光电转换模块制造技术

本发明专利技术提供一种能够减少制造工序、能够低成本化的光电转换模块。光电转换模块（10）具备：基板（12）、与光纤（30）光耦合的光电转换元件（22）、以及设置于基板（12）的表面且包含安装光电转换元件（22）的电极图案（16）和用于限制光纤（30）的位置的限制图案（18）的导体图案（14）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电转换模块。
技术介绍
以往，在具有光纤的通信线缆的连接器部中，使用将电信号转换为光信号或将光 信号转换为电信号的光电转换模块。例如，专利文献I公开的光电转换模块在具备配线图案的配线基板上设有具备用 于配置光纤的槽的光纤搭载部。在配线基板上搭载光纤、光波导和光半导体元件，光纤通过 光波导而与光半导体元件进行了光学连接。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008 - 129385号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题对于光电转换模块而言，期望低成本化。然而，对于专利文献I公开的光电转换模块而言，由于需要形成光纤搭载部的槽 的制造工序，因此存在该制造工序相应的成本增加这样的问题。本专利技术鉴于上述情况而进行，其目的在于提供能够减少制造工序、能够低成本化 的光电转换模块。解决课题的方法为了实现上述目的，根据本专利技术的一种方式，可以提供一种光电转换模块，其具 备基板、与光纤光耦合的光电转换元件、以及设置于基板的表面且包含安装光电转换元件 的电极图案和用于限制光纤的位置的限制图案的导体图案。专利技术效果本专利技术提供能够减少制造工序、能够低成本化的光电转换模块。附图说明图1是概略地表示第I实施方式的光电转换模块的平面图。图2是沿着图1的II — II线的概略剖面图。图3是将图2的光电转换元件的附近放大而概略地表示的剖面图。图4是用于说明导体图案和镜部的制造方法的图，是概略地表示刚对Cu层进行蚀 刻后的状态的立体图。图5是用于说明导体图案和镜部的制造方法的图，是概略地表示刚将镜部的Cu层 成型后的状态的立体图。图6是将光纤的端部的附近放大而概略地表示的剖面图。剖面图。图7是用于说明凸块间距狭小时的导体图案的形状的图。图8是概略地表示第2实施方式的光电转换模块的平面图。图9是概略地表示第3实施方式的光电转换模块的剖面图。图10是概略地表示第4实施方式的光电转换模块的平面图。图11是概略地表不第5实施方式的光电转换模块的平面图。图12是概略地表不第6实施方式的光电转换模块的平面图。图13是概略地表示第7实施方式的光电转换模块的立体图。图14是概略地表示第8实施方式的光电转换模块的立体图。图15是将第8实施方式的光电转换模块的连接部及其周边部放大而表示的部分图16是表示第8实施方式的光电转换模块的切割工序的立体图。图17是概略地表示第9实施方式的光电转换模块的立体图。图18是概略地表不第10实施方式的光电转换模块的立体图。图19是概略地表示第10实施方式的变形例的光电转换模块的立体图。符号说明7 :刀刃，10 :光电转换模块，12 :基板，14 :导体图案，16 :电极图案，18 :限制图案， 20 :1C芯片，22 :光电转换元件，24 :凸块，26 :电极端子，28 :镜部，28a :反射面，29 :连接部， 30 :光纤，31 :外皮，32、32A :突条，32a :第I相对面，32b :第2相对面，32c :端面，33A、33B、 33C、33D、33E :突起，34 :光纤按压部件，36 :粘接层，38 :电线，40 :芯，42 :包层，44、50、51、 56 :Cu 层，46、52、53、58 =Ni 层，48、54、55、60 :Au 层，62、63 :棒部，70 :第 I 刃面，72 :第 2 刃 面,102 :配线，100、200 :光电转换模块，202 :镜部，202a :反射面，202b :抵接面，204 :Cu层， 206 =Ni层,208 :Au层，300 :光电转换模块，302 :配线，304 :镜部，321 :凹部，400 :光电转换 模块，402 :突条，500、600、700、800、900、910 :光电转换模块具体实施方式〔第I实施方式〕以下，参照附图对本专利技术的第I实施方式进行说明。