（PA），经由第一开关选择性地连接到多个调制器中的至少一个；多个调制器中的第一调制器，包括连接在第一开关和第一电容器之间的第二开关以及连接到第一降压转换器的输出端的第三开...

本公开涉及用于支持超出4G通信系统（诸如长期演进（LTE））的更高数据速率的5G通信系统或6G通信系统。提供了用于无线通信系统中的NTN相邻小区测量操作的方法和装置。UE的方法包括：确定是否针对活动带宽部分（BWP）配置公共搜索空间；基...

用于处理非并置的AP中的TDLS延迟问题的方法和装置。一种由第一STA执行的无线通信的方法包括：经由与所述第一STA和第二STA相关联的多个接入点AP中的第一AP在所述第一STA和所述第二STA之间发起TDLS过程，其中：所述多个AP的...

提供了一种电子装置，包括：包括第一和第二壳体部分的壳体、可绕折叠轴线旋转的柔性显示器、铰链结构、容纳在壳体中的无线通信电路、容纳在第一壳体部分中的印刷电路板，其中第一壳体部分包括第一、第二、第三侧面部分、第一狭缝、第二狭缝、第三狭缝，第...

提供一种片上系统和片上系统的操作方法。所述片上系统（SoC）包括：第一处理器，包括第一性能监测器，第一性能监测器被配置为对包括第一性能参数的多个第一性能参数执行监测。SoC还包括：功率预测电路，被配置为基于通过第一性能监测器收集的第一性...

公开包括二维材料的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括：沟道层，其包括二维材料层和在二维材料层上的分子晶体层，二维材料层包括二维半导体材料；分别可在沟道层的两侧上的源电极和漏电极；以及分别可在沟道层上在源电极和漏电极之间的栅极绝...

提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基于具有宽轮廓的占位物结构形成的背侧接触结构。该方法可以包括：形成源极/漏极区域；以及在源极/漏极区域的底表面下面形成背侧接触结构，使得在沟道长度方向上，背侧接触结构的上部的宽度大于源极/漏...

公开了利用人工智能和机器学习进行波束失败恢复的系统和方法。公开了一种用于由UE执行BFR的系统和方法。方法包括：在包括一个或多个TRP的服务小区中检测由UE使用的波束的波束失败；测量第一候选波束集合中包括的一个或多个波束；基于对第一候选...

公开了一种用于增强子带全双工操作的用于通信的方法、用户设备和系统。所述方法可包括：由用户设备（UE）接收用于子带全双工（SFBD）操作和物理随机接入信道（PRACH）重复的配置，以及由所述UE基于所述配置构建RACH时机（RO）组，其中...

公开了一种用于识别程序中的动态单次使用生成定义的编译器方法和设备。所述方法包括：针对所述程序构造静态单赋值（SSA）形式和静态单次使用（SSU）形式；针对每个SSU版本局部地设置单次使用不合格属性，并在SSU图上前向和反向传播单次使用不...

一种图像传感器可以包括：第一像素，其被构造为检测第一颜色；第二像素，其被构造为检测不同于第一颜色的第二颜色；第一有源区域，其位于第一像素中；以及第二有源区域，其位于第二像素中，其中，第一有源区域和第二有源区域彼此直接连接。

一种从连接到主机装置的存储装置预取的方法，所述方法包括：由所述存储装置确定所述存储装置的第一热图中的第一区域，所述第一热图中的所述第一区域包括与由所述存储装置从所述主机装置接收的指令相关联的地址；由所述存储装置基于所述第一热图的所述第一...

公开了干扰消除电路和信道脉冲响应估计电路的操作方法。所述干扰消除电路包括：有限脉冲响应(FIR)滤波器，被配置为针对发射信号的每个发射路径设置信道脉冲响应(CIR)系数，并且通过将CIR系数应用于发射信号来获得CIR适配的发射信号；内核...

一种半导体封装件可包括：半导体芯片，包括基底的第一表面上的电极，第一表面是光入射表面；贯穿孔，从基底的第二表面延伸到电极，基底的第二表面与基底的第一表面相对；布线层，在第二表面上，并且通过贯穿孔电连接到电极；柱电极，电连接到布线层；第一...

提供了一种半导体装置和制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括具有在FEOL工艺中形成的硅化物层的背侧接触结构。所述方法包括：在基底上形成沟道结构；在基底中形成占位结构；在占位结构上形成硅化物层；基于沟道结构在硅化物层上形成源极/漏极区...

一种半导体器件，其可以包括：第一沟道，其位于衬底的第一区域上；第一栅极结构，其围绕第一沟道的一部分；位线，其位于第一沟道的第一侧并且电连接到第一沟道；电容器，其位于第一沟道的第二侧并且电连接到第一沟道；第二沟道，其位于衬底的第二区域上；...

一种半导体存储器件包括：基板，所述基板包括沿第一方向设置的多个页缓冲器区域；电路，所述电路分别设置在所述多个页缓冲器区域上；层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述基板上方以覆盖所述电路；以及多个互连件，所述多个互连件直接设置在所述层间绝缘...

一种垂直存储器装置，包括：第一沟道，位于衬底上并在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上延伸；第一电荷存储结构，包括在基本平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上顺序地堆叠在所述第一沟道的外侧壁上的第一隧道绝缘图案、第一电荷存储图案和第一阻挡...