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披刻半导体苏州有限公司专利技术
披刻半导体苏州有限公司共有11项专利
原子层薄膜沉积进气装置制造方法及图纸
本实用新型提供原子层薄膜沉积进气装置,涉及原子层沉积装置领域。该原子层薄膜沉积进气装置,包括罐体,所述罐体顶部固定连接有第一进气管,所述罐体顶部一侧固定连接有第二进气管,所述罐体一侧固定连接有压力调节管,所述罐体内部固定连接有固定板,所...
自适应关盖平衡机构制造技术
本实用新型涉及自适应关盖平衡机构,包括设备外壳,所述设备外壳的内侧设置有升降盖,所述升降盖的下端部固定连接有轴套,所述轴套的内侧滑动连接有端块,所述端块的下端部固定连接有一端贯穿轴套并延伸至设备外壳外侧的升降轴,所述端块的下端部与轴套的...
可均匀进气的原子层沉积装置制造方法及图纸
本实用新型提供可均匀进气的原子层沉积装置,涉及原子层沉积技术领域。该可均匀进气的原子层沉积装置转动轴转动带动转动板转动,此时可以使通过进气筒进入到真空反应腔内部的反应气体与真空反应腔内部微粒进行充分的均匀地接触混合,使反应气体布满在真空...
真空升降和平移关盖机构制造技术
本实用新型涉及真空升降和平移关盖机构,包括底板,所述底板的顶部固定连接有两个竖板,两个所述竖板相对的一侧均固定连接有导向条,两个所述导向条之间滑动连接有滑套,所述底板和滑套上设置有升降组件,所述升降组件的顶部固定连接有门板,两个所述竖板...
尾气管升降微调装置制造方法及图纸
本实用新型公开了尾气管升降微调装置,具体涉及升降微调装置领域,包括安装垫,所述安装垫的顶部固定有金属套,所述金属套的顶部放置有原子层沉积设备尾气管体;本装置设置有管道安装装置,在将原子层沉积设备尾气管体放置在对应的金属套后,通过加固套和...
一种用于原子层沉积设备进气管路制造技术
本实用新型公开了一种用于原子层沉积设备进气管路,包括主管路,主管路右侧连接有反应室,主管路靠左侧设置有氮气吹扫阀,主管路左端连接有进气管路,进气管路上设置有进气管口,主管路底端靠近氮气吹扫阀一侧设置有防护箱,防护箱右侧设置有第二单向阀,...
真空双层进气机构制造技术
本实用新型公开了真空双层进气机构,涉及进气设备技术领域,包括第一进气板、第二进气板、导向轴、弹簧、滑套、第二密封圈。本实用新型巧妙的通过导向轴、弹簧和滑套将内外腔进气板进行了整体设计,通过弹簧的压力将内腔进气板压在内腔上进行密封,采用了...
一种原子层沉积设备的快速沉积腔室制造技术
本实用新型公开了一种原子层沉积设备的快速沉积腔室,属于原子层沉积技术领域,包括升降架,所述升降架顶端安装有下底板,所述下底板顶端活动安装有沉积腔体,所述沉积腔体顶端安装有上盖板,所述沉积腔体一端嵌入安装有真空抽气管,所述真空抽气管外表面...
一种半导体设备加热及温控装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种半导体设备加热及温控装置,属于半导体设备技术领域,包括热交换器,所述热交换器两端面等距对称通过螺钉安装有风管,所述热交换器正面和背面两侧均通过螺钉安装有安装块,所述风管一端卡接有拆卸式过滤机构,所述拆卸式过滤机构包括...
一种原子层沉积设备制造技术
本发明公开了一种原子层沉积设备,涉及原子层沉积技术领域,包括电控系统、进气控制系统、尾气系统、升降控制系统、衬底片和生长室,所述升降控制系统和生长室相连接,所述生长室包括有外腔室部件、内腔室部件、进气部件、出气部件和产品生长区,所述外腔...
一种原子层沉积设备制造技术
本实用新型涉及一种原子层沉积设备,包括具有内腔的反应室、设置在反应室内用于承载沉积用衬底的载台及用于加热衬底的加热机构,反应室顶部开设开口,原子层沉积设备还包括盖合开口使得反应室的内腔形成封闭腔室的上盖,载台设置在上盖底面,当衬底安装在...
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