【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
1、随着对半导体器件的高性能、高速度和/或多功能性的需求不断增加，半导体器件的集成密度也随之增加。相应地，半导体器件中的晶体管的缩小已经取得进展，使得已经研究了用于形成尺寸减小并提供各种操作电压的晶体管的方法。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例可以提供一种集成密度和可靠性提高的半导体器件、以及一种制造工艺难度降低和工艺成本降低的半导体器件的方法。本公开的实施例的目的和益处不限于上述目的和益处。
2、根据本公开的示例实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：制备包括在第一方向上彼此间隔开的多个有源结构在内的衬底；在多个有源结构的至少一部分上形成初步栅极介电层；通过在初步栅极介电层上形成包括第一偶极子材料的第一偶极子层和包括第二偶极子材料的第二偶极子层来形成多个偶极子层；去除多个有源结构的除第一区域之外的区域中的多个偶极子层，其中，第一区域包括多个有源结构之中的至少两个有源结构；去除多个有源结...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，
4.根据权利要求3所述的方法，
5.根据权利要求3所述的方法，
6.根据权利要求4所述的方法，
7.根据权利要求1所述的方法，
8.根据权利要求7所述的方法，
9.根据权利要求1所述的方法，
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的方法，
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二有源结构...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，
4.根据权利要求3所述的方法，
5.根据权利要求3所述的方法，
6.根据权利要求4所述的方法，
7.根据权利要求1所述的方法，
8.根据权利要求7所述的方法，
9.根据权利要求1所述的方法，
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔俊秀，郑元哲，金庚浩，林旺燮，郑荣采，郑周燮，崔圭峰，金曙正，柳太贤，朴炼皓，李晋硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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