【技术实现步骤摘要】
本公开涉及具有外围电路区域的半导体装置。
技术介绍
1、随着对半导体装置的高性能、速度和/或多功能性的需求的增加，半导体装置的集成度已经增加。在制造具有与半导体装置的高集成度相对应的精细图案的半导体装置时，可能有必要实现具有精细宽度或精细分离距离的图案。
技术实现思路
1、本公开的一方面是提供一种具有外围电路区域的半导体装置，在该外围电路区域中设置有具有在竖直方向上延伸的沟道结构的外围晶体管。
2、根据示例实施例的半导体装置可以包括：包括存储器单元的存储器单元阵列区域，存储器单元中的每一个包括单元晶体管和信息存储结构；以及外围电路区域，其在水平方向上与存储器单元阵列区域间隔开，其中，外围电路区域可以包括：位于第一水平上的上互连件；
3、位于第二水平上的下互连件，第二水平在垂直于水平方向的竖直方向上与第一水平间隔开；以及至少一个外围晶体管，其在第一水平与第二水平之间，并且至少一个外围晶体管可以包括在竖直方向上延伸的沟道结构。
4、根据示例实施例的半导体装置...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述至少一个外围晶体管还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个外围晶体管包括第一外围晶体管和第二外围晶体管，并且其中，所述外围电路区域还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述至少一个外围晶体管还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个外围晶体管包括第一外围晶体管和第二外围晶体管，并且其中，所述外围电路区域还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，
10.根据权利要求8所述的半导体装置，
11.根据权利要求8...
【专利技术属性】
技术研发人员：金正云，郭采硕，张志熏，赵成元，朴泳冠，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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