科磊股份有限公司专利技术

科磊股份有限公司共有1155项专利

  • 本发明公开一种用于在样本上界定柔性区域的系统。所述系统包含经配置以获取一或多个割幅图像的检验系统。所述系统包含通信地耦合到所述检验系统的控制器,所述控制器经配置以:基于所述一或多个割幅图像产生一或多个中值参考裸片(MRD)图像;基于所述...
  • 本发明涉及一种用于量化计量对过程变动的敏感性的方法,其包含:通过计量工具对定位于半导体晶片上的至少一个位点处的至少一个计量目标执行计量,借此产生计量景观;及直接基于所述计量景观计算敏感性度量,所述敏感性度量量化所述计量景观对在制造所述半...
  • 本发明公开一种晶片曝光方法,其从预定测量位点处的晶片结构获得临界尺寸值。获得用于形成所述晶片结构的曝光工艺的位置相依工艺参数。从所述测量位点处的所述临界尺寸值确定预设模型及至少一个进一步模型的系数。每一进一步模型在至少一项上不同于所述预...
  • 本文中呈现了用于与半导体结构的基于经断层摄影解析的图像的测量相关联的经改进正则化的方法及系统。本文中所描述的正则化基于捕获已知工艺变化的受约束体素模型的测量数据及参数化。基于简化几何模型、工艺模型或者两者来确定所述受约束体素模型,从而表...
  • 将光束从光源引导于卡盘上的晶片处。从所述晶片反射所述光束朝向2D成像相机。所述光束的路径中的可移动聚焦透镜可独立地改变照明共轭及集光共轭。可使用照明路径中的结构化掩模且可引导所述光束穿过所述结构化掩模中的孔径。使用所述2D成像相机产生晶...
  • 本申请实施例涉及用于半导体检验及计量的线扫描刀口高度传感器。所述刀口镜定位于所述从所述晶片反射的光的焦点处,使得所述刀口镜上的反射膜经配置以阻挡所述从所述晶片反射的光中的至少一些光。当所述从所述晶片反射的光欠焦或过焦时,受阻挡的光部分会...
  • 本发明涉及一种制造集成电路的方法和系统。该方法包括:根据第一晶圆上的第一组叠加标记获得量测数据,所述第一组叠加标记设置于所述第一晶圆上的第一区域;根据第一模型以及所述量测数据获得第一参数组;将所述第一参数组投影到第二晶圆上的第二区域以获...
  • 本发明涉及一种制造集成电路的方法及系统。所提出的方法包括:根据与晶圆上第一组标记相关联的第一量测数据及第一补偿数据、以及与所述晶圆上第二组标记相关联的第二量测数据及第二补偿数据而计算损失值;以及经由调整与所述第一补偿数据及所述第二补偿数...
  • 本发明揭示一种多柱扫描式电子显微镜SEM系统,其包含柱组合件,其中所述柱组合件包含第一衬底阵列组合件及至少一第二衬底阵列组合件。所述系统还包含源组合件,所述源组合件包含:两个或两个以上照明源,其经配置以产生两个或两个以上电子束;及两组或...
  • 本发明公开一种用于缓解由真空紫外(VUV)曝光对光学元件引起的损坏的系统。所述系统包含经配置以产生VUV的光源及容纳所选择的分压的一或多种气态氟基化合物的室。所述系统包含一或多个光学元件。所述一或多个光学元件定位于所述室内且暴露于所述一...
  • 在半导体晶片的图像中确定关注区域。基于与所述关注区域相关联的设计文件中的多边形的形状将所述关注区域划分为次关注区域。接着,针对所述次关注区域执行直方图的噪声扫描。基于所述直方图的所述噪声扫描将所述次关注区域聚类成群组。注区域聚类成群组。...
  • 计算用于半导体裸片的图案化层的光学成像的上下文属性。计算所述上下文属性包含计算所述图案化层的图案与多个核心的相应核心的卷积,其中所述多个核心是正交的。根据所述上下文属性寻找所述半导体裸片上的缺陷。下文属性寻找所述半导体裸片上的缺陷。下文...
  • 本发明公开一种光罩检验系统,其可包含用于产生两组或更多组检验图像来特性化光罩的两个或更多个检验工具,其中所述两个或更多个检验工具包含提供所述光罩的检验图像的至少一个光罩检验工具。所述光罩检验系统可进一步包含控制器,其用于使来自所述两组或...
  • 本文中呈现用于从采用低原子序数低温标靶的激光生成等离子体(LPP)产生X射线照明的方法及系统。将经高度聚焦短持续时间激光脉冲引导到低原子序数经低温冻结标靶,从而点燃等离子体。在一些实施例中,标靶材料包含具有小于19的原子序数的一或多种元...
  • 一种计量工具可包含:照射源,其用以产生照射射束;射束整形器,其包含用以将所述照射射束引导到样本的可调整光学元件;及至少一个测量通道,其用以基于来自所述样本的经反射光而产生剪切干涉图,其中在所述可调整光学元件处于默认配置中且所述样本的顶部...
  • 本文中呈现用于从采用液膜喷射标靶的激光产生等离子体(LPP)产生X射线照明的方法及系统。将经高度聚焦短持续时间激光脉冲引导到液膜喷射标靶。所述经聚焦激光脉冲与所述膜喷射标靶的相互作用点燃等离子体。在一些实施例中,液膜喷射由会聚毛细管喷嘴...
  • 本发明提供用于检测样品上的缺陷的方法及系统。一种系统包含第一深度学习(DL)网络,所述第一DL网络经配置以用于从在样品上检测到的缺陷候选者对滋扰进行滤波。所述第一DL网络的输出包含所述缺陷候选者中未作为所述滋扰被滤波的第一子集。所述系统...
  • 将经渲染图像与扫描电子显微镜(SEM)图像对准以产生经对准经渲染图像。将参考图像与所述SEM图像对准以产生经对准参考图像。还生成阈值概率图。所述SEM图像及经对准参考图像的动态补偿可产生经校正SEM图像及经校正参考图像。可生成阈值缺陷图...
  • 本发明公开一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统。所述系统包含经配置以通信地耦合到特性化子系统的控制器,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令引起所述一或多个处理器:引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检测;基于...
  • 本发明公开一种光电倍增管(PMT)检测器组合件,其包含PMT及模拟PMT检测器电路。所述PMT包含经配置以响应于吸收光子而发射一组初始光电子的光电阴极。所述PMT包含具有多个二次射极的二次射极链。所述二次射极链经配置以接收所述组初始光电...