本发明专利技术提供耐湿性、耐氧化性得到改善、在与低电阻的主导电膜Al或Cu层叠时即使经过加热工序也能够维持低电阻值的电子部件用金属薄膜以及用于形成其的Mo合金溅射靶材。一种电子部件用金属薄膜，其中，原子比的组成式表示为Mo100-x-y-Nix-Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x＋y≤65，余量由无法避免的杂质组成；以及一种金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材，其中，原子比的组成式表示为Mo100-x-y-Nix-Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x＋y≤65，余量由无法避免的杂质组成。
【技术实现步骤摘要】
电子部件用金属薄膜以及金属薄膜形成用Mo合金溅射靶 材
本专利技术涉及要求有耐湿性、耐氧化性的电子部件用金属薄膜以及用于形成该金属 薄膜的溅射靶材。
技术介绍
在液晶显示器（以下称为IXD)、等离子体显示板（以下称为rop)、电子纸等所利用 的电泳型显示器等平面显示装置（Flat Panel Display，以下称为FPD)、以及各种半导体器 件、薄膜传感器、磁头等薄膜电子部件中，需要低电阻的布线膜。例如，在玻璃基板上形成薄 膜器件的IXD、PDP、有机EL显示器等FH)随着大画面、高精细、快速响应化而要求该布线膜 低电阻化。此外，近年来正在开发FPD中加入操作性的触摸屏、使用了树脂基板的柔性FPD 等的新制品。 近年来，对于作为FPD的驱动元件使用的薄膜晶体管（TFT)的布线膜要求低电阻 化，进行了主布线材料使用电阻比A1低的Cu的研究。另外，在观看Fro画面的同时赋予直 接的操作性的触摸屏基板画面也逐渐大型化，为了低电阻化，开展了使用Cu为主布线材料 的研究。 目前，TFT中采用了 Si半导体膜，而作为主布线材料的Cu直接接触Si半导体膜 时，由于TFT制造中的加热工序而导致Cu热扩散到Si半导体膜中，使TFT的电特性劣化。 为此，采用了在Cu与Si半导体膜之间形成耐热性优异的Mo或Mo合金作为隔膜的层叠布 线膜。 另外，与TFT连接的像素电极、便携终端、平板电脑等所用的触摸屏的位置检测电 极一般采用属于透明导电膜的ΙΤ0 (铟-锡氧化物)。Cu虽然可得到与ΙΤ0的接触性，但与 基板的密合性低，因此为了确保与基板的密合性，需要制成用Mo或Mo合金覆盖了 Cu的层 叠布线膜。 此外，近年来盛行开展透明半导体膜的应用研究，该透明半导体薄膜使用了被认 为与非晶质Si半导体相比更适于快速驱动的氧化物，关于这些氧化物半导体的布线膜也 研究了使用Cu和纯Mo的层叠布线膜。 本申请的 申请人:提出了下述方案：通过制成层叠有与玻璃等的密合性低的Cu或 Ag、及以Mo为主体并含有V和/或Nb的Mo合金的层叠布线膜，能够维持Cu、Ag所具有的 低电阻值，并且改善耐蚀性、耐热性、与基板的密合性。（例如参照专利文献1)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1日本特开2004-140319号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问是页 相比于纯Mo,上述专利文献1中提出的M〇-V、M〇-Nb合金等的耐蚀性、耐热性、与 基板的密合性更优异，因此被广泛地用于在玻璃基板上形成的Fro用途。 然而，在制造 Fro时，基板上形成层叠布线膜之后向后续工序移动的过程中有时 会被长时间放置在大气中。另外，在为了使便利性提升而使用了树脂薄膜的轻量且柔性的 Fro等中，树脂薄膜与以往的玻璃基板等相比有透湿性，因此要求金属薄膜具有高的耐湿 性。 此外，Fro的端子部等处安装信号线缆时有在大气中被加热的情况，因此还要求金 属薄膜的耐氧化性提高。另外，对于使用了氧化物的半导体膜，为了提高特性、稳定化，有时 在含氧的气氛、形成含氧的保护膜后进行350°C以上的高温下的加热处理。为此，对于在主 布线膜上将金属薄膜用作覆盖膜的层叠布线膜，为了在经过这些加热处理后仍能够维持稳 定的特性，也强烈要求耐氧化性提高。 根据本专利技术人的研究，确认了上述Mo-V、Mo-Nb合金等或纯Mo的金属薄膜在上述 环境中的耐湿性、耐氧化性并不充分，在FPD的制造工序中有时会发生变色的问题。 另外，根据本专利技术人的研究，Cu的密合性、耐湿性、耐氧化性远差于A1，因此有时 形成用于确保密合性的基底膜、作为保护Cu表面的覆盖膜的金属薄膜。