一种用于原子层沉积设备进气管路制造技术

技术编号:37826799 阅读:14 留言:0更新日期:2023-06-11 13:12
本实用新型专利技术公开了一种用于原子层沉积设备进气管路,包括主管路,主管路右侧连接有反应室,主管路靠左侧设置有氮气吹扫阀,主管路左端连接有进气管路,进气管路上设置有进气管口,主管路底端靠近氮气吹扫阀一侧设置有防护箱,防护箱右侧设置有第二单向阀,第二单向阀底端通过管路连接有源瓶B,第二单向阀右侧设置有第一单向阀,第一单向阀底端通过管路连接有源瓶B,第一单向阀下方设置有第一ALD手动阀,第一ALD手动阀底部设置有第一气动阀,第二单向阀下方设置有第二ALD手动阀,第二ALD手动阀下方设置有第二气动阀;本一种用于原子层沉积设备进气管路具有结构设计合理、操作使用方便、避免管路堵塞的优点。避免管路堵塞的优点。避免管路堵塞的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于原子层沉积设备进气管路


[0001]本技术涉及原子层沉积设备
,具体为一种用于原子层沉积设备进气管路。

技术介绍

[0002]原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法。第一种前驱体输入到基体材料表面并通过化学吸附(饱和吸附)保持在表面,当第二种前驱体通入反应器,就会与已吸附于基体材料表面的第一前驱体发生反应,两个前驱体之间会发生置换反应并产生相应的副产物,直到表面的第一前驱体完全消耗,反应会自动停止并形成需要的原子层,不断重复这种反应即可再基体表面形成所需的薄膜。
[0003]但是现有的用于原子层沉积设备进气管路通常使用通气管单向进气,氮气吹扫只能单向吹扫主管路和反应室,会造成吹扫不干净,在沉积过程中,由于沉积在沉积腔内各平面均存在发生沉积现象的可能性,在样品台外发生的沉积还会进一步地加重非衬底部分的沉积现象,严重时会影响衬底的沉积均匀性,导致管路堵塞。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种用于原子层沉积设备进气管路具有结构设计合理、操作使用方便、避免管路堵塞的优点,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种用于原子层沉积设备进气管路,包括主管路,所述主管路右侧连接有反应室,所述主管路靠左侧设置有氮气吹扫阀,所述主管路左端连接有进气管路,所述进气管路上设置有进气管口,所述主管路底端靠近氮气吹扫阀一侧设置有防护箱,所述防护箱右侧设置有第二单向阀,所述第二单向阀底端通过管路连接有源瓶B,所述第二单向阀右侧设置有第一单向阀,所述第一单向阀底端通过管路连接有源瓶A,所述第一单向阀下方设置有第一ALD手动阀,所述第一ALD手动阀底部设置有第一气动阀,所述第二单向阀下方设置有第二ALD手动阀,所述第二ALD手动阀下方设置有第二气动阀,所述防护箱内部设置有底座,所述底座上方设置有液压缸,所述液压缸上方设置有液压杆,所述液压杆上方安装有电动伸缩杆,所述电动伸缩杆上安装有推板。
[0006]优选的,所述防护箱上设置有开关按钮,所述开关按钮通过线缆与液压缸、电动伸缩杆电性连接。
[0007]优选的,所述防护箱上表面开设有通孔用于电动伸缩杆上下移动。
[0008]优选的,所述第一单向阀和第二单向阀的类型均为阀门仅允许流体朝一个方向流动的单向阀。
[0009]优选的,所述第一ALD手动阀、第二ALD手动阀为手动开关隔膜阀,所述第一气动阀、第二气动阀为气动开关隔膜阀。
[0010]优选的,所述源瓶A内设置有水(H2O),进气的工作参数包括水为液态在真空下达
到饱和蒸气压形成气态进入管路。
[0011]优选的,所述源瓶B内设置有三甲基铝(TMA),进气的工作参数包括三甲基铝为液态在真空下达到饱和蒸气压形成气态进入管路。
[0012]与现有技术相比,本技术的有益效果是:
[0013]1.本技术结构设计合理,通过设有的氮气吹扫阀使得氮气吹扫主管路和反应室,有利于将前气体源吹扫干净,通过设有的第一单向阀、第二单向阀,使得在第一单向阀与第一气动阀之间的管路、第二单向阀与第二气动阀之间的管路被吹扫干净,避免反应造成管路的堵塞。
[0014]2.本技术结构设计合理,通过设置有的开关按钮,开关按钮通过线缆电性控制液压缸与电动伸缩杆的启动,使得该装置在使用时更加便捷,通过推板上套设有的橡胶垫,且推板和橡胶垫的直径等于主管路内壁的直径,使得推板在主管路内部移动时充分的与主管路内壁紧密贴合,避免主管路内壁出现堵塞的问题。
[0015]3.本技术结构设计合理,通过设有的第一单向阀和第二单向阀的类型均为阀门仅允许流体朝一个方向流动的单向阀,避免流体逆向运输导致管道出现堵塞。
附图说明
[0016]图1为本技术一种用于原子层沉积设备进气管路整体结构示意图;
[0017]图2为本技术一种用于原子层沉积设备进气管路防护箱内部结构示意图;
[0018]图3为本技术一种用于原子层沉积设备进气管路防护结构示意图;
[0019]图4为本技术一种用于原子层沉积设备进气管路部分结构示意图;
[0020]图5为本技术一种用于原子层沉积设备进气管路电动伸缩杆部分结构示意图。
[0021]图中标注说明:1、主管路;2、反应室;3、进气管路;4、氮气吹扫阀;5、防护箱;6、第一单向阀;7、第二单向阀;8、第一ALD手动阀;9、第二ALD手动阀;10、第一气动阀;11、第二气动阀;12、源瓶A;13、源瓶B;14、底座;15、液压缸;16、液压杆;17、电动伸缩杆;18、推板;19、开关按钮;20、通孔;21、进气管路口。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0023]实施例:1
[0024]请参阅图1

