【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及Cu-Mn合金溅射靶材、具有使用其而形成的Cu-Mn合金膜的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管。
技术介绍
近年来，液晶面板的大画面化、高精细化不断进展。面板生产者的目标在于追求进一步的临场感，实现超高清(高视角化)、裸眼3D面板。伴随于此，对于液晶面板中使用的薄膜晶体管(TFT Thin Film Transistor),从使用现在的非晶娃(α -Si)半导体的TFT向使用氧化物半导体的TFT的开发正在急速地进行，氧化物半导体由于高移动度而可以高速动作，阈值电压的差异小，驱动电流均一性优良。作为氧化物半导体，氧化铟镓锌(InGaZnO， 以下也记载为IGZ0)、氧化锌(ZnO)等材料的研究正在进行，因而有必要研究与这些材质相适应的配线电极材料。对于配线电极材料，以α -Si系TFT为例观察其动向，为了使动作速度高速化，正在进行从以往的铝(Al)配线向更低电阻的铜(Cu)配线的替换。另一方面，在Al配线、Cu 配线等金属配线与α-Si半导体的界面上，使用了作为扩散阻挡膜的钥(Mo)膜、钛(Ti) 膜，但使用Mo、Ti时存在材料成本高的课题。这里，为了降低...
【技术保护点】
一种Cu?Mn合金溅射靶材，其特征在于，是在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu?Mn合金溅射靶材，其由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu?Mn合金构成，所述Cu?Mn合金的平均结晶粒径为10μm以上50μm以下。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。