上述Mo-V、Mo-Nb 合金等或纯Mo的耐湿性、耐氧化性并不充分，有时发生下述问题：在FH)的制造工序中作为 Cu的覆盖膜时会变色，同时氧透过、Cu的电阻值大幅增加。覆盖膜的变色牵涉到使电接触 性劣化、电子部件的可靠性下降。 另外，为了 Fro的大画面化、快速驱动，倾向于使TFT制造工序中的加热温度上升， 经过更高温度下的加热工序时，确认了存在下述情况：作为覆盖膜的金属薄膜中含有的合 金元素会扩散到低电阻的A1或Cu的主布线膜中，电阻值增加。 如此对于与A1或Cu的主导电膜层叠的金属薄膜要求能够应对新的各种环境的高 耐湿性、耐氧化性以及维持低的电阻值。 本专利技术的目的在于提供电子部件用金属薄膜以及用于形成该金属薄膜的Mo合金 溅射靶材，该电子部件用金属膜改善了耐湿性、耐氧化性，且在与低电阻的作为主导电膜的 A1或Cu层叠时，即使经过加热工序也能够维持低的电阻值。 用于解决问题的方案 本专利技术人鉴于上述课题，重新致力于优化在Mo中添加的元素。结果发现，通过制 成在Mo中复合添加了特定量的Ni及W的电子部件用金属薄膜，能够提高耐湿性、耐氧化 性，并且即使经过加热工序也能够维持低的电阻值，从而实现本专利技术。 S卩，本专利技术是电子部件用金属薄膜的专利技术，其中，原子比的组成式表示为 M〇1QQ-x-y-Nix-Wy、10彡X彡50、10彡 y彡40、x十y彡65,余量由无法避免的杂质组成。 本专利技术中，优选的是，前述组成式的x、y分别设为20彡X彡35、15彡y彡30。 另外，本专利技术是金属薄膜形成用溅射靶材的专利技术，该溅射靶材是用于形成前 述电子部件用金属薄膜的Mo合金溉射祀材，原子比的组成式表不为Mo 1(l(l_x_y-Nix-Wy、 10彡X彡50、10彡y彡40、x + y彡65,余量由无法避免的杂质组成。 本专利技术中，优选的是，前述组成式的x、y分别为20彡X彡35、15彡y彡30。 专利技术的效果 与以往的电子部件用金属薄膜相比，本专利技术的电子部件用金属薄膜的耐湿性、耐 氧化性优异。另外，即使在与主导电膜的A1或Cu层叠时的加热工序中，也能够抑制电阻值 的增加、维持低的电阻值。由此，通过用作各种电子部件例如在树脂基板上形成的FH)等的 布线膜，从而具有大大有助于电子部件的稳定制造、可靠性提高的优点，是制造电子部件的 有用的技术。尤其是对于使用触摸屏或树脂基板的柔性Fro来说非常有用的金属薄膜。尤 其是耐湿性、耐氧化性对于这些制品来说非常重要。 【附图说明】 图1是显示本专利技术的电子部件用金属薄膜的应用例的截面示意图。 附图标记说明 1 基板 2金属薄膜(基底膜） 3主导电膜 4金属薄膜(覆盖膜） 【具体实施方式】 图1显示了本专利技术的电子部件用金属薄膜（以下简称为金属薄膜。）的应用例。本 专利技术的金属薄膜例如可以形成在基板1上，用作主导电膜3的基底膜2、覆盖膜4。虽然图 1中在主导电膜3的两面形成了金属薄膜2、4,但也可以是基底膜2或覆盖膜4的任一者覆 盖仅一侧的面，适当选择即可。需要说明的是，用本专利技术的金属薄膜仅覆盖主导电膜一侧的 面时，可以根据电子部件的用途使用组成不同于本专利技术的金属薄膜覆盖主导电膜3另一侧 的面。 本专利技术的重要特征在于，通过以Ni相对于Mo为10?50原子％、W相对于Mo为 10?40原子％、且两者总计为65原子％以下的范围添加，发现了使耐湿性、耐氧化性提高、 且在例如与形成主导电膜本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子部件用金属薄膜，其特征在于，原子比的组成式表示为Mo100‑x‑y‑Nix‑Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x＋y≤65，余量由无法避免的杂质组成。
【技术特征摘要】
2013.03.12 JP 2013-0489071. 一种电子部件用金属薄膜，其特征在于，原子比的组成式表示为M〇1(l(l_ x_y-Nix-Wy、 10彡X彡50、10彡y彡40、x + y彡65,余量由无法避免的杂质组成。2. 根据权利要求1所述的电子部件用金属薄膜，其特征在于，所述组成式的X、y分别 为20彡X彡35、15彡y彡30。3. -种金属薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：村田英夫，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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