提供了用于对迁移中的虚拟机进行节流的系统、方法和装置。在一个或多个示例中，该系统、设备和方法包括：由存储设备监视与关联于存储设备的虚拟机的迁移过程相关联的迁移队列；由存储设备基于监视来确定迁移速率；以及由存储设备基于迁移速率对存储设备的...

一种集成电路器件包括：基板，包括在第一方向上彼此间隔开并且在第二方向上突出的鳍型有源区，在鳍型有源区之间设有分隔凹槽；片层分隔壁，包括下片层分隔壁和位于下片层分隔壁上的上片层分隔壁，片层分隔壁沿着分隔凹槽在第三方向上延伸；片层阻挡图案，...

提供了一种存储器控制器及其操作方法。存储器控制器包括多个计算单元和控制器。多个计算单元执行与矩阵乘法相关的计算。控制器识别指示针对矩阵的多个行的计算所需的多个向量的第一信息，识别指示多个行当中的多个向量中的每个向量所对应的至少一行的第二...

提供了其中存储设备的控制器接收命令的方法和设备。存储设备的逻辑容量被划分成域。控制器确定与命令相关联的逻辑地址。逻辑地址与存储设备的第一域相关联。基于与逻辑地址相关联的物理地址，将命令从控制器的归属于第一域的第一资源重新路由到控制器的归...

一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源区域；栅极结构，所述栅极结构与所述衬底的所述有源区域交叉并且在第一水平方向上延伸；以及位线结构，所述位线结构在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上横跨所述栅极结构延伸。所述栅极结构包括设置在所...

一种半导体装置包括：基底；有源图案，在底上，并且在第一水平方向上延伸；至少一个第一纳米片，堆叠在有源图案上，并且在竖直方向上彼此间隔开；至少一个第二纳米片，堆叠在有源图案上，并且在竖直方向上彼此间隔开；沟槽，在所述至少一个第一纳米片与所...

提供了半导体器件和包括其的数据存储系统。所述半导体器件包括：第一半导体结构，包括基板、位于基板上的电路器件和位于电路器件上的电路互连件；以及第二半导体结构，位于第一半导体结构上并且具有第一区域和第二区域。第二半导体结构包括：板层；栅电极...

一种示例存储器件，包括：存储单元，与位线连接；均衡电路，与位线和互补位线连接；数据感测电路，与位线或互补位线中的至少一个连接，其中，数据感测电路被配置为感测存储单元中的数据并输出数据感测信号；读出放大电路，与位线和互补位线连接，其中，读...

一种半导体存储器件，包括：衬底；多个下电极，在衬底上；以及支撑件，将多个下电极彼此连接，其中，支撑件包括与多个下电极中的一些下电极相邻的多个支撑件孔，多个下电极包括与多个支撑件孔相邻的多个第一下电极和与多个支撑件孔间隔开的多个第二下电极...

一种基板处理设备包括：转位模块，其包括被构造为接纳基板载体的装载口；以及处理模块，其连接到所述转位模块并且包括传送室、处理室和缓冲室。所述处理室连接到所述传送室并且所述缓冲室设置在所述转位模块与所述传送室之间。所述传送室包括被构造为在所...

公开了一种半导体器件，包括：电力传输网络层，在衬底的底表面上；栅电极，在衬底上；第一源/漏图案，在衬底上，并且包括彼此间隔开的第一图案和第二图案，栅电极介于第一图案和第二图案之间；通孔结构，延伸到衬底中，并且电连接到电力传输网络层；上导...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种通信系统中由基站执行的方法包括：向用户设备（UE）发送信道状态信息（CSI）报告的配置，其中CSI报告包括CSI参考信号（CSI‑RS）天线端口的多个子集；从UE接收包括与多个...

用于防止充电端子过热的这种无线清洁器装置可以包括清洁器主体和站，所述清洁器主体包括电池和第一处理器，所述第一处理器用于控制通过所述电池的电力可以执行的清洁功能，所述站包括：电源转换装置，其用于产生用于对所述清洁器主体的所述电池进行充电的...

提供了一种电子装置。所述电子装置包括显示器；触摸传感器，被设置在显示器中并且包括多条线和由所述多条线形成的多个节点；存储器，存储指令；以及处理器。当由处理器执行时，指令使电子装置：分别从多个节点获取多个节点值；基于识别出多个节点值的图案...

根据本公开的实施例的包括相机致动器的电子装置可包括：相机壳体；镜头组件，被固定到相机壳体并包括至少一个镜头；图像稳定器(IS)载体；自动对焦(AF)载体，耦接到IS载体；图像传感器，耦接到IS载体以根据IS载体的移动来改变图像传感器的位...

一种半导体器件包括生成多个偏置电压的偏置电压生成电路。偏置电压生成电路包括：多个晶体管，多个晶体管串联连接在供应第一电源电压的第一电源节点与供应低于第一电源电压的参考电压的参考节点之间；多个电容器，多个电容器连接到多个晶体管当中的一些晶...

公开了一种接收器，包括：预处理从外部发送器发送的接收信号并生成预处理信号的预处理块；基于预处理信号和误差门限值生成均衡信号的均衡块；以及生成误差门限值和数据门限值的门限生成块。门限生成块生成通过将均衡信号延迟单位时间间隔而获得的延迟信号...

一种半导体器件包括：下层间绝缘层；绝缘图案，在下层间绝缘层的上表面上沿第一方向延伸；有源图案，在绝缘图案的上表面上沿第一方向延伸；多个纳米片，在有源图案的上表面上沿第三方向堆叠；栅电极，在有源图案的上表面上沿第二方向延伸；第一源/漏区，...

用于促进无线局域网（WLAN）中的传输机会（TXOP）抢占过程的信道接入的方法和装置。站（STA）包括处理器和可操作地耦合到处理器的收发器。该处理器被配置为确定信道上到接入点（AP）的上行链路的低时延业务已到达，并且生成使AP暂停下行链...

一种半导体装置制造方法，包括：在支撑层上形成无机层；在无机层上形成有机掩模图案；以及通过利用有机掩模图案作为蚀刻掩模对无机层执行等离子体蚀刻工艺，来形成无机图案和被配置为至少部分地暴露无机图案之间的支撑层的间隔图案。等离子体蚀刻工艺具有...