一种绝缘基材的原料，其具有优异的机械性能、尺寸稳定性、耐热性、阻燃性等，并且尤其是在燃烧时因能够保持外形而表现出优异的阻燃效果。用来制备该绝缘基材的原料含有１００重量份的热塑性树脂或其与热固性树脂的混合物，以及含有０．１到１００重量份的...

本发明的目的是提供连接性可靠的涂布颗粒。本发明提供了涂布颗粒，它含有作为核心的有金属表面的颗粒，是用有机化合物通过能够结合于金属的官能团（Ａ）对所述核心颗粒进行部分表面修饰所得的。

一种脱模薄膜，其是在印刷布线基板、柔性印刷布线基板或者多层印刷布线基板的制造工序中使用的脱模薄膜，其特征在于，至少在一侧表面上具有由树脂组合物构成的层，所述树脂组合物以在主链上具有极性基的树脂为基体，且卤素的含量小于等于５重量％。

本发明提供不仅可以提供力学物性、尺寸稳定性以及耐热性优异的成型品，而且在固化后也可以保持固化前赋形的形状的热固性树脂组合物、使用该热固性树脂组合物构成的基板用材料以及基板用膜。该组合物含有１００重量份的热固性树脂、和０．１～１００重量份...

本发明提供一种热塑性树脂组合物，使用该组合物可以得到在赋型后加热时也可以保持赋型的形状，且尺寸稳定性和耐热性优异的成型制品。该组合物含有热塑性树脂１００重量份和分散在热塑性树脂中的无机化合物０．１～１００重量份，且加热到热塑性树脂的玻璃...

本发明提供一种树脂组合物、使用该树脂组合物形成的预浸料、固化体、片状成型体、层叠板及多层层叠板，上述树脂组合物含有环氧类树脂和无机填料，例如在其固化物表面形成第二个层时，固化物与第２个层的粘附性或粘接性得到了提高。本发明的树脂组合物含有...

本发明提供一种利用大气压附近的压力条件下的ＣＶＤ法在基板（Ｓ）的表面形成氧化膜的装置，具备供给由ＴＭＯＳ、ＭＴＭＯＳ等含硅气体构成的原料气体（Ａ）、由Ｏ↓［２］、Ｎ↓［２］Ｏ等氧化性气体构成的反应气体（Ｂ）这样的２成分工艺气体的工艺气体...

本发明在被处理物为大型的情况下，也能够以简单的结构进行表面处理。用第一单元１１Ｌ和第二单元１１Ｒ构成表面处理装置１的处理头１０。在这些单元１１中，用于喷出处理气体的喷出口３４沿第一方向延伸。第一方向与使被处理物移动的第二方向正交。两个单...

本发明提供一种硅的蚀刻方法，其可以提高硅的蚀刻速度。在该蚀刻方法中，在含有氟且不具有与硅的反应性的作为氟系原料的ＣＦ↓［４］中，添加露点成为１０℃～４０℃的量的水；使得到的低露点氟系原料通过大气压附近的等离子空间（２６），这样，生成含有...

等离子处理装置Ｍ１装有用于支撑一对长条电极（３０）的处理部分（２０）。处理部分（２０）设有多个拉动螺栓（５２）（用于阻止靠近变形的装置），在电极（３０）纵向上相互隔开地排列螺栓（５２）。拉动螺栓（５２）的头部通过螺栓支架（５３）钩住刚性...

一种等离子处理设备，通过绝缘件（４１）设置在朝向具有传导件（５１）的电极（３１、３２）的工件Ｗ的侧面上。绝缘件（４１）夹在电极（３１、３２）和传导件（５１）之间。绝缘件（４１）的介电常数和厚度设置为以便施加到绝缘件（４１）和传导件（５１...

为了解决电极的库仑力所导致的弯曲量并在用于具有较大区域的工件的等离子处理装置中获得均匀的表面处理。本发明提供的等离子处理装置的电极结构（３０Ｘ）包括左右延伸的一对电极排（３１Ｘ、３２Ｘ）并在前后方向上彼此相对。各电极排包括侧向以并排关系...

在等离子处理中，按照得到稳定的放电和较高的输出效率的方式设定给电极之间供电的供电频率的范围。在等离子处理装置中，设置有由对电源电压进行升压的变压器（２２）的二次线圈（２２ｂ），和相互对置的一对电极（１１）、（１２）组成的电极电路（１）。...

在用于将处理气体通过孔排比如狭缝喷射到有待处理的物体的表面的处理设备中，即使该孔排很短，具有大面积的物体的表面也可以被有效地处理。多个电极板（１１，１２）被并排地设置于等离子表面处理设备（Ｍ）的处理器（１）上。狭缝状的孔排（１０ａ）形成...

本发明提出了一种等离子加工设备，其中电极与壳体之间的绝缘得到提高，并可以从外部控制电极的温度。固体电介质（５０）形成在电极（３０）的放电空间形成表面上。电极（３０）以在放电空间形成表面上的固体电介质（５０）被露出的方式放置在壳体（２０）...

一种等离子加工设备，其中防止了由电极与固体电介质之间热膨胀差引起的电弧放电的出现。加工单元（１０Ｌ、１０Ｒ）的壳体（２０）的底部开口，并使用固体电介质板（５０）关闭，且电极（３０）容纳在壳体（２０）内，且电极（３０）在纵向方向上是自由的...

一种等离子加工装置，其中加工气体在圆环形内电极（１１）和圆环形外电极（２１）之间被等离子化。热导内温度调节部件（５０）通过螺栓（７）挤压在内电极（１１）的内周面上。热导外温度调节部件（６０）通过螺栓（８）挤压在外电极（２１）的外周面上。...

一种等离子加工装置及其电极结构，其中内介质通道（１７）形成在圆环形内电极（１１）的内周面（１２ａ）和容纳在电极（１１）中的圆环形内通道形成部件（１５）之间。圆环形第一密封部件（１８）置于电极和部件（１５）的上圆周侧面之间。圆环形第二密封...

一种等离子加工装置和方法，其中吹送部件（１５２）设置有吹风口（Ｉａ’），该吹风口的尺寸小到不允许吹送的气流被直接地吹送到晶片Ｗ的部分上，该晶片Ｗ的部分比晶片Ｗ的外边缘更位于晶片的中心侧并且不进行等离子加工。吸入件（１５１）设置有与吹送部...

为了提供能够容纳待加工物品的面积的增加、并且能够在开始正常等离子放电时确保适当的加工的大气压等离子加工设备。在一种大气压等离子加工设备中，台（２０）的第一台部分（２１）的第一金属表面（２１ａ）被暴露，并且由电介质材料组成的待加工物品（Ｗ...