一种制备MgxZn1-xO 合金薄膜的方法技术

技术编号:9236295 阅读:123 留言:0更新日期:2013-10-09 23:43
本发明专利技术提供了一种制备MgxZn1-xO合金薄膜的方法,向经清洗和预处理的玻璃基底上溅射沉积并生长氧化锌缓冲层,其中所用的溅射靶材为Zn靶,并通入Ar和O2;再利用双靶溅射仪在氧化锌缓冲层上溅射沉积并生长MgxZn1-xO层,退火,得MgxZn1-xO合金薄膜,0

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备MgxZn1?xO合金薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)向经过清洗和预处理的玻璃基底上溅射沉积并生长氧化锌缓冲层,其中所用的溅射靶材为Zn靶,在Ar保护下进行溅射沉积,并通入O2作为反应气体;2)利用双靶溅射仪在氧化锌缓冲层上溅射沉积并生长MgxZn1?xO层,然后退火,得到MgxZn1?xO合金薄膜,其中0

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵莉
申请(专利权)人:彩虹集团公司
类型:发明
国别省市:

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