科磊股份有限公司专利技术

科磊股份有限公司共有1155项专利

  • 本发明揭示一种用于分析样本的系统,其包含:照明源,其中多个传输光纤经光学耦合到所述照明源;及检测器,其中多个接收光纤经光学耦合到所述检测器。所述系统进一步包含经耦合到所述多个传输光纤的相应者及所述多个接收光纤的相应者的多个探针。所述多个...
  • 本发明提供用于基于形状计量的晶片位置评分的方法及系统。一种方法包含针对晶片上的至少两个位置选择基于形状的分组SBG规则。针对所述晶片位置中的一者,所述选择步骤包含使用所述一个位置的计量数据修改所述晶片的设计中的几何基元之间的距离且基于所...
  • 本发明实施例是关于计算上高效的基于X射线叠盖测量系统与方法。基于在多个不同入射角及方位角下测量的每一x射线衍射级内的强度变化而估计计量目标的不同层之间的叠盖误差。所述对叠盖的估计涉及使共同级的强度调制参数化,使得低频率形状调制由一组基函...
  • 一种系统包含控制器,所述控制器具有一或多个处理器及经配置以存储一或多组程序指令的存储器。所述一或多个处理器经配置以执行所述一或多组程序指令。所述一或多组程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:对半导体晶片图应用滤波;将所述经滤波半导体晶...
  • 本发明涉及自动化图案保真度测量计划产生。具体的,本发明提供用于确定将对样品执行的计量过程的参数的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统,所述一或多个计算机子系统经配置以用于基于针对所述样品的设计而自动产生将在对所述样品执行的计量过...
  • 本发明揭示一种系统,其包含控制器,所述控制器具有经配置以执行在存储于存储器中的一或多个程序指令集中体现的自相关模块的处理器。所述自相关模块经配置以引起所述处理器:接收一或多个图案化晶片几何结构度量;从一或多个特性化工具接收晶片特性化数据...
  • 一种用于提供针对性召回的系统包含:计量子系统,其用于在一或多个制作步骤之后对半导体裸片执行在线测量以产生在线测量分布曲线;故障分析子系统,其用于确定出故障裸片的制造指纹;及控制器。所述计量子系统可进一步在一或多个封装步骤之后执行所述半导...
  • 本文中呈现用于基于可重复使用参数模型而产生基于纳米线的半导体结构的测量模型的方法及系统。采用这些模型的计量系统经配置以测量与纳米线半导体制作过程相关联的结构及材料特性(例如,结构及膜的材料组成、尺寸特性等)。基于纳米线的半导体结构的所述...
  • 基于自动编码器的半监督方法用于异常检测。可使用这些方法发现半导体晶片上的缺陷。模型可包含变分自动编码器,例如包含梯形网络的变分自动编码器。无缺陷或干净图像可用于训练所述模型,所述模型随后用于发现缺陷或其它异常。
  • 本发明提供用于选择用于检验样品的模式的方法及系统。一种方法包含确定在样品上所检测到的所关注缺陷DOI与扰乱在检验子系统的一或多个模式中的可分离性如何。使用所述模式针对所述DOI及所述扰乱的可分离性来选择所述模式的子集以用于检验相同类型的...
  • 本发明提供用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的方法及系统。一种方法包含:通过以第一入射角及第二入射角将光引导到晶片而检测所述晶片上的缺陷;及基于与所述缺陷对应的输出而确定所述缺陷在所述晶片上的位置。对于在针对在所述光以所述第一角...
  • 一种半导体计量工具检验半导体晶片的区域。所述经检验区域包含在至少一个维度上周期性地布置的3D半导体结构的多个例子。计算机系统基于在所述检验期间收集的测量产生所述3D半导体结构的相应例子的模型。所述计算机系统呈现展示所述模型的3D形状的所...
  • 可基于半导体晶片的图像中的像素将所述图像中的缺陷分类为初始缺陷类型。可从电子数据存储单元检索与所述缺陷类型相关联的临界尺寸均匀性参数。可基于所述临界尺寸均匀性参数量化所述缺陷的缺陷率水平。还可基于临界尺寸属性、形貌属性或对比度属性来将缺...
  • 本发明揭示一种系统,其包含:光源,其用于产生照射射束;及照射透镜系统,其用于朝向样本引导所述照射射束。所述系统进一步包含:收集透镜系统,其用于响应于所述照射射束而朝向检测器引导来自所述样本的输出光;及检测器,其用于从所述样本接收所述输出...
  • 本发明提供用于训练用于低分辨率图像中的缺陷检测的神经网络的方法及系统。一个系统包含:检验工具,其包含高分辨率成像子系统及低分辨率成像子系统;及一或多个组件,其包含高分辨率神经网络及低分辨率神经网络。所述系统的计算机子系统经配置用于产生缺...
  • 本文中描述用于改进测量配方的方法及系统,所述测量配方描述经采用以表征半导体结构的测量序列。在完全执行由先前测量配方定义的测量队列之前重复地更新测量配方。在一些实例中,经改进测量配方识别在满足测量不确定性要求的同时增加晶片吞吐量的最小测量...
  • 本发明揭示产生用于临界尺寸均匀性测量的所关注区域的过程。可使用基于历史数据或坐标的图案描述作为输入。可确定所关注图案,且接着可确定所关注区域。可将指令发送到晶片检验工具以使半导体晶片上的所述所关注区域成像。
  • 当无缺陷实例可用或仅有限数目个缺陷实例可用时,可确定用来检测缺陷的最佳光学检验模式。可使用电磁模拟在多个位点处且针对多种模式确定所关注缺陷的信号。可在所述多个位点及所述多种模式的每一组合下确定所述所关注缺陷的所述信号对噪声的比率。可基于...
  • 本发明提供用于使用合成缺陷图像训练机器学习模型的方法及系统。一种系统包含由一或多个计算机子系统执行的一或多个组件。所述一或多个组件包含图形用户接口GUI,所述GUI经配置用于将样品的一或多个图像及图像编辑工具显示给用户且用于从所述用户接...
  • 本发明使得半导体制造商能够更准确地确定本来会被忽略的缺陷的存在。本发明可体现为用于新颖缺陷发现的系统、方法或设备。本发明可包括:在扰乱筛选器中设置扰乱格区;将缺陷群体划分成缺陷群体分区;将所述缺陷群体分区分段成缺陷群体区段;从所述缺陷群...