【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光波导芯片和F1D (Photo-Diode光电二极管)阵列稱合封装结构，本专利技术属于通信领域。
技术介绍
随着高速信息化技术的发展，集成光学器件的发展已成为未来光通信、光计算、光传感等各领域交错发展的必然趋势。随着信息容量不断变大，其传输速率也不断提高，这样对系统中器件的集成度和稳定性要求也不断提高。高速光通信的发展越来越迅速，其中一个很重要的特点是器件集成度提高，光电子集成技术将更广泛的应用在系统中。100G光通信中采用PM-QPSK调制，PM-QPSK是一种偏振的复用及相位的调制，其接收机的电速率达25Gbps。因为光探测器的带宽与半导体材料内载流子穿越时间和信号处理电路响应时间有关，所以与低速ro相比高速ro光电探测器具有更小的穿越时间，其光敏面也更小，其对准操作的难度也更大，同时对光斑的相对位置偏离也更敏感。这样，保证接收机的整体稳定性，同时提升其生产效率也就尤为重要。影响接收机稳定性的外界因素主要是周围环境温度的变化，如何减少环境温度对接收机性能的影响成为接收机制作过程中需要克服的一个难题。由于器件选用的材料，结构或制造封装工艺方...
【技术保护点】
一种光波导芯片和PD阵列的耦合封装装置，其特征在于：所述的耦合封装装置包括有底板（107）、设置在底板（107）上的波导支撑架（105）、固定于波导支撑架（105）上的波导芯片（101）、设置在底板（107）上的基板（103）；?所述的波导芯片（101）由衬底、下包层、供光信号传输的芯层、上包层所构成，其输出端面设置成具有倾斜角度且其上镀有全反射薄膜的斜面，其衬底背面设置有第三标识线面（110）；所述的基板(103)上分别设置有第一标识线面(108)和第二标识线面(109)，其第一标识线面(108)?处粘接有光敏面向上的PD阵列（102），其第二标识线面(109)?处粘接有...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石川，梁雪瑞，陈征，江雄，汪灵杰，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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