本发明提供计量方法及模块，其包括：使用相对于相应设置参数及/或计量度量的区域分析来实施配方设置程序及/或计量测量。所述区域分析包括：涉及跨越一或多批中的一或多个晶片的所述设置参数及/或计量度量的空间可变值。晶片区域可为离散或空间连续的，...

边缘夹持器安置在夹盘的外边缘周围。所述边缘夹持器中的每一者包含：指形件，其经配置以围绕一点枢转；接触垫，其经配置以接触所述晶片；以及弯曲部，其安置于所述接触垫与所述指形件之间。所述弯曲部经配置以朝向和远离所述夹盘而弯曲。所述夹盘可使用设...

本发明揭示用于半导体检查及计量的高带宽、混合处理器计算系统的实时作业分发软件架构。为了满足计算需要，成像处理计算机架构可通过改变CPU及GPU的数量而扩展。使用主节点及一或多个工作者节点来界定所述架构，以针对最大处理量并行运行图像处理作...

系统及方法增加晶片的光学检验的信噪比以获得更高检验灵敏度。计算参考图像可最小化测试图像及所述计算参考图像的差异的范数。确定所述测试图像与计算参考图像之间的差异图像。所述计算参考图像包含第二组图像的线性组合。

本发明提供用于对准以不同模态所获取的样品的图像的方法及系统。一种方法包含：获取样品的信息，所述信息包含所述样品的至少第一图像及第二图像。所述第一图像以不同于用于获取所述第二图像的第二模态的第一模态获取。所述方法还包含：将所述信息输入到以...

本文中描述用于在透射小角度X射线散射测量T‑SAXS计量系统中定位样品及特性化入射到所述样品上的x射线束的方法及系统。样品定位系统垂直地定位晶片且使所述晶片在六个自由度中相对于所述x射线照明束主动地定位而不衰减透射辐射。在一些实施例中，...

在本文中呈现用于基于高纵横比半导体结构的x射线散射测量术测量而估计工艺参数、结构参数或两者的值的方法及系统。以制作工艺流程的一或多个步骤来执行X射线散射测量术测量。迅速地且以充分准确度执行所述测量以达成进行中半导体制作工艺流程的合格率改...

本申请涉及一种用于基于图像的测量及基于散射术的叠对测量的信号响应度量。采用各自具有沿相反方向的经编程偏移的两个叠对目标来执行叠对测量。基于零级散射术信号测量叠对误差，且以两个不同方位角从每一目标收集散射术数据。另外，本发明呈现用于基于所...

在利用扫描电子显微镜进行检验或再检测期间可使用来自计量工具的信息。在场内对晶片的计量测量进行内插及/或外推，这形成经修改计量数据。使所述经修改计量数据与来自晶片的检验测量的缺陷属性相关联。基于所述缺陷属性及所述经修改计量数据而产生晶片再...

本文中描述用于通过具有相对小工具占用面积的透射小角度x射线散射测量TSAXS系统表征半导体装置的尺寸及材料性质的方法及系统。本文中描述的所述方法及系统实现适合用于具有减小的光学路径长度的半导体结构的计量的Q空间分辨率。一般来说，所述x射...

本发明描述用于基于训练测量模型的稳固叠加误差测量的方法及系统。从由基于散射测量的叠加计量系统从实验设计DOE晶片收集的原始散射测量数据训练所述测量模型。每一测量位点包含以编程叠加变化及已知工艺变化制造的一或多个计量目标。以已知计量系统变...

本发明涉及一种计量系统，其包含图像装置及控制器。所述图像装置包含光谱可调照明装置及检测器，所述检测器用于基于响应于来自所述光谱可调照明装置的照明而从所述样本发出的辐射产生具有两个或两个以上样本层上的计量目标元件的样本的图像。所述控制器确...

本发明提供用于检测形成于样品上的图案中的缺陷的方法及系统。一个系统包含通过一或多个计算机子系统执行的一或多个组件，且所述组件包含第一基于学习的模型及第二基于学习的模型。所述第一基于学习的模型基于所述样品的设计产生所述图案的仿真轮廓，且所...

本发明提供一种用于从所制造组件识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的系统、方法及计算机程序产品。在使用中，识别从所制造组件检测的多个图案缺陷。另外，基于预定义准则来分析所述图案缺陷中的每一者的属性。此外，从所述分析确定所述多个图案缺陷的第...

本发明揭示一种用于扫描电子显微镜SEM系统的多列组合件。所述多列组合件包含布置成以一或多个间隔界定的阵列的多个电子光学列。每一电子光学列包含一或多个电子光学元件。所述多个电子光学列经配置以表征固定于载台上的样本的表面上的一或多个场区。所...

本发明揭示用于线上部分平均测试及潜在可靠性缺陷辨识或检测的方法及系统。一种线上部分平均测试方法可包含：在晶片制作期间在多个关键步骤处对多个晶片执行线上检验及计量；利用一或多个处理器聚合从线上检验及计量获得的检验结果以针对所述多个晶片获得...

一种系统包含一或多个晶片几何测量工具，所述一或多个晶片几何测量工具经配置以从晶片获得几何测量。所述系统还包含一或多个处理器，所述一或多个处理器与所述一或多个晶片几何测量工具通信。所述一或多个处理器经配置以应用校正模型来校正由所述一或多个...

本发明提供一种用于在具有深堆叠层的晶片中训练及应用缺陷分类器的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。在使用中，获取多个图像，所述多个图像是由检验系统针对由所述检验系统在晶片上检测到的缺陷的位置而产生。所述晶片上的所述位置由多个堆叠层组成，...

一种弱图案识别方法包含：从晶片上的一组图案获取检验数据；识别所述晶片上的失效图案类型；及将所述失效图案类型的相同图案类型分组成图案群组集。所述弱图案识别方法还包含从分组于第一群组中的第一图案类型的多个变化例子获取图像数据，其中在不同条件...

一种工艺控制系统包含控制器，所述控制器经配置以：基于样本的一或多个覆盖参考层产生参考覆盖标志；将所述参考覆盖标志外推到用于曝光所述样本的当前层的一组可校正域以产生全域参考覆盖标志；识别所述组可校正域的一或多个对准域；通过针对所述组可校正...