【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体相关申请案本申请案主张2016年11月21日提出申请的美国临时专利申请案第62/425,029号的权益,所述美国临时专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及经调制晶片的检验,且更特定来说涉及经调制晶片的敏感度调谐及工艺窗表征。
技术介绍
当前,可通过将晶片上的目标裸片与晶片上的参考裸片进行比较而检测晶片中的缺陷。检验系统通过出于比较目的而拍摄目标及参考裸片的图像来实现此。特定来说,检测缺陷通常涉及执行两个单独比较来产生两个单独结果,一个比较是在目标裸片与参考裸片中的一者之间,且另一比较是在目标裸片与参考裸片中的另一者之间。两个单独比较结果之间的任何类似性通常用作裸片中的缺陷的指示符。接着使用所检测缺陷作为用于考核晶片的设计(例如,确定系统地易于出现缺陷的设计区)且进一步用于表征由用以制作晶片的制造工具使用的工艺窗(例如,制造工具在设计规格内制作晶片的参数)的基础。现有技术图1展示晶片的传统布局,所述晶片在列102中具有多个目标裸片,每一目标裸片是由参数(例如,聚焦(F)及曝光(E))值的不同组合调制(即,放大)的相同图案,且所述晶片进一步在位于目标裸片的列的两侧上的列104、106中具有多个参考裸片并且每一参考裸片是所述相同图案的标称(即,未经调制)版本。因此,针对列102中的目标裸片中的任何特定一者,可使用来自列104的参考裸片及来自列106的参考裸片来检测特定目标裸片中的缺陷(参见框108)。尽管将参考裸片展示为邻近于目标裸片,但此未必总是如此 ...
【技术保护点】
1.一种存储计算机程序产品的非暂时性计算机可读媒体,所述计算机程序产品具有可由处理器执行以执行方法的代码,所述方法包括:针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域;基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描;获得所述第一缺陷扫描的结果;依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间,针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗;依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间,针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗;基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗;基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描;获得所述第二缺陷扫描的结果;依据所述第二缺陷扫描的所述结果,确定用于所述晶片的最终工艺窗。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.21 US 62/425,029;2017.11.14 US 15/813,0041.一种存储计算机程序产品的非暂时性计算机可读媒体,所述计算机程序产品具有可由处理器执行以执行方法的代码,所述方法包括:针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域;基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描;获得所述第一缺陷扫描的结果;依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间,针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗;依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间,针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗;基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗;基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描;获得所述第二缺陷扫描的结果;依据所述第二缺陷扫描的所述结果,确定用于所述晶片的最终工艺窗。2.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述属性空间包含缺陷极性。3.根据权利要求2所述的非暂时性计算机可读媒体,其中使用亮缺陷及暗缺陷来追踪所述缺陷极性。4.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中使用缺陷的多项式拟合来确定所述第一标称工艺窗。5.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中使用缺陷的多项式拟合来确定所述第二标称工艺窗。6.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述至少两个参数包含聚焦参数及曝光参数。7.根据权利要求5所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述第一参数为聚焦参数且所述第二参数为曝光参数。8.根据权利要求7所述的非暂时性计算机可读媒体,其中基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的所述预测工艺窗包含:使用所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗进行降取样,使得所述预测工艺窗包含具有在所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗两者内的经调制参数的裸片。9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述第一关心区区域是所述最终关心区的子部分。10.一种方法,其包括:针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域;基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描;获得所述第一缺陷扫描的结果;依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间,针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗;依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间,针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗;基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗;基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描;获得所述第二缺陷扫描的结果;依据所述第二缺陷扫描的所述结果,确定用于所述晶片的最终工艺窗。11.一种系统,其包括:处理器,其用于:针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域;基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描;获得所述第一缺陷扫描的结果;依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间,针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗;依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间,针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗;基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗;基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描;获得所述第二缺陷扫描的结果;依据所述第二缺陷扫描的所述结果,确定用于所述晶片的...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·C·欧兰,A·马修尔,K·吴,E·希夫林,
申请(专利权)人:科磊股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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