本发明提供光学模块，具备在WDM用小型光收发两用机也能进行高密度安装的结构。本发明的光学模块具有框体、安装于框体的端部的光学适配器、及搭载于框体内的光收发组件，光收发组件具有：具有射出光信号的多个发光元件的TOSA；具有入射光信号的受光...

在薄膜晶体管(TFT)的配线中使用Cu合金的情况下，在对由硅膜构成的半导体层进行氧化处理时产生TFT的移动度的降低，另外，在使Cu合金与由氧化物半导体膜构成的半导体层接触而进行加热时，存在发生亚阈值系数的增加及阈值电压的负位移，TFT成...

本发明提供一种能够生长低位错密度的氮化物半导体的氮化物半导体生长用基板及其制造方法、以及使用氮化物半导体生长用基板所制作的氮化物半导体外延基板和氮化物半导体元件。一种氮化物半导体生长用基板，其在蓝宝石基板的作为C面的主面上，以格子状配置...

本发明提供成为在发泡状态的均匀性和耐热性方面优异的发泡绝缘体层的材料的发泡树脂组合物、以及具有该发泡绝缘体层的电线和电缆。本发明的一实施方式中，提供含有间规聚苯乙烯和聚烯烃树脂的发泡树脂组合物，所述聚烯烃树脂相对于所述间规聚苯乙烯100...

本发明提供发热元件搭载用基板及其制造方法以及半导体封装件，该发热元件搭载用基板虽然是单面配线基板，但板厚方向的导热性良好，并且具有能够将露出于两面的导电图案设计成不同形状的通用性。发热元件搭载用基板具备：树脂膜、形成于树脂膜的第一面上的...

本发明提供熔融焊料镀敷捻线的制造方法，其与使用无氧铜的情况相比，在制造软质铜捻线的过程中能够以更短时间进行在焊料镀敷槽中的浸渍，而且能够进一步实现镀敷生产线的增速化。该方法具有：对于含有含不可避免的杂质的铜、及超过2质量ppm的氧、及M...

本发明的目的是提供具有高抗拉强度、伸长，并且硬度小的铜接合线。作为解决本发明课题的方法涉及一种铜接合线，其特征在于，由软质低浓度铜合金材料构成，所述软质低浓度铜合金材料包含选自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn和Cr所组成的...

本发明提供一种车辆充电装置，即使在对不具备与充电装置一侧进行通信的功能的车辆充电的情况下，也能够在检测到充电连接器的嵌合后开始充电。车辆充电装置具备：具有用于向车辆输出充电电流的L端子和N端子、以及嵌合检测端子的充电连接器；经由第一电阻...

本发明提供与在小径的环状导电板的外周侧配置有大径的环状导电板的情况比较而使散热性提高的层叠线圈。层叠线圈(100)具备环状导电板(1A、1B)，并隔着绝缘体(10)在轴向层叠该环状导电板(1A、1B)，环状导电板具备：第一圆弧部(11a...

本发明提供无排扰线差动信号传输用电缆及其接地结构，其能够防止软钎焊作业时的屏蔽导体的熔融或蒸发及绝缘体的变形或熔融，并能提高安装密度的。无排扰线差动信号传输用电缆（10）具备：并列的一对信号线导体（11）；设在一对信号线导体（11）的周...

本发明提供一种能够减少制造工序、能够低成本化的光电转换模块。光电转换模块（10）具备：基板（12）、与光纤（30）光耦合的光电转换元件（22）、以及设置于基板（12）的表面且包含安装光电转换元件（22）的电极图案（16）和用于限制光纤（...

本发明提供圆筒型溅射靶材、使用其的配线基板以及薄膜晶体管。本发明的课题在于实现从圆筒型溅射靶材的外周面侧直至内周面侧的溅射速度的均一化。作为解决本发明课题的方法是，由纯度3N以上的无氧铜形成并具有圆筒形状的圆筒型溅射靶材(20)，从外周...

本发明涉及一种Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管。本发明的课题在于形成具有高阻挡性的Cu-Mn合金膜。作为解决本发明的方法是，一种在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu-Mn合金溅射靶材(10)，其由含有浓度为...

本发明的课题是提供即使在捻线工序中发生加工硬化，与由韧铜构成的捻线相比也具备软质性的捻线及其制造方法。作为解决本发明课题的方法涉及一种捻线的制造方法，其包括以下工序：硬铜线制作工序，对低浓度铜合金线以成为最终线径的方式实施加工度50%以...

本发明提供一种可以实现包覆层的交联时间的缩短和密合力的提高的包覆线及其制造方法。所述包覆线(10)具备：导体(20)；由硅烷交联后的绝缘性树脂组合物形成、包覆导体(20)的同时在外周具有槽(31a)的1层或2层以上的带槽绝缘层(31)；...

本发明提供一种兼备优异的弯曲特性和低刚性的轧制铜箔。所述轧制铜箔通过将铜合金材轧制加工成厚度为1μm以上20μm以下的箔状体而形成，所述铜合金材含有0.0002质量％以上0.003质量％以下的硅(Si)、0.0025质量％以上0.018...

本实用新型提供一种多芯屏蔽扁形电缆。多芯屏蔽扁形电缆(10)具备：包含内部导体(12)及绝缘体(14)的多个包覆导体(16)；以及一并覆盖多个包覆导体(16)的外部导体(1?8)。外部导体(1?8)包含相互协作而夹住多个包覆导体(16)...

在基板上具有压电膜的压电膜器件，其中，所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3（0＜x＜1）表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1-...

本发明提供抑制了不希望的杂质的混入的金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置、和氮化物半导体模板。作为金属氯化物气体发生装置的HVPE装置具有：筒状的反应炉，其在上游侧具有收容Ga（金属）的槽（收容部），在下游侧具有配置生长用的基板的...

本发明的课题是提供一种低电阻、结晶性良好的氮化物半导体模板以及使用该氮化物半导体模板的发光二极管。氮化物半导体模板(10)具备：基板(11)；在基板(11)上形成作为添加了O（氧）的O添加层的O掺杂GaN层(12)、在O掺杂GaN层(1...