间隙层为NiPRe合金的薄膜磁头制造技术

本发明专利技术提供一种薄膜磁头，特别通过使作为间隙层使用的ＮｉＰＲｅ合金的组成比适当化，可以提高作为间隙层所必需的特性及物性。通过将作为间隙层使用的ＮｉＰＲｅ合金的组成比设为由三元图上的边界线Ａ至Ｅ包围的范围内，就可以镀膜形成耐化学腐蚀性优良，并且即使经高温加热也能够良好地保持非磁性状态，并且可以抑制与磁极层的界面上的元素扩散的ＮｉＰＲｅ合金。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记录用的薄膜磁头，特别涉及在用NiPRe合金镀膜形成间隙层时通过实现其组成比的恰当化来实现各种特性的提高的薄膜磁头。
技术介绍
例如在以下的专利文献1中，作为间隙层使用NiP合金或NiPW合金。NiP合金或NiPW合金可以形成镀膜，可以连续镀膜形成专利文献1中所示的下部磁极层21、间隙层22及上部磁极层35这3层，从而可以进一步适当地促进磁极部的狭小化。另外，专利文献2中，作为间隙层，公布有Re等金属膜或者以该金属膜为主体的合金。另外，虽然不属于薄膜磁头的
，但是在专利文献3中，公布有使用NiPRe合金作为薄膜晶体管的阻挡膜的内容。另外，在专利文献4中，作为在半导体元件的某一个部位中使用的材质，公布有含有Re的镍合金。专利文献1JP特开2002-298310号公报专利文献2JP特开平11-213332号公报专利文献3JP特开2002-353222号公报专利文献4JP特开平5-335314号公报作为薄膜磁头的间隙层所必需的特性及物性，可以列举出非磁性、与磁极层的界面的元素扩散少、耐化学腐蚀性等。本专利技术人进行了实验，结果发现，其中，NiP合金对浮动块加工时等中使用的碱性水溶液耐受力较弱，当暴露在碱性水溶液中时，就会产生溶出等问题。当作为间隙层的NiP合金溶出，在那里形成空间等时，由于设于间隙层的上下的磁极层就会产生例如从所述空间内腐蚀或在记录介质上滑动时容易受到损伤等问题，因此，希望间隙层中使用的材质对碱性水溶液的耐受力较强。另外，虽然NiP合金如果使元素P的组成比恰当化则成为非磁性，但是，本专利技术人进行实验时发现，当不含有大约16质量％以上的元素P时，则在200℃的加热处理后，具有磁性。加热工序在薄膜磁头的制造过程中是必然的，希望至少在200℃左右的加热处理后保持非磁性。另外，发现元素P在合金内最多只能含有18质量％左右，其结果是，在使NiP合金恰当地非磁性化时，需要在非常窄的容许范围内调整元素P的含量。另外，在专利文献2中，在采用使用了Re的合金时，其具体组成及组成比并未公布，所述合金膜实际上是否具有作为间隙层所必需的所述特性或物性并不明确。另外，在专利文献3中，在 段中，虽然公布了Re的含量为50～75％，但是在后述的实验中发现，当像这样Re的含量较高时，特别容易因加热处理而发生元素扩散，因而不够理想。
技术实现思路
所以，本专利技术是为了解决所述以往的问题而提出的，目的在于，提供一种通过特别将作为间隙层使用的NiPRe合金的组成比恰当化，可以提高作为间隙层所必需的特性及物性的薄膜磁头。本专利技术提供如下的薄膜磁头，即，具有设于与记录介质相对面一侧上的磁极部、向所述磁极部导入记录磁场的磁路构成部、用于导致记录磁场的线圈层，所述磁极部至少由间隙层和在其上形成的上部磁极层构成，所述间隙层是由NiPRe合金镀膜形成的，NiPRe合金的组成比处于在图4及图5所示的三元图中由连接a点(Ni∶P∶Re)＝(84质量％∶16质量％∶0质量％)、和b点(Ni∶P∶Re)＝(72质量％∶0质量％∶28质量％)的直线的边界线A(包括边界线A上)、Re的组成比为2质量％的直线的边界线B(包括边界线B上)、Re的组成比为46质量％的直线的边界线C(包括边界线C上)、 P的组成比为4质量％的直线的边界线D(包括边界线D上)、P的组成比为18质量％的直线的边界线E(包括边界线E上)所包围的范围内。根据后述的实验结果发现，在所述的组成范围内镀膜形成的NiPRe合金保持非磁性状态，另外，在耐化学腐蚀性方面优良，而且即使在加热处理中也很难在与磁极层的界面上发生元素扩散。另外，本专利技术中，当在图4及图5的三元图中，将连接c点(Ni∶P∶Re)＝(20质量％∶0质量％∶80质量％)、d点(Ni∶P∶Re)＝(82质量％∶18质量％∶0质量％)的直线作为边界线F(包括边界线F上)时，NiPRe合金的组成比最好处于由边界线A、B、C、D及F包围的范围内。这样就可以更有效地形成耐化学腐蚀性优良的间隙层。另外，本专利技术中，所述P的组成比最好为8质量％以上。这样就可以特别使耐化学腐蚀性提高，同时，即使经过高温加热，也可以恰当地保持非磁性状态。另外，本专利技术中，所述Re的组成比最好在10质量％以上。这样就可以更有效地提高耐化学腐蚀性。另外，本专利技术中，所述Re的组成比最好在30质量％以下。这样就可以更有效地抑制与磁极层的界面上的元素扩散。