一种存储系统包括主机和存储装置。所述存储装置包括装置存储器。所述主机和所述存储装置通过CXL接口彼此通信。所述存储装置从所述主机接收包括密钥值的存取请求，基于所述密钥值从所述装置存储器读取流数据，并且将所读取的流数据发送到所述主机。

根据实施例，一种电子装置（101）可以包括：显示器（160、660）；短距离通信模块（190、690）；至少一个传感器（176、676）；至少一个处理器（120、620）；以及存储指令的存储器（130，630）。根据实施例，指令可以被配...

一种半导体器件可以包括：衬底，具有栅极沟槽；栅极介电层，设置在栅极沟槽的内表面上；第一栅极图案，设置在栅极介电层上并限定栅极沟槽的下部；第二栅极图案，设置在第一栅极图案上，第二栅极图案的至少一部分设置在栅极沟槽的下部中；以及封盖绝缘图案...

一种电子设备包括：第一传感器；第二传感器；至少一个存储器，存储至少一个指令；以及至少一个处理器，与第一传感器、第二传感器和至少一个存储器可操作地连接，其中，执行至少一个指令的至少一个处理器被配置为：通过第一传感器获取感测数据；基于感测数...

提供了一种半导体存储器件。半导体存储器件包括：外围结构；第一上单元结构，第一上单元结构位于外围结构上；和第一下单元结构，第一下单元结构位于外围结构的与第一上单元结构相反的一侧上，其中，第一上单元结构和第一下单元结构中的每一者包括：第一有...

公开一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和连接区域，并且在第一方向上延伸，其中，连接区域包括贯穿区域；有源区域，从基底的第一表面垂直地突出；源极/漏极区域，在第一方向上在基底上彼此间隔开，并且包括第一源极/漏极区域和第...

底部填充膜可以包括：第一膜层，具有第一介电常数；以及第二膜层，在第一膜层上并具有第二介电常数，其中，第二介电常数高于第一介电常数。

本电子设备包括：通信接口；麦克风；存储器，用于存储至少一个指令；以及至少一个处理器，被连接到通信接口、麦克风和存储器，以便控制电子设备，其中，至少一个处理器可进行以下操作：当基于通过通信接口接收的第一反射信号识别出用户状态对应于睡眠状态...

一种图像传感器包括：衬底，包括多个像素，所述多个像素分别包括光电转换区域；电容器结构，位于衬底上；电容器绝缘层，位于电容器结构之间的间隔中；以及外部通路结构，位于电容器结构之间的间隔中并且穿透电容器绝缘层。电容器结构包括：导电板层，在与...

一种半导体器件可以包括衬底、下沟道图案、下源/漏图案、上沟道图案、上源/漏图案和间隙填充绝缘图案。间隙填充绝缘图案的侧表面面向下源/漏图案的侧表面和上源/漏图案的侧表面。间隙填充绝缘图案具有凹陷顶表面，并且间隙填充绝缘图案的凹陷顶表面与...

一种图像传感器包括：包括像素的像素阵列、以及连接到像素的外围电路。每个像素包括第一光电二极管、具有比第一光电二极管的光接收面积小的光接收面积的第二光电二极管、以及将第一光电二极管和第二光电二极管连接到外围电路的像素电路。外围电路通过在第...

提供聚合物、包括其的抗蚀剂组合物和通过使用其形成图案的方法。所述组合物可包括至少20摩尔％的由下式1表示的第一重复单元，并且所述聚合物不包括包含选自被羟基取代的芳基和被羟基取代的杂芳基的至少一种的重复单元A。在式1中，L11至L13、a...

一种用于存储器块分配的系统和方法。在一些实施例中，一种方法包括：从应用接收存储器分配请求，存储器分配请求包括：存储器的块的数量和第一地址；确定第一地址处的存储器被分配；识别与第一地址相差小于第一阈值的第二地址；以及在第二地址处分配该数量...

一种半导体封装件包括：第一半导体芯片、在第一半导体芯片上的第二半导体芯片、在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的多个芯片互连端子、以及粘合层。第一半导体芯片包括具有前侧和背侧的基底、在背侧上的后保护层、在后保护层上的多个后垫、以及在多个...

一种半导体装置包括：位线结构；位线结构上的背栅电极和字线；有源图案，其在位线结构上位于背栅电极与字线之间，有源图案在竖直方向上延伸；背栅电介质层，其位于背栅电极与有源图案之间，背栅电介质层位于背栅电极的侧表面和下表面上；以及第一绝缘结构...

一种半导体器件，包括：第一有源图案和第二有源图案，在第一方向上延伸，第二有源图案在竖直方向上与第一有源图案间隔开；第一栅极结构，在第一有源图案和第二有源图案上并且在第二方向上延伸；第一切割图案，在第二方向上与第一有源图案和第二有源图案间...

一种半导体装置包括：位线结构；电荷俘获结构，其在位线结构上；字线结构，其在第一方向上与电荷俘获结构交替地布置，字线结构中的每一个包括在第一方向上彼此间隔开的第一字线和第二字线；有源图案，其布置在位线结构上，布置在电荷俘获结构和字线结构之...

提供了电子设备及其操作方法。电子设备可以包括：处理器，该处理器包括第一核和第二核，第一核和第二核被配置为运行进程；以及主存储器，该主存储器被配置为存储与进程相对应的页表。第一核包括：第一转换后援缓冲器（TLB），其被配置为存储页表的第一...

本发明提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件可以包括包含第一区域和第二区域的半导体基板、在第一区域上的第一栅极结构以及在第二区域上的第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构中的每个可以包括金属图案、在半导体基板和金属图...

一种半导体装置包括：第一晶体管，其包括第一栅电极、第一栅极电介质层、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和第一沟道区域；第二晶体管，其位于与第一晶体管相同的水平处，第二晶体管包括第二栅电极、第二栅极电介质层、第三源极/漏极区域、第四源...