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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64087项专利
近场通信设备制造技术
一种NFC设备,包括:放大器,其将TX信号输出到天线;相位检测器,其将通过发送到天线的RX信号生成的恢复时钟信号的相位与参考时钟信号的相位进行比较以计算相位差;以及时钟发生器,其将传输时钟信号输出到放大器,并且参考计算的相位差来控制传输...
半导体器件及其制造方法技术
提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:衬底;第一层间绝缘膜,所述第一层间绝缘膜位于所述衬底上;贯穿通路,所述贯穿通路延伸穿过所述衬底和所述第一层间绝缘膜;第二层间绝缘膜,所述第二层间绝缘膜位于所述第一层间绝缘膜上,其中,...
半导体器件制造技术
提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:衬底,所述衬底包括有源图案;位线,所述位线位于所述衬底上与所述有源图案交叉;位线接触,所述位线接触设置在所述位线与所述有源图案之间;第一硅化物层,所述第一硅化物层设置在所述位线接触与所述位线之间...
半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法技术
本发明提供了一种半导体器件,包括:电力分配网络层,在衬底的下表面上;栅电极,在衬底上;第一源/漏图案和第二源/漏图案,在衬底上,第一源/漏图案和第二源/漏图案各自包括彼此间隔开的第一图案和第二图案,栅电极在第一图案与第二图案之间;通孔结...
磁性存储器件制造技术
提供了一种磁性存储器件。该器件包括:在基板的第一区域上的第一磁隧道结图案和在基板的第二区域上的第二磁隧道结图案。第一磁隧道结图案包括第一固定磁结构、第一自由磁结构以及在第一固定磁结构和第一自由磁结构之间的第一隧道势垒图案。第二磁隧道结图...
存储器装置制造方法及图纸
一种存储器装置包括:第一位单元组,包括第一多个位单元;以及第一外围电路组,被配置为将数据写入所述第一多个位单元写并且从所述第一多个位单元读取数据,其中,第一外围电路组包括第一类型晶体管和与第一类型晶体管不同类型的第二类型晶体管,并且其中...
在非地面网络中与卫星通信的用户设备的操作方法技术
一种在非地面网络中与卫星通信的用户设备(UE)的操作方法包括:从卫星接收分配给UE的参考信号,卫星在非地面网络中经由宽带与UE通信;对宽带中的除了分配给UE的第一目标子带之外的第二目标子带中的参考信号执行干扰测量操作;基于参考信号和来自...
图像传感器以及图像传感器的操作方法技术
提供图像传感器以及图像传感器的操作方法。该图像传感器包括:第一像素组,该第一像素组包括多个第一像素,其中多个第一微透镜分别位于多个第一像素上;第二像素组,该第二像素组包括多个第二像素,其中第二微透镜位于多个第二像素的至少两个第二像素上;...
包括外围电路区的半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:存储单元区;以及外围电路区,在第一水平方向上与存储单元区相邻。存储单元区包括:单元沟道结构,在第一水平方向上延伸,并且在竖直方向上彼此间隔开;单元位线,在竖直方向上延伸;以及单元栅电极,在竖直方向上与单元沟道结构重叠...
半导体器件及其修复方法技术
一种半导体器件,包括:主机;以及存储器件,包括与多条字线相对应的第一存储单元阵列以及与多条冗余字线相对应的第二存储单元阵列。主机被配置为基于第一存储单元阵列中连接到第一字线的第一存储单元行中发生通过纠错码(ECC)能够校正的第一类型的错...
半导体存储器器件制造技术
一种半导体存储器器件,包括:存储器单元阵列,包括第一和第二存储区域;第一数据引脚,在字节模式下接收写入数据;第二数据引脚,在字节模式下是不使用的;第一全局写入电路,连接到第一数据引脚;中心总线电路,连接到第一全局写入电路以在第一写入模式...
图像传感器及其操作方法技术
提供了一种图像传感器及其操作方法,该图像传感器包括:读出电路,其被配置为将从像素阵列接收的电信号转换为图像数据;以及图像信号处理器,其被配置为处理所述图像数据。所述图像信号处理器包括:时钟使用者,其被配置为生成第一时钟请求信号并且接收第...
半导体器件以及制造金属互连结构的方法技术
本公开提供半导体器件以及制造金属互连结构的方法。该半导体器件包括:有源图案,在第一方向上延伸;栅电极,具有在有源图案上在第一方向上间隔开的栅电极的部分,并在与第一方向相交的第二方向上延伸;栅极接触,在栅电极上;源极/漏极图案,在有源图案...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括:下层间绝缘层;绝缘图案,在下层间绝缘层的上表面上在第一水平方向上延伸;多个纳米片,在绝缘图案上并且在竖直方向上间隔开;有源切口,包括第一部分和第二部分,其中,第二部分的下表面在绝缘图案的上表面上;第一源极/漏极区域,...
用于执行硅通孔修复操作的逻辑管芯以及包括该逻辑管芯的半导体器件制造技术
提供了一种用于执行硅通孔(TSV)修复操作的逻辑管芯以及包括该逻辑管芯的半导体器件。半导体器件包括:逻辑管芯,包括存储器控制器和接口电路;多个核心管芯,在竖直方向上堆叠在逻辑管芯上,多个核心管芯中的每一个包括存储单元阵列;以及多个硅通孔...
包括磁性隧道结的磁性存储器件制造技术
一种磁性存储器件包括:固定磁性图案和自由磁性图案,堆叠在衬底上;隧道势垒图案,设置在固定磁性图案与自由磁性图案之间;封盖图案,设置在自由磁性图案上;以及金属氧化物图案,设置在自由磁性图案与封盖图案之间,其中,封盖图案包括第一封盖图案和设...
包括磁隧道结结构的磁存储器装置制造方法及图纸
提供了包括磁隧道结结构的磁存储器装置。该磁存储器装置包括:多条位线;布置在与多条位线不同垂直高度处的多条源极线;和多个存储单元,所述多个存储单元连接在位线与源极线之间并且各自包括存储器件和选择晶体管,其中,多个存储单元包括第一存储单元和...
半导体装置制造方法及图纸
具有提高的装置性能和可靠性的半导体装置包括:基底;有源图案,包括设置在基底上并且彼此垂直地间隔开的多个沟道图案;栅电极,围绕所述多个沟道图案;下源极/漏极图案,设置在基底上,并且设置在所述多个沟道图案的一侧;上源极/漏极图案,与下源极/...
三维半导体装置和制造该三维半导体装置的方法制造方法及图纸
一种三维半导体装置可包括:下有源区,其位于衬底上,包括下沟道图案和连接到下沟道图案的下源极/漏极图案;上有源区,其位于下有源区上,包括上沟道图案和连接到上沟道图案的上源极/漏极图案;栅电极,其设置在下沟道图案和上沟道图案上,并在第一方向...
用于回收分解式存储系统中的存储空间的方法和系统技术方案
本公开涉及一种用于动态回收分解式存储系统中的存储空间的方法和系统。该方法包括:检索多个存储节点的多个数据级别和多个耐久性级别;基于工作负载和与多个数据级别相关联的一个或多个第一参数确定第一变化量范围;基于工作负载和与多个耐久性级别相关联...
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