根据本专利技术，通过使作为间隙层使用的NiPRe合金的组成比恰当化，就可以镀膜形成耐化学腐蚀性优良、并且即使经过高温加热也可以良好地保持非磁性状态并可以抑制与磁极层的界面上的元素扩散的NiPRe合金。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式1的薄膜磁头的前视图。图2是图1的薄膜磁头的2-2线的局部剖面图。图3A是表示本专利技术的实施方式2的薄膜磁头的局部剖面图，图3B是表示本专利技术的实施方式3的薄膜磁头的局部剖面图。图4是表示NiPRe合金的组成比、相对于碱性水溶液的侵蚀速率的关系的三元图。图5是表示NiPRe合金的组成比和耐热性的关系的三元图。图6是表示NiPRe合金的元素Re的组成比和侵蚀速率的关系的图表。图7是表示NiP合金的元素P的组成比和侵蚀速率的关系的图表。图8是表示NiPRe合金的元素Re的组成比和相对于加热温度的饱和磁化的关系的图表。图9是表示NiP合金的元素P的组成比和相对于加热温度的饱和磁化的关系的图表。图10左图是从下层叠了CoFe合金/NiPRe(Ni76.5，P12.2，Re11.3，都是质量％)合金/CoFe合金之后不久(非加热状态)的TEM照片，右图是加热后的TEM照片。图11左图是从下层叠了CoFe合金/NiPRe(Ni62.5，P8.8，Re28.7，都是质量％)合金/CoFe合金之后不久(非加热状态)的TEM照片，右图是加热后的TEM照片。图12左图是从下层叠了CoFe合金/NiPRe(Ni50.3，P7.0，Re42.7，都是质量％)合金/CoFe合金之后不久(非加热状态)的TEM照片，右图是加热后的TEM照片。图13左图是从下层叠了CoFe合金/NiPRe(Ni47.5，P5.1，Re47.4，都是质量％)合金/CoFe合金之后不久(非加热状态)的TEM照片，右图是加热后的TEM照片。图14是与图10对应的组成分析结果的图表。图15是与图11对应的组成分析结果的图表。图16是与图12对应的组成分析结果的图表。图17是与图13对应的组成分析结果的图表。图18是表示NiPW合金及NiW合金的元素W的组成比和侵蚀速率的关系的图表。具体实施例方式图1是表示本专利技术的薄膜磁头的构造的局部前视图，图2是将图1所示的薄膜磁头从2-2线切割并从箭头方向看到的局部剖面图。图1所示的薄膜磁头虽然为记录用的感应头，但是，本专利技术中，在该感应头之下，也可以层叠利用了磁阻效应的再现用磁头(使用了所谓的AMR、GMR、TMR等的MR磁头)。图1所示的符号20为例如由NiFe合金、CoFe合金、CoFeNi合金等磁性材料形成的下部芯层。而且，当在所述下部芯层20的下侧层叠再现用磁头时，既可以在所述下部芯层20之外单独地设置保护磁阻效应元件免受噪声干扰的屏蔽层，或者不设置所述屏蔽层，使所述下部芯层20作为所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜磁头，其特征是，具有设于与记录介质的相对面一侧的磁极部、向所述磁极部导入记录磁场的磁路构成部、用于产生记录磁场的线圈层，所述磁极部至少由间隙层和在其上形成的上部磁极层构成，　　　　所述间隙层是由ＮｉＰＲｅ合金镀膜形成的，　　　　ＮｉＰＲｅ合金的组成比处于在图４及图５所示的三元图中由　　　　连接ａ点（Ｎｉ∶Ｐ∶Ｒｅ）＝（８４质量％∶１６质量％∶０质量％）、和　　　　ｂ点（Ｎｉ∶Ｐ∶Ｒｅ）＝（７２质量％∶０质量％∶２８质量％）的直线的边界线Ａ（包括边界线Ａ上）、　　　　Ｒｅ的组成比为２质量％的直线的边界线Ｂ（包括边界线Ｂ上）、　　　　Ｒｅ的组成比为４６质量％的直线的边界线Ｃ（包括边界线Ｃ上）、　　　　Ｐ的组成比为４质量％的直线的边界线Ｄ（包括边界线Ｄ上）、　　　　Ｐ的组成比为１８质量％的直线的边界线Ｅ（包括边界线Ｅ上）所包围的范围内。

【技术特征摘要】
JP 2003-8-13 2003-2928401.一种薄膜磁头，其特征是，具有设于与记录介质的相对面一侧的磁极部、向所述磁极部导入记录磁场的磁路构成部、用于产生记录磁场的线圈层，所述磁极部至少由间隙层和在其上形成的上部磁极层构成，所述间隙层是由NiPRe合金镀膜形成的，NiPRe合金的组成比处于在图4及图5所示的三元图中由连接a点(Ni∶P∶Re)＝(84质量％∶16质量％∶0质量％)、和b点(Ni∶P∶Re)＝(72质量％∶0质量％∶28质量％)的直线的边界线A(包括边界线A上)、Re的组成比为2质量％的直线的边界线B(包括边界线B上)、Re的组成比为46质量％的直线的边界线C(包括边界线C上)、P的...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢泽久幸，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]