用于减少极紫外图案掩模上的可印缺陷的系统及方法技术方案

本发明专利技术公开一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统。所述系统包含经配置以通信地耦合到特性化子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检测；基于第一特性及第二特性产生成本函数，所述第一特性包括由掩模图案暴露的缺陷区域的面积，所述第二特性包括设计图案的图案复杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。控制信号。控制信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减少极紫外图案掩模上的可印缺陷的系统及方法
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张名叫杨晓春(Xiaochun Yang)、维克拉姆
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托拉尼(Vikram Tolani)及张尧(Yao Zhang)的专利技术者在2019年10月10日申请的标题为“极紫外光掩模坯料缺陷优化的快速方法(FAST METHOD FOR EXTREME ULTRAVIOLET PHOTOMASK BLANK DEFECT OPTIMIZATION)”的第62/913,659号美国临时申请案的优先权，所述案的全文以引用方式并入本文中。


[0003]本专利技术大体上涉及用于光刻系统中的图案掩模且更特定来说，涉及一种用于使用成本函数减少EUV图案掩模上的可印缺陷的系统及方法。

技术介绍

[0004]极紫外光刻(EUVL)仍是用于下一代光刻的领先技术。然而，EUVL面临的一个关键挑战是掩模坯料缺陷率。EUV掩模是包含钼及硅的若干交替层的布拉格(Bragg)反射器。设计图案以吸收层的形式放置于此多层反射器的顶部上。在掩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统，其包括：控制器，其经配置以通信地耦合到特性化子系统，其中所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检测以产生所述掩模坯料中的一或多个缺陷的缺陷图；基于第一特性及第二特性产生成本函数，其中所述第一特性包括所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的缺陷暴露面积，其中所述第二特性包括缺陷区域内的设计图案的图案复杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：确定指示所述经调整掩模坯料对于所述设计图案的良好程度的一或多个度量。3.根据权利要求2所述的系统，其中所述一或多个度量包含在0到1之间的分数，其中更接近1的分数指示具有所述设计图案的所述经调整掩模坯料更可能缓解所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：将一裕度添加到所述掩模坯料中的所述一或多个缺陷的大小，其中所述裕度的所述添加经配置以将所述一或多个缺陷定位成与设计图案的一或多个边缘相距所选择的距离。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述掩模坯料的所述旋转及平移进一步经配置以避免将所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷放置于具有高复杂性的设计图案下方。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计图案的所述图案复杂性由所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的所述缺陷区域中的图案临界尺寸及所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的所述缺陷区域中的小临界尺寸图案的密度确定。7.根据权利要求1所述的系统，其中使用一或多个缺陷区域与所述设计图案的暴露区域的重叠面积确定所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的所述缺陷暴露面积。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述非线性优化程序包含约束二次近似优化(BOBYQA)。9.根据权利要求1所述的系统，其中所述掩模坯料包含极紫外坯料掩模。10.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计图案经打印于所述经调整掩模坯料上以产生所述图案掩模，其中所述图案掩模包含极紫外图案掩模，所述极紫外图案掩模包含多层反射器部分及吸收层。11.一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统，其包括：控制器，其经配置以通信地耦合到特性化子系统，其中所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检测以产生所述掩模坯料中的一或多个缺陷的缺陷图；基于第一特性及第二特性产生成本函数，其中所述第一特性包括所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的缺陷暴露面积，其中所述第二特性包括缺陷区域内的设计图案的图案复
杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；确定指示所述掩模坯料对于所述设计图案的良好程度的一或多个度量；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值或指示所述掩模坯料对于所述设计图案的良好程度的所述一或多个度量的至少一者产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。12.根据权利要求11所述的系统，其中所述一或多个度量包含在0到1之间的分数，其中更接近1的分数指示具有所述设计图案的所述经调整掩模坯料更可能缓解所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷。13.根据权利要求11所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：将一裕度添加到所述掩模坯料中的所述一或多个缺陷的大小，其中所述裕度的所述添加经配置以将所述一或多个缺陷定位成与设计图案的一或多个边缘相距所选择的距离。14.根据权利要求11所述的系统，其中所述掩模坯料的所述旋转及平移进一步经配置以避免将所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷放置于具有高复杂性的设计图案下方。15.根据权利要求11所述的系统，其中所述设计图案的所述图案复杂性由所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的所述缺陷区域中的图案临界尺寸及所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的所述缺陷区域中的小临界尺寸图案的密度确定。16.根据权利要求11所述的系统，其中使用一或多个缺陷区域与设计图案的暴露区域的重叠面积确定所述掩模坯料上的所述一或多个缺陷的所述缺陷暴露面积。17.根据权利要求11所述的系统，其中所述非线性优化程序包含约束二次近似优化(BOBYQA)。18.根据权利要求11所述的系统，其中所述掩模坯料包含极紫外坯料掩模。19.根据权利要求11所述的系统，其中所述设计图案经打印于所述经调...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓春，V，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：