科磊股份有限公司专利技术

科磊股份有限公司共有1155项专利

  • 减少裸片内检验中由所关注图案POI图像配准及POI附近设计图案所引发的噪声。通过接近配准目标的共现将POI分组成若干对准群组。使用接近配准目标的所述共现来配准所述对准群组。执行通过表决进行配准,此可测量所述所关注图案中的每一者是离群值的...
  • 一种用于确定用于对准测量的样本图的系统包含计量工具及控制器。所述控制器定义包含多个测量位置的全取样图。所述控制器引导所述计量工具针对多个样本在所述全取样图的每一测量位置处测量对准以产生参考对准数据集,且所述控制器产生各自为所述全取样图的...
  • 本发明提供用于设计计量目标及相对于例如线性质(例如,线边缘粗糙度LER)的随机噪声来估计计量度量值的不确定性误差的方法。可通过具有对应目标的CDSEM(临界尺寸扫描电子显微镜)或光学系统,从所述线性质的分析及计量测量的不确定性误差导出目...
  • 一种计量系统包含通信地耦合到计量工具的控制器。所述控制器可:产生样本的三维模型;基于所述三维模型产生对应于运用所述计量工具对所述样本进行的经预测分析的经预测的计量图像;评估用于从所述一或多个经预测的计量图像提取计量测量的两个或两个以上候...
  • 本发明揭示一种光刻系统,其包含照明源、一或多个投影光学元件及图案掩模。所述照明源包含一或多个照明极。所述图案掩模包含以一节距周期性分布的一组焦点敏感式掩模元件,其中所述组焦点敏感式掩模元件经配置以衍射来自所述一或多个照明极的照明。所述节...
  • 本发明揭示一种多柱扫描式电子显微镜SEM系统,其包含柱组合件,其中所述柱组合件包含第一衬底阵列组合件及至少一第二衬底阵列组合件。所述系统还包含源组合件,所述源组合件包含:两个或两个以上照明源,其经配置以产生两个或两个以上电子束;及两组或...
  • 在本文中描述用于控制照射射束光点大小以达成对不同大小的计量目标的透射式小角度X射线散射测量T‑SAXS测量的方法及系统。X射线照射光学器件子系统包含:一或多个聚焦光学元件,其具有在固定位置处的物平面及像平面;及一或多个照射孔径或狭缝,其...
  • 本发明公开一种用于测量半导体装置上的掩埋缺陷的三维校准结构。所述三维校准结构包含具有一或多个经编程表面缺陷的缺陷标准晶片DSW。所述三维校准结构包含沉积于所述DSW上的平坦化层。所述三维校准结构包含沉积于所述平坦化层上的层堆叠。所述层堆...
  • 在本文中呈现用于执行包含大于二微米的紫外线、可见光和红外线波长的半导体结构的光谱测量的方法和系统。光谱测量系统包含组合照明源,所述组合照明源包含第一照明源和第二照明源,所述第一照明源产生紫外线、可见光和近红外线波长(小于二微米的波长),...
  • 本文中描述用于检测晶片表面上的颗粒缺陷,将所述颗粒转化为光谱活性状态,且通过光谱技术来识别所述经活化的颗粒的材料组成的方法及系统。颗粒缺陷是通过化学处理、热处理、光化学处理或其组合转化,使得经活化的颗粒展现可光谱观察的原子振动带。在一个...
  • 可通过减少多射束检验系统的照明路径中的库仑效应来改进多电子束系统的性能。具有多个孔的射束限制孔径可位于电子束源与多透镜阵列之间,例如无场区域中。所述射束限制孔径经配置以减少所述电子束源与所述多透镜阵列之间的库仑相互作用。具有所述射束限制...
  • 本发明涉及一种工艺控制系统,其可包含控制器,其经配置以:在当前层的光刻步骤之后,从显影后检验ADI工具接收ADI数据;在所述当前层的曝光步骤之后,从蚀刻后检验AEI工具接收AEI叠加数据;运用ADI数据及AEI叠加数据来训练非零偏移预测...
  • 本发明提供散射测量术叠加目标以及目标设计及测量方法,其减轻基于衍射的叠加测量中的光栅非对称的效应。目标包括具有取代解析粗节距光栅的亚解析结构的额外单元,且/或包括具有粗节距周期性的交替亚解析结构,以隔离并移除由于光栅非对称所导致的不精确...
  • 本发明揭示用于使用宽带红外辐射测量或检验半导体结构的系统及方法。所述系统可包含照明源,所述照明源包括经配置以产生泵浦光的泵浦源及经配置以响应于所述泵浦光而产生宽带IR辐射的非线性光学NLO组合件。所述系统还可包含检测器组合件及经配置以将...
  • 本系统包含经配置以测量跨衬底的平坦度的双干涉仪子系统。所述系统包含经配置以测量所述衬底的质量的质量传感器。所述系统包含通信地耦合到所述双干涉仪子系统及所述质量传感器的控制器。所述控制器包含一或多个处理器。所述一或多个处理器经配置以执行存...
  • 本发明揭示一种检验系统,其包含:照明源,其产生照明光束;聚焦元件,其将所述照明光束引导到样品;检测器;集光元件,其经配置以将从所述样品发出的辐射引导到所述检测器;检测模式控制装置,其在两个或两个以上检测模式中成像所述样品使得所述检测器基...
  • 本发明展现系统及方法,其用于识别制造例如半导体晶片的产品期间的过程变异。在制造第一产品期间的预定阶段处,使用至少一个成像参数的不同值来获得所述第一产品的区域的图像。接着分析所述图像以产生指示随所述至少一个成像参数而变的对比度变异的所述第...
  • 本公开涉及探针结构、夹具、容置盒、自动化探针替换系统及方法。本发明实施例涉及非磁性的探针结构,包括:载体本体,其具有前侧端、第一侧端、第二侧端及后侧端;前凸部,其从载体本体的前侧端向远离载体本体的方向延伸,前凸部具有一远端用以承载探针,...
  • 本发明揭示一种具有保护罩盖层的发射器,所述保护罩盖层位于所述发射器的外部表面上。所述发射器可具有100nm或更小的直径。所述保护罩盖层包含钌。钌是抗氧化及碳生长的。所述保护罩盖层还可具有相对较低的溅镀率以耐离子腐蚀。所述发射器可为具有电...
  • 本揭露实施例是关于探针检测系统及用于检测半导体元件的方法。根据一实施例的探针检测系统包括:探针;经配置以支撑探针的探针支撑件;经配置以连接探针支撑件的探针调整件;具有第一端及第二端的支架,其经配置以第一端枢接至探针调整件,其中第一端包含...