This application relates to passivation of non-linear optical crystals. Passivation of non-linear optical crystals for use in inspection tools includes: growth of non-linear optical crystals in the presence of at least one of fluoride, fluoride ions and fluoride-containing compounds; mechanical preparation of the non-linear optical crystals; annealing of the non-linear optical crystals; and exposure of the non-linear optical crystals to hydrogen or deuterium-containing passivating gases. \u3002
【技术实现步骤摘要】
非线性光学晶体的钝化本申请是申请日为2014年04月10日，申请号为“201480025680.0”，而专利技术名称为“非线性光学晶体的钝化”的申请的分案申请。相关申请案的交叉参考本申请案涉及且主张来自以下所列举申请案(“相关申请案”)的最早可用有效申请日期的权益(例如，主张除临时专利申请案以外的最早可用优先权日期或依据35USC§119(e)主张临时专利申请案、相关申请案的任一及所有母案、前代母案、前二代母案等的权益)。相关申请案：出于USPTO非法定要求的目的，本申请案构成美国临时专利申请案的正式(非临时)专利申请案，所述美国临时专利申请案标题为“由氢钝化的NLO晶体性质(NLOCRYSTALPROPERTIESBYHYDROGENPASSIVATION)”，专利技术人称作弗拉基米尔德里宾斯基(VladimirDribinski)及永和亚历克斯庄(Yung-HoAlexChuang)，于2013年4月10日提出申请，申请案号为61/810,605。
本专利技术涉及非线性光学材料的领域，且特定来说，涉及一种用于钝化非线性光学晶体以纠正晶体缺陷的系统及方法。本...
【技术保护点】
1.一种用于钝化非线性光学NLO晶体的晶体缺陷的方法，其包括：从含有氟化锂或氟化铯中的至少一者的熔体中生长基于硼酸盐的非线性光学晶体，其中所述基于硼酸盐的非线性光学晶体包括硼酸铯CBO或硼酸铯锂CLBO中的至少一者；及用钝化气体钝化所述基于硼酸盐的非线性光学晶体，其中所述钝化气体包括低氧气体，所述低氧气体包含与氢、氘、含氢化合物或含氘化合物中的至少一者混合的一或多种惰性气体。
【技术特征摘要】
2013.04.10 US 61/810,605;2014.04.08 US 14/248,0451.一种用于钝化非线性光学NLO晶体的晶体缺陷的方法，其包括：从含有氟化锂或氟化铯中的至少一者的熔体中生长基于硼酸盐的非线性光学晶体，其中所述基于硼酸盐的非线性光学晶体包括硼酸铯CBO或硼酸铯锂CLBO中的至少一者；及用钝化气体钝化所述基于硼酸盐的非线性光学晶体，其中所述钝化气体包括低氧气体，所述低氧气体包含与氢、氘、含氢化合物或含氘化合物中的至少一者混合的一或多种惰性气体。2.根据权利要求1所述的方法，其中从含有氟化锂或氟化铯中的至少一者的熔体中生长所述基于硼酸盐的非线性光学晶体包括：从含有氟化锂或氟化铯中的至少一者的熔体中生长所述基于硼酸盐的非线性光学晶体，其中液体的氟、氟离子或含氟化合物浓度中的至少一者在所述熔体的硼浓度的5％至20％之间。3.根据权利要求1所述的方法，其中从含有氟化锂或氟化铯中的至少一者的熔体中生长所述基于硼酸盐的非线性光学晶体包括：搅拌所述熔体。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括机械地制备所述基于硼酸盐的非线性光学晶体。5.根据权利要求4所述的方法，其中机械地制备所述基于硼酸盐的非线性光学晶体包括：切割所述基于硼酸盐的非线性光学晶体以实现选定形状、选定大小或选定晶体定向中的至少一者。6.根据权利要求4所述的方法，其中机械地制备所述基于硼酸盐的非线性光学晶体包括：抛光所述基于硼酸盐的非线性光学晶体。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括述对所述基于硼酸盐的非线性光学晶体执行退火过程。8.根据权利要求7所述的方法，其中对所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的所述退火过程包括：使所述基于硼酸盐的非线性光学晶体达到低于所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的熔融温度的选定温度；及使所述基于硼酸盐的非线性光学晶体维持处于所述选定温度。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述使所述基于硼酸盐的非线性光学晶体达到低于所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的熔融温度的选定温度包括：将所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的温度升高到所述选定温度；或将所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的所述温度升高到一或多个中间温度，使所述基于硼酸盐的非线性光学晶体维持处于所述一或多个中间温度达一或多个选定时段，且将所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的所述温度升高到所述选定温度。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述选定温度在200℃到400℃的范围内。11.根据权利要求7所述的方法，其中所述对所述基于硼酸盐的非线性光学晶体执行退火过程包括：在存在一或多种惰性气体的情况下对所述基于硼酸盐的非线性光学晶体执行退火过程。12.根据权利要求1所述的方法，其中用钝化气体钝化所述基于硼酸盐的非线性光学晶体包括：将所述基于硼酸盐的非线性光学晶体暴露于暴露室中所容纳的所述钝化气体；通过流体耦合到所述暴露室的钝化气体源将所述钝化气体供应到所述暴露室的内部部分。13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将所述基于硼酸盐的非线性光学晶体暴露于钝化气体，所述钝化气体包括选定浓度的氢、氘、含氢化合物或含氘化合物中的至少一者。14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将所述基于硼酸盐的非线性光学晶体暴露于钝化气体，所述钝化气体包含与一或多种选定浓度的惰性气体混合的氢、氘、含氢化合物和含氘化合物中的至少一者。15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：以选定速率将所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的所述温度从退火温度降低到环境温度。16.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：经由一或多个选定吸收带监测所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的钝化程度。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述经由一或多个选定吸收带监测所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的钝化程度包括：经由在红外光谱范围、可见光谱范围或紫外光谱范围中的至少一者中的一或多个选定吸收带监测所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的钝化程度。18.根据权利要求16所述的方法，其中所述经由一或多个选定吸收带监测所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的钝化程度包括：通过测量所述一或多个选定吸收带的指示所述基于硼酸盐的非线性光学晶体中的OH键的丰度的一或多个特性而监测所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的钝化程度。19.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：经由一或多个选定吸收带监测所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的水含量。20.根据权利要求19所述的方法，其中所述经由一或多个选定吸收带监测所述基于硼酸盐的非线性光学晶体的水含量包括：经由在红外光谱范围、可见光谱范围和紫外光谱范围中的至少一者中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉基米尔·德里宾斯基，勇霍·亚历克斯·庄，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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