科磊股份有限公司专利技术

科磊股份有限公司共有1155项专利

  • 本文中提出用于执行半导体结构的非对称特征的光谱测量的方法及系统。在一个方面中,按两个或更多个方位角执行测量以确保对任意定向的非对称特征的敏感度。在波长上对与对非对称性敏感的一或多个非对角线穆勒矩阵元素相关联的光谱求积分以确定一或多个光谱...
  • 一种叠加计量系统包含可配置以运用多个配方来产生叠加信号的叠加计量工具,且进一步将照明光束引导至叠加目标,并响应于所述照明光束的至少一部分而收集从所述叠加目标发散的辐射,以运用特定配方来产生所述叠加信号。所述叠加计量系统进一步使用两个或多...
  • 本发明提供用于检测样品上的缺陷且对所述缺陷进行分类的方法及系统。一种系统包含由一或多个计算机子系统执行的一或多个组件。所述一或多个组件包含神经网络,所述神经网络经配置以检测样品上的缺陷且对在所述样品上检测到的所述缺陷进行分类。所述神经网...
  • 本发明描述用于测量样品同时通过旋转偏光器元件来主动稳定经受偏光变化的光学测量光束的方法及系统。通过基于聚焦测量光束点的测量而主动控制光束路径中的光学元件的位置来补偿由旋转偏光器元件诱发的所述聚焦测量光束点的移动。可采用反馈及前馈两种控制...
  • 本文中描述用于利用干净、硬性的X射线照射源的基于x射线的半导体计量的方法及系统。更具体来说,激光产生的等离子体光源产生具有在25,000到30,000电子伏特的范围中的能量的高亮度、硬性的x射线照射。为实现高亮度,将高度聚焦、极短持续时...
  • 本发明提供用于训练以学习为基础的缺陷分类器的方法及系统。一种方法包含使用包含经识别所关注缺陷DOI及经识别扰乱点的缺陷的训练集训练以学习为基础的缺陷分类器。所述训练集中的所述DOI及扰乱点包含在至少一个训练晶片及至少一个检验晶片上识别的...
  • 本发明提供用于识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷DOI的方法及系统。一种方法包含获取由在测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具产生的针对所述晶片的计量数据。在一个实施例中,所述测量点是在于所述晶片上检测所述缺陷之前且独立于...
  • 本文中呈现用于装置上结构的较高效X射线散射测量术测量的方法及系统。对测量区上方的一或多个结构的X射线散射测量术测量包含将所述一或多个结构分解成多个子结构、将所述测量区分解成多个子区或进行所述两个操作。独立地模拟所述经分解结构、测量区或两...
  • 本发明提供计量模块及工具中可应用的方法,其实现相对于工艺变化调整计量测量参数而不重启计量配方设置。方法包括:在初始计量配方设置期间,记录计量过程窗且从其导出基线信息;及在操作期间,相对于所述基线信息量化所述工艺变化,且相对于所述经量化工...
  • 本文中所揭示的方法及系统可测量半导体中的薄膜堆叠,例如光栅上膜及光栅上带隙。例如,所述薄膜堆叠可为1D膜堆叠、2D光栅上膜或3D光栅上膜。为所述膜堆叠创建一或多个有效介质分散模型。每一有效介质分散模型可替代一或多个层。可使用基于有效介质...
  • 本发明揭示用于确定临界尺寸CD测量或检验的位置的系统及方法。可执行基于临界尺寸变化的潜在影响实时选择进行临界尺寸测量的位置。还可使用半导体装置的设计以预测可受临界尺寸变化影响的位置。基于可包含排名或临界性的有序位置列表,可在选定位置处测...
  • 揭示提供例如包含一或多个金属线的半导体图像的图像中的干扰减少的方法及系统。潜在缺陷与两个垂直轴线的像素灰阶强度图相关。沿所述两个轴线确定所述潜在缺陷相对于例如金属线的图案的位置。所述潜在缺陷可分类为所关注缺陷或干扰事件。
  • 本发明提供可基于设计图案的关键性以及工艺窗合格PWQ的缺陷属性来选择缺陷的技术。基于工艺条件及设计的类似性来将缺陷分类成数个类别。可对随机缺陷执行基于形状的分组。可将基于设计的最高分组分数赋予储格,接着将所述储格分类。可从所述储格选择特...
  • 磁枪透镜及静电枪透镜可用于电子束设备且可有助于在扫描电子显微镜、检查及/或检验使用中为所有可用电子束电流提供高分辨率。提取射束可使用所述磁枪透镜通过射束限制孔径而导引在晶片处。所述电子束还可在所述电子束通过所述射束限制孔径之后通过静电枪...
  • 本申请实施例涉及一种计量学目标的极化测量及对应的目标设计。本发明提供目标、目标元件及目标设计方法,其包括将目标结构设计为具有相对于其在极化光中的背景的高于特定对比度阈值的高对比度,同时具有相对于其在非极化光中的背景的低于所述特定对比度阈...
  • 可使用来自裸片的参考来对相同裸片执行透明或半透明晶片上的缺陷检测。基于核心大小来确定例如移动平均数的第一计算值。通过从像素强度减去所述第一计算值来确定第一差值。将具有高于阈值的第一差值的候选像素分类。基于核心大小来确定例如局部中位数的第...
  • 本发明提供系统及方法,其从至少一个计量成像目标中的每一ROI(所关注区域)的经分析测量计算叠加错位误差估计,且将所述经计算叠加错位误差估计并入在对应叠加错位估计中。所揭示实施例提供可以连续方式集成到计量测量过程中且此外依据叠加错位评估目...
  • 在特性化工具的操作期间原位钝化非线性光学NLO晶体包含:经由非线性光学NLO晶体将选定波长的激光束转换成谐波波长的经转换激光束,且在转换成所述谐波波长的所述经转换激光束期间钝化所述NLO晶体。
  • 本发明涉及具有反射光电阴极阵列的光电倍增管(PMT)。具体的,提供一种光电倍增管PMT的具有反射光电阴极阵列的内部部分及一种用于制造所述内部部分的方法。所述PMT的所述内部部分包括所述反射光电阴极阵列及对应于所述反射光电阴极阵列的至少一...
  • 本申请实施例涉及光谱光束轮廓计量。根据一实施例的光谱光束轮廓计量系统同时检测在大波长范围及大入射角AOI范围内的测量信号。一方面,多波长照明光束在由高数值孔径物镜投射到样品上之前被重新塑形成窄线形状的光束。在与所述样品相互作用之后,收集...