一种原子层沉积设备的快速沉积腔室制造技术

本实用新型专利技术公开了一种原子层沉积设备的快速沉积腔室，属于原子层沉积技术领域，包括升降架，所述升降架顶端安装有下底板，所述下底板顶端活动安装有沉积腔体，所述沉积腔体顶端安装有上盖板，所述沉积腔体一端嵌入安装有真空抽气管，所述真空抽气管外表面一端连接有真空泵，所述上盖板外表面安装有连接密封机构包括固定环、密封垫和滑条，所述上盖板外表面固定安装有固定环，本实用新型专利技术通过连接密封机构，能够改变现有螺钉安装的方式，该方式便于上盖板和沉积腔体之间的安装，降低了上盖板和沉积腔体之间安装所需要的时间，达到了高效安装的目的，同时能够增加上盖板和沉积腔体连接处的密封性。处的密封性。处的密封性。

【技术实现步骤摘要】
一种原子层沉积设备的快速沉积腔室


[0001]本技术涉及原子层沉积
，具体为一种原子层沉积设备的快速沉积腔室。

技术介绍

[0002]原子层沉工艺通常通过加热前驱体源瓶，使其中的液体气化成为气态的前驱体，并使该前驱体与稀释气体同时通入反应腔室，原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法，但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子，由原子层沉积工艺制作成的膜层具有高纯度和良好均匀性的优点，因此原子层沉积工艺被广泛地应用于半导体动态缓冲器制造中，以满足半导体动态缓冲器的小尺寸和大高宽比的工艺要求，原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法，当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应，在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。
[0003]为此中国专利公开了一种原子层沉积设备的快速沉积腔室，申请号202123 035377.5，该技术原子层沉积设备的快速沉积腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积设备的快速沉积腔室，包括升降架(1)，所述升降架(1)顶端安装有下底板(2)，所述下底板(2)顶端活动安装有沉积腔体(3)，所述沉积腔体(3)顶端安装有上盖板(4)，所述沉积腔体(3)一端嵌入安装有真空抽气管(5)，所述真空抽气管(5)外表面一端连接有真空泵(6)，其特征在于：所述上盖板(4)外表面安装有连接密封机构(7)包括固定环(701)、密封垫(703)和滑条(705)；所述上盖板(4)外表面固定安装有固定环(701)，所述固定环(701)内壁粘接有密封垫(703)，所述固定环(701)底端对称滑动连接有滑条(705)；所述真空抽气管(5)外表面套接有过滤机构(8)，所述过滤机构(8)包括套管(801)、倾斜过滤网(802)和垂直过滤网(804)；所述真空抽气管(5)外表面套接有套管(801)，所述套管(801)内部一侧固定安装有倾斜过滤网(802)，所述套管(801)内部位于倾斜过滤网(802)一侧位置处安装有垂直过滤网(804)。2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备的快速沉积腔室，其特征在于：所述连接密封机构(7)还包括固定槽(702)、定位块(704)、矩形块(706)和手动伸缩杆(707)；所述固定环(701)内壁开设有固定槽(702)，所述密封垫(703)位于固定槽(702)内部，所述固定环(701)底端对称焊接有定位块(704)，所述滑条(705)和定位块(704)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张义颖，张良，雍晓龙，何奇，
申请(专利权)人：披刻半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：