【技术实现步骤摘要】
一种用于沉积薄膜的方法和设备以及薄膜
[0001]本公开大体上涉及半导体制造领域，尤其涉及用于沉积薄膜的方法和设备以及薄膜。
技术介绍
[0002]原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)技术具有膜层致密、均匀度高、台阶覆盖率高等优势，因而已在半导体、新能源等领域获得广泛应用。在此基础上，出现了一种被称作空间原子层沉积(spatial ALD，SALD)的新技术。理想的空间原子层沉积方式以空间位置顺序进行反应循环，使基板或基底在运动的过程中分别经历第一化学反应物以及第二化学反应物，从而在空间上实现不同化学反应物或化学源的阻隔，进而通过逐层堆叠来实现薄膜沉积。由于采用了以空间换时间的方式来提升沉积速率，空间原子层沉积的沉积时间可显著低于传统原子层沉积反应循环所需的沉积时间。
[0003]然而，在实际的量产产线上，为了兼容量产性能，不同的化学反应物之间往往难以实现完全阻隔，因而会在喷淋孔附近、抽气槽或化学源扩散区域等处发生不期望的化学气相反应(CVD)。机台长时间运行将会在CVD区域形成积粉，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于沉积薄膜的方法，其包含：将基板提供至反应腔室中，所述反应腔室包含一或多个第一化学反应物出口，以及空间上独立于所述一或多个第一化学反应物出口的一或多个第二化学反应物出口；以及使所述基板与所述一或多个第一化学反应物出口和所述一或多个第二化学反应物出口发生相对位移，其中通过所述第一化学反应物出口的第一化学反应物和通过所述第二化学反应物出口的第二化学反应物中至少一者以脉冲形式施加至所述基板。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板包含上表面和下表面，所述一或多个第一化学反应物出口以及所述一或多个第二化学反应物出口相对于所述基板的所述上表面和所述下表面中的至少一者。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含位于所述一或多个第一化学反应物出口和所述一或多个第二化学反应物出口之间的一或多个吹扫出口。4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含将第一惰性气体以常通方式经由所述一或多个吹扫出口施加至所述基板。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一惰性气体包含氩气或氮气。6.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含位于所述一或多个第一化学反应物出口以及所述一或多个吹扫出口之间的第一抽气口，位于所述一或多个第二化学反应物出口以及所述一或多个吹扫出口之间的第二抽气口，其中所述第一抽气口经配置以将所述第一化学反应物从所述反应腔室中排出，且所述第二抽气口经配置以将所述第二化学反应物从所述反应腔室中排出。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一抽气口和/或所述第二抽气口包含节流装置。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述相对位移包括旋转、前进或摇摆。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化学反应物和/或所述第二化学反应物中通过第二惰性气体作为载气导入所述反应腔室内。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二惰性气体包含氩气或氮气。11.根据权利要求1中所述的方法，其中所述反应腔室的反应温度为25℃～400℃。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板包含柔性薄膜、玻璃或硅晶圆，其中柔性薄膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)。13.根据权利要求1至12中任一者所述的方法，其中所述第一化学反应物以脉冲形...
【专利技术属性】
技术研发人员：李翔，糜珂，胡磊，姚京，左敏，赵昂璧，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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