本发明揭示使用光学检查工具检查极紫外EUV光罩的方法及设备。使用具有定位于成像光瞳处的光瞳滤波器的检查工具从自EUV测试光罩的测试部分反射及散射的输出光束获得测试图像或信号。所述光瞳滤波器经配置以提供所述输出光束中的相位对比度。针对经设...

提取器及提取器系统最小化与初级电子束相互作用且使所述初级电子束降级的次级电子的产生。这可改进例如扫描电子显微镜的电子束系统的性能。所述提取器可包含随着距所述电子束的源的距离的增加而变宽的截头圆锥形孔隙。到所述截头圆锥形孔隙中的入口还可包...

本发明揭示用于将增补输入数据提供到卷积神经网络CNN的系统及方法。在处理器处接收晶片图像。将所述晶片图像划分成各与所述晶片图像中的裸片相关联的多个参考图像。接收测试图像。通过差异化所述测试图像与所述参考图像而产生多个差异图像。将所述参考...

本发明涉及一种扫描式电子显微镜及检验及复检样本的方法，所述扫描式电子显微镜并入多像素固态电子检测器。所述多像素固态检测器可检测反向散射及/或次级电子。所述多像素固态检测器可并入模/数转换器及其它电路。所述多像素固态检测器可能够大致确定入...

本发明呈现用于评估图案化结构的几何特性的方法及系统。更特定来说，根据混合度量方法通过两个或两个以上度量系统测量由一或多个图案化工艺产生的几何结构。将来自一个度量系统的测量结果传送到至少一个其它度量系统以增大接收系统的测量性能。类似地，将...

本发明揭示是关于多模型测量。本发明揭示用于表征半导体晶片上的多个所关注结构的设备及方法。产生具有浮动与固定临界参数的变化的组合及对应所模拟光谱的多个模型。每一模型经产生以基于从未知结构收集的光谱而确定此些未知结构的一个或多个临界参数。基...

本发明揭示一种具有高质量、稳定输出光束及长寿命高转换效率的非线性晶体的激光器。具体的，本发明揭示一种可以低温操作的锁模激光器系统，其可包含退火频率转换晶体及用以在所述低温标准操作期间维持所述晶体的退火状况的外壳。在一个实施例中，所述晶体...

本文呈现用于在入射角AOI、方位角或两者的宽范围内执行半导体结构的同时光谱测量的方法及系统。在不同传感器区域上方以高处理量同时测量包含入射角、方位角或两者的两个或两个以上子范围的光谱。根据AOI、方位角或两者的每一子范围的波长来跨一或多...

本申请涉及用于检查的具有电可控制孔径的传感器及计量系统。通过将更负控制电压施加到像素的电阻式控制栅极的中心区域及将更正控制电压施加到该栅极的端部分实现线性传感器中的像素孔径大小调整。这些控制电压引起该电阻式控制栅极产生电场，该电场将在像...

一种本发明揭示一种用于执行电子显微术的电子光学系统。所述系统包含电子束源，所述电子束源经配置以产生初级电子束。所述系统包含源透镜、聚光透镜及物镜，其沿着光轴安置。所述系统包含：第一维恩滤波器，其沿着所述光轴安置；及第二维恩滤波器，其沿着...

本申请涉及用于光罩的时变强度图的产生。本发明揭示用于检验光学光刻光罩的方法及设备。界定光罩的多个片块区。在于任何光学光刻过程中使用光罩之前，在第一检验期间使用光学光罩检验工具来针对多组一或多个片块区中的每一组获得对应于从所述光罩的每一片...

在可具有顶部晶片及载体晶片的接合晶片周围的位置处分析晶片边缘剖面图像。基于所述晶片边缘剖面图像产生偏移曲线。基于所述偏移曲线确定所述顶部晶片到所述载体晶片的位移。可在所述晶片周围的多个位置处产生所述晶片边缘剖面图像。所述晶片边缘剖面图像...

一种用于产生且实施经编程缺陷的系统包含光刻工具，所述光刻工具经配置以在样本上形成包含第一阵列图案及第二阵列图案的多图案结构。所述第一阵列图案或所述第二阵列图案含有经编程缺陷以将所述第一阵列图案与所述第二阵列图案区分开。所述系统包含度量工...

本文中描述用于发现掩埋于三维半导体结构内的所关注缺陷DOI及配方优化的方法及系统。通过存储与受测量的所述半导体结构的总深度的一子组相关联的图像而减小经受缺陷发现及验证的半导体晶片的体积。记录与一或多个聚焦平面或聚焦范围处的缺陷位置相关联...

本发明提供用于检测光罩上的缺陷的系统及方法。一种系统包含：(若干)计算机子系统，其包含一或多个图像处理组件，其获取由检验子系统针对晶片产生的图像；主用户接口组件，其将针对所述晶片及所述光罩产生的信息提供到用户且接收来自所述用户的指令；及...

本发明揭示一种方法，其包含：接收一或多组晶片数据；从所述一或多组晶片数据中的一或多个层中的一或多个形状识别一或多个基元；将所述一或多个基元中的每一者分类为特定基元类型；识别所述一或多个基元中的每一者的一或多个基元特性；产生所述一或多个基...

本发明提供一种用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于所述经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。基于单组参数而动态地调谐所述经调制晶片的裸片的敏感度。此外，依据现有所确定的参数特定标称工艺窗而确定用于所述经调制晶片的所述工...

通过计算多层晶片的跨层差异图像而提供光学检验工具的差异图像中的噪声减少。使用第一晶片层的第一晶片图像及第二晶片层的第二晶片图像。所述第一晶片图像及所述第二晶片图像在所述多层晶片上的相同平面位置处，但它们是不同层及/或在不同工艺步骤之后的...

本发明提供具有增强性能的光刻系统及方法，其基于在打印工具中更广泛地利用集成型计量工具以依更复杂及经优化方式来处置所述系统中的计量测量。揭示额外操作通道，使得所述集成型计量工具能够关于所述打印工具的指定时间限制而监测及/或分配通过所述集成...

本申请涉及非线性光学晶体的钝化。供在检查工具中使用的非线性光学晶体的钝化包含：在存在氟、氟化物离子及含氟化物化合物中的至少一者的情况下生长非线性光学晶体；机械地制备所述非线性光学晶体；对所述非线性光学晶体执行退火过程；及将所述非线性光学...