【技术实现步骤摘要】
计算上高效的基于X射线的叠盖测量系统与方法分案申请信息本申请是申请日为2016年4月28日、申请号为201680021678.5、专利技术名称为“计算上高效的基于X射线的叠盖测量系统与方法”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请案交叉参考本专利申请案依据35U.S.C.§119主张于2015年4月28日提出申请的标题为“用于使用X射线计量技术来测量半导体装置叠盖的无模型方法及设备(Model-FreeMethodandApparatusforMeasuringSemiconductorDeviceOverlayUsingX-rayMetrologyTechniques)”的第62/154,108号美国临时专利申请案的优先权,所述申请案的标的物以其全文引用的方式并入本文中。
所描述实施例涉及计量系统及方法,且更明确地说涉及用于经改进测量准确度的方法及系统。
技术介绍
通常通过适用于样品的一系列处理步骤来制作例如逻辑及存储器装置的半导体装置。通过这些处理步骤形成半导体装置的各种特征及多个结构层级。 ...
【技术保护点】
1.一种叠盖计量目标,其包括:/n第一结构,其安置于在平面衬底的表面上方的第一高度处制作的第一层中;及/n第二结构,其安置于在所述平面衬底的所述表面上方的第二高度处制作的第二层中,使得所述第二结构在平行于所述平面衬底的所述表面的第一方向上与所述第一结构偏移达第一叠盖参数值,/n其中所述第一结构、所述第二结构或这两者是不对称的,且其中所述叠盖计量目标使来自多个不同入射角及多个不同方位角的入射x射线辐射衍射,使得与多个衍射级中的每一x射线衍射级相关联的所测量强度被调制。/n
【技术特征摘要】
20150428 US 62/154,1081.一种叠盖计量目标,其包括:
第一结构,其安置于在平面衬底的表面上方的第一高度处制作的第一层中;及
第二结构,其安置于在所述平面衬底的所述表面上方的第二高度处制作的第二层中,使得所述第二结构在平行于所述平面衬底的所述表面的第一方向上与所述第一结构偏移达第一叠盖参数值,
其中所述第一结构、所述第二结构或这两者是不对称的,且其中所述叠盖计量目标使来自多个不同入射角及多个不同方位角的入射x射线辐射衍射,使得与多个衍射级中的每一x射线衍射级相关联的所测量强度被调制。
2.根据权利要求1所述的叠盖计量目标,其进一步包括:
第三结构,其安置于在所述平面衬底的所述表面上方的第三高度处制作的第三层中,使得所述第三结构在平行于所述平面衬底的所述表面的所述第一方向上与所述第一结构及所述第二结构分别偏移达第二叠盖参数值及第三叠盖参数值,其中所述第一高度与所述第二高度之间的第一间隔距离、所述第一高度与所述第三高度之间的第二间隔距离及所述第二高度与所述第三高度之间的第三间隔距离为相互不同的独立距离。
3.根据权利要求1所述的叠盖计量目标,其中所述第一结构为周期性的且具有第一周期性,且其中所述第二结构为周期性的且具有第二周期性,其中所述第一周期性及所述第二周期性经选择使得与所述第一结构相关联的第一衍射级数以相长方式与所述第二结构相关联的第二衍射级数干涉。
4.根据权利要求3所述的叠盖计量目标,其中所述第一结构的所述周期性的方向与所述第二结构的周期性的方向对准。
5.根据权利要求1所述的叠盖计量目标,其中所述第一结构为周期性的且具有第一周期性,且其中所述第二结构为周期性的且具有第二周期性,其中所述第一周期性是固定值的第一整数倍数且所述第二周期性是所述固定值的第二整数倍数。
6.根据权利要求1所述的叠盖计量目标,其中所述第一结构、所述第二结构或这两者是非周期性的。
7.根据权利要求1所述的叠盖计量目标,其中所述叠盖计量目标是设计规则目标。
8.根据权利要求1所述的叠盖计量目标,其中所述叠盖计量目标安置在裸片中。
9.根据权利要求1所述的叠盖计量目标,其中所述第一结构在平行于所述平面衬底的平面表面的至少一个方向上是空间周期性的。
10.根据权利要求1所述的叠盖计量目标,其中所述第一结构、所述第二结构或这两者在两个方向上是空间周期性的。
11.根据权利要求10所述的叠盖计量目标,其中所述两个方向是正交的。
12.一种叠盖计量目标,其包括:
第一结构,其安置于在平面衬底的表面上方的第一高度处制作的第一层中;及
第二结构,其安置于在所述平面衬底的所述表面上方的第二高度处制作的第...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·亨奇,A·舒杰葛洛夫,M·贝克曼,
申请(专利权)人:科磊股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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