图1是概略地表示第I实施方式的光电转换模块10的平面图，图2是沿着图1中 的II 一 II线的概略剖面图。光电转换模块10具备基板12、与光纤30光耦合的光电转换元件22、设置于基板 12的表面的导体图案14。导体图案14包含安装光电转换元件22的电极图案16和用于限 制光纤30的位置的限制图案18。导体图案14上形成有用于将光电转换元件22与光纤30 光耦合的具有反射面28a的镜部28。电极图案16上，按照与光电转换元件22电连接的方 式安装有IC (集成电路)芯片20。基板12由例如玻璃环氧树脂、聚酰亚胺树脂形成。导体图案14包含在基板12的表面进行图案化而成的导体层。本实施方式中，导 体图案14包含在基板12的表面上层叠并进行图案化而成的Cu (铜)层、在Cu层的表面上 进行镀敷而设置的Ni (镍)层、以及在Ni层的表面上进行镀敷而设置的Au (金)层。导体 图案14可通过包含如下制造工序的制造方法而形成在基板12的表面上层叠Cu层的制造工序、对层叠的Cu层进行蚀刻而图案化的制造工序、在进行了图案化的Cu层的表面上镀敷 Ni层的制造工序、以及在Ni层的表面上镀敷Au层的制造工序。导体图案14包含电极图案 16和限制图案18，电极图案16和限制图案18可在形成导体图案14时，通过相同的制造工 序同时形成。在基板12的表面上，在规定的位置安装有IC芯片20和光电转换元件22。IC芯 片20和光电转换元件22均进行倒装芯片安装，并通过由金形成的多个凸块24而与电极图 案16进行了电连接。本实施方式中，光电转换元件22的多个凸块24中的一部分凸块24 与限制图案18进行了连接。光电转换元件22为LD (激光二极管)等发光元件或H)(光电二极管)等受光元 件。光电转换兀件22为发光兀件时，IC芯片20为用于发光兀件的驱动电路,光电转换兀 件22为受光元件时，IC芯片20为放大受光元件的输出的放大电路。光电转换元件22为面发光型或面受光型，按照自身的光的出射面或入射面与基 板12的表面相对的方式进行配置。本实施方式中，光电转换元件22为VCSEL(垂直腔面发 射激光器，Vertical Cavity Surface Emitting LASER)。电极图案16包含位于基板12的端部的电极端子26，通过电极端子26，IC芯片20 可与外部的电路进行电连接。此外，IC芯片20通过电极图案16而与光电转换元件22进 行了电连接。本实施方式中，在基板12的表面上与电极图案16 —体地设有镜部28。镜部28通 过反射面28a上的反射而将从光电转换兀件22向基板12的表面延伸的光路以沿着基板12 的表面的方式弯曲了 90度。在基板12的表面上，光纤30的端部以沿着表面的方式进行配置。光纤30的端部 配置于从镜部28延伸的光路上，光电转换元件22与光纤30通过镜部28而进行了光耦合。 在光纤30的端部，通过终端处理而剥去了外皮31。基板12的表面上的光纤30的端部的位置通过限制图案18进行了限制。限制图 案18包含2根突条32、32，突条32、32保持规定的间隔(与光纤30的直径大致相同的间隔) 平行地延伸。光纤30的端部配置于突条32、32之间，并通过突条32、32而在与基板12的 表面平行且与光纤30的光轴垂直的方向上进行定位。以覆盖光纤30的端部的方式通过粘 接层36将光纤按压部件34固定在突条3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换模块，其具备：基板、与光纤光耦合的光电转换元件、以及设置于所述基板的表面且包含安装所述光电转换元件的电极图案和用于限制所述光纤的位置的限制图案的导体图案。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤正尭，平野光树，安田裕纪，石川浩史，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：