压电膜器件和压电膜装置制造方法及图纸

技术编号:8391104 阅读:179 留言:0更新日期:2013-03-08 03:42
在基板上具有压电膜的压电膜器件,其中,所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3(0<x<1)表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构,所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围,此外,所述(K1-xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用碱金属铌氧化物系压电膜的压电膜器件和压电膜装置
技术介绍
根据各种目的将压电体加工成各种压电器件,尤其是被广泛用作通过施加电压而产生应变的驱动器或者逆向地由器件的应变产生电压的传感器等的功能性电子部件。作为用于驱动器或传感器用途的压电体,目前为止广泛使用了具有优异压电特性的铅系材料的电介体,尤其是使用被称为PZT的Pb(zri_xTix)o3系的钙钛矿型铁电体,压电体通常是通过将含有各种元素的氧化物烧结而形成的。另一方面,现在随着各种电子部品的小型化、高性能化推进,也强烈地要求将压电器件小型化和高性能化。·然而,通过以以往制法的烧结法为中心的制造方法制作的压电材料,随着其厚度的减小,尤其是其厚度接近10 μ m左右厚时,接近于构成材料的晶体颗粒的尺寸,无法忽视尺寸的影响。因而出现了特性的波动或劣化变得显著的问题,为了避免该问题,近年来研究了应用薄膜技术等代替烧结法的压电体的形成方法。最近实际将用溅射法在硅基板上形成的PZT膜用作高速高精细的喷墨打印头用驱动器的压电膜。另一方面,由所述PZT构成的压电烧结体或压电膜因含有6(Γ70重量%左右的铅,从生态学观点以及防本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:柴田宪治末永和史渡边和俊野本明堀切文正
申请(专利权)人:日立电线株式会社
类型:
国别省市:

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