4,本技术提供一种技术方案:一种用于原子层沉积设备进气管路,包括主管路1,主管路1右侧连接有反应室2,主管路1靠左侧设置有氮气吹扫阀4,主管路1左端连接有进气管路3,进气管路3上设置有进气管口21,主管路1底端靠近氮气吹扫阀4一侧设置有防护箱5,防护箱5右侧设置有第二单向阀7,第二单向阀7底端通过管路连接有源瓶B13,第二单向阀7右侧设置有第一单向阀6,第一单向阀6底端通过管路连接有源瓶A12,第一单向阀6下方设置有第一ALD手动阀8,第一ALD手动阀8底部设置有第一气动阀10,第二
单向阀7下方设置有第二ALD手动阀9,第二ALD手动阀9下方设置有第二气动阀11,防护箱5内部设置有底座14,底座14上方设置有液压缸15,液压缸15上方设置有液压杆16,液压杆16上方安装有电动伸缩杆17,电动伸缩杆17上安装有推板18,通过设有的氮气吹扫阀4使得氮气吹扫主管路1和反应室2,有利于将前气体源吹扫干净,通过设有的第一单向阀6、第二单向阀7,使得在第一单向阀6与第一气动阀10之间的管路、第二单向阀7与第二气动阀11之间的管路被吹扫干净,避免反应造成管路的堵塞。
[0025]实施例2:
[0026]请参阅图1

5,本技术提供一种技术方案:一种用于原子层沉积设备进气管路,防护箱5上设置有开关按钮19,开关按钮19通过线缆与液压缸15、电动伸缩杆17电性连接,防护箱5上表面开设有通孔20用于电动伸缩杆17上下移动,推板18上套设有橡胶垫,推板18和橡胶垫的直径等于主管路1内壁的直径,第一单向阀6和第二单向阀7的类型均为阀门仅允许流体朝一个方向流动的单向阀,通过设置有的开关按钮19,开关按钮19通过线缆电性控制液压本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于原子层沉积设备进气管路,包括主管路(1),其特征在于:所述主管路(1)右侧连接有反应室(2),所述主管路(1)靠左侧设置有氮气吹扫阀(4),所述主管路(1)左端连接有进气管路(3),所述进气管路(3)上设置有进气管口(21),所述主管路(1)底端靠近氮气吹扫阀(4)一侧设置有防护箱(5),所述防护箱(5)右侧设置有第二单向阀(7),所述第二单向阀(7)底端通过管路连接有源瓶B(13),所述第二单向阀(7)右侧设置有第一单向阀(6),所述第一单向阀(6)底端通过管路连接有源瓶A(12),所述第一单向阀(6)下方设置有第一ALD手动阀(8),所述第一ALD手动阀(8)底部设置有第一气动阀(10),所述第二单向阀(7)下方设置有第二ALD手动阀(9),所述第二ALD手动阀(9)下方设置有第二气动阀(11),所述防护箱(5)内部设置有底座(14),所述底座(14)上方设置有液压缸(15),所述液压缸(15)上方设置有液压杆(16),所述液压杆(16)上方安装有电动伸缩杆(17),所述电动伸缩杆(17)上安装有推板(18)。2.根据权利要求1所述的一种用于原子层沉积设备进气管路,其特征在于:所述防护箱(5)上设置有开关按钮(19),所述开关按钮(19)通过线缆与...

【专利技术属性】
技术研发人员:张义颖张良雍晓龙何奇
申请(专利权)人:披刻半导体苏州有限公司
类型:新型
国别省市:

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