用于从所制造组件识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的系统、方法及计算机程序产品技术方案

本发明专利技术提供一种用于从所制造组件识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的系统、方法及计算机程序产品。在使用中，识别从所制造组件检测的多个图案缺陷。另外，基于预定义准则来分析所述图案缺陷中的每一者的属性。此外，从所述分析确定所述多个图案缺陷的第一组图案缺陷是系统图案缺陷，且从所述分析确定所述多个图案缺陷的第二组图案缺陷是随机图案缺陷。此外，针对所述经确定系统图案缺陷执行第一动作，且针对所述经确定随机图案缺陷执行第二动作。

Systems, methods and computer program products for systematic and random characterization of pattern defects identified from manufactured components

The invention provides a system, method and computer program product for systematic and random characterization of pattern defects identified from manufactured components. In use, multiple pattern defects detected from the manufactured components are identified. In addition, the attributes of each of the pattern defects are analyzed based on predefined criteria. In addition, it is determined from the analysis that the first group of pattern defects of the plurality of pattern defects is a system pattern defect, and the second group of pattern defects of the plurality of pattern defects is a random pattern defect. In addition, a first action is performed for the determined system pattern defect, and a second action is performed for the determined random pattern defect.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于从所制造组件识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的系统、方法及计算机程序产品相关申请案本申请案主张于2017年4月12日申请的第62/484713号美国临时专利申请案的权益，所述案以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及所制造组件上的图案缺陷，且更特定来说，涉及识别所制造组件上的图案缺陷。
技术介绍
半导体制造的一个方面是识别掩模及晶片两者上的所有图案缺陷，以确保先进装置的足够良率。历史上，焦点曝光矩阵(FEM)及工艺窗验证(PWQ)已经成为用于在掩模已经产生及检验之后识别晶片上的缺陷的过程。然而，经识别的缺陷受限于系统图案缺陷。系统图案缺陷通常发生于给定位置处，且主要归因于经设计图案的弱点或归因于光学接近校正(OPC)或次分辨率辅助特征(SRAF)实施方案的质量。因此，上文提及的过程合理地良好工作以识别图案缺陷，直到引入极紫外光刻(EUV)。归因于EUV的低光子密度，散粒噪声效应导致能够可靠地印刷图案的不确定性，且因此甚至相同图案可能在相同曝光条件下在不同位置处失效。例如，即使使用相同光学接近校正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非暂时性计算机可读媒体，其存储具有可由处理器执行以执行方法的代码的计算机程序产品，所述方法包括：/n识别从所制造组件检测的多个图案缺陷；/n基于预定义准则来分析所述图案缺陷中的每一者的属性；/n从所述分析确定所述多个图案缺陷的第一组图案缺陷是系统图案缺陷，及确定所述多个图案缺陷的第二组图案缺陷是随机图案缺陷；/n针对所述经确定系统图案缺陷执行第一动作；及/n针对所述经确定随机图案缺陷执行第二动作。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170412 US 62/484,713;20170822 US 15/683,6311.一种非暂时性计算机可读媒体，其存储具有可由处理器执行以执行方法的代码的计算机程序产品，所述方法包括：
识别从所制造组件检测的多个图案缺陷；
基于预定义准则来分析所述图案缺陷中的每一者的属性；
从所述分析确定所述多个图案缺陷的第一组图案缺陷是系统图案缺陷，及确定所述多个图案缺陷的第二组图案缺陷是随机图案缺陷；
针对所述经确定系统图案缺陷执行第一动作；及
针对所述经确定随机图案缺陷执行第二动作。


2.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述所制造组件是半导体晶片上的裸片。


3.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中使用极紫外光刻EUV来建构所述所制造组件。


4.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述多个图案缺陷是由以下步骤识别：
接收从所述所制造组件检测的多个缺陷的指示，
按图案类型将所述多个缺陷分组，其中每一群组表示所述多个图案缺陷的不同图案缺陷。


5.根据权利要求4所述的非暂时性计算机可读媒体，其中从检测来自所述所制造组件的所述多个缺陷的检测系统接收从所述所制造组件检测的所述多个缺陷的所述指示。


6.根据权利要求4所述的非暂时性计算机可读媒体，其进一步包括从所述多个缺陷收集所述图案缺陷中的每一者的所述属性。


7.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述属性包含失效频率、位置分布及焦点/曝光或其它调制条件。


8.根据权利要求1所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述预定义准则包含与特定于所述图案缺陷的图案内的缺陷的位置的分布相关联的第一准则。


9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述第一准则使用检测所述缺陷的系统的缺陷位置准确度DLA作为阈值。


10.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述预定义准则包含与特定于所述图案缺陷的所述图案内的缺陷频率相关联的第二准则。


11.根据权利要求10所述的非...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·帕克，M·E·普里尔，A·J·克罗斯，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US