积水化学工业株式会社专利技术

积水化学工业株式会社共有2036项专利

  • 本发明的目的在于,提供一种导电层难以破裂、耐冲击性提高、基材微粒与导电层的粘附性出色的导电性微粒,以及使用了该导电性微粒的各向异性导电材料。本发明是一种由基材微粒和在所述基材微粒的表面上形成的导电层构成的导电性微粒,该导电性微粒的特征在...
  • 本发明提供一种导电性微粒,由该导电性微粒制成的各向异性导电材料以及导电连接方法,该导电性微粒特别是在用于等离子体显示屏时,连接电阻低,连接时的容许电流大,可以通过加热防止迁移,连接可靠性高。本发明涉及导电性微粒2,其通过非电解镀覆法依次...
  • 提供质子传导性膜及其制造方法,以及使用所述传导性膜的燃料电池。所述膜是具有由硅氧键产生的交联结构的交联性质子性膜,其特征在于:在该质子传导性膜中具有(a)与多个硅氧交联共价结合并且含有碳原子的有机无机复合结构体(A)和(b)与硅氧交联共...
  • 一种具有耐热性和耐化学性、且甚至在高温下也稳定发挥作用的膜电极集合体,该膜电极集合体通过连接气体扩散电极到质子导电膜的两表面上制得,其特征在于质子导电膜和气体扩散电极被连接在一起的膜电极连接部分含有三维交联结构,该交联结构包含金属-氧键...
  • 本发明的目的在于提供柔软性、在高湿度下对树脂基材的粘合性、耐热性、热分解性、耐湿性、韧性优良且氧透过率低、具有适度的粘合性、形成溶液时粘度低、粘度的经时稳定性优良的改性聚乙烯醇缩醛树脂,以及使用它的粘合剂组合物、油墨、涂料组合物、热显影...
  • 本发明旨在提供一种具有优异的耐热性、尺寸稳定性、燃料屏蔽性、挠性等,并且即使在高温下也表现出优异质子传导率的质子传导膜,制造该膜的方法,以及能够在高温下稳定运行的燃料电池,本发明的质子传导膜包含填充有质子传导结构体(β)的载体,所述的质...
  • 本发明的目的是解决传统聚合物电解质燃料电池具有的问题,并且提供质子传导膜、制备该质子传导膜的方法和使用该质子传导膜的燃料电池,所述质子传导膜表现出优异耐热性、优异质子传导性,并且即使在高温下它也具有高的尺寸稳定性。本发明的质子传导膜是具...
  • 本发明提供透明性高、不会由发光元件的发热或发光造成膜减薄或变色、耐热性及耐光性优良并且与罩壳材料等的密合性优良的光半导体用热固化性组合物;使用了它的光半导体元件用密封剂;光半导体元件用固晶(die bond)材料;以及使用该光半导体用热...
  • 提供一种常压等离子处理方法及其装置,是在大气压附近压力下,在一对相对电极的至少一个相对面上设置固体电介质,在该一对相对电极之间导入处理气体并在电极间施加电场,使得到的等离子体与被处理物体接触处理被处理物体的方法,其特征在于从该等离子体与...
  • 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法,其中,可以防止晶片受损,能够改善处理晶片的容易程度,因此,即使晶片的厚度极度降低至约50μm,也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法,其至少包括:用支撑胶带将晶片固定在支撑...
  • 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下,通过靠激发而降低粘结力的粘结片,在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面,使半导体晶片W的背面(10)露出,对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(1...
  • 一种在常温下具有优良的处理性,夹隔在发热体和放热体之间,具有较高的柔软性,并且可以与发热体及放热体密接,有效地将从发热体中产生的热量向放热体传导,并且即使温度上升,也可以保持密接的状态的放热用构件及利用该放热用构件将发热体和放热体连接而...
  • 一种在等离子体的作用下在基材表面上形成膜的等离子体成膜设备,包括:    (A)包含所述膜的原材料的第一种气体供应源;    (B)第二种气体供应源,它由等离子体放电引起以达到激发状态、但是不包含能形成到膜形式中的组分;    (C)与...
  • 等离子加工装置的喷嘴头(NH)包括:环形内保持器(3);围绕内保持器(3)的环形内电极(11);围绕内电极的环形外电极(21);以及围绕外电极(21)的环形外保持器(4)。内保持器(3)设有多个螺栓(7),所述螺栓以间距周向安置并用于径...
  • 本发明提供一种除去抗蚀剂的方法,至少包括:使臭氧溶液作用于处理面的工序1、和使有机溶剂作用于处理面的工序2。由此,本发明可以提供能够高效率地除去基板表面的抗蚀剂的除去抗蚀剂的方法和除去抗蚀剂的装置。
  • 一种包含加工头3的等离子体表面加工设备。加工头3包括其上设置有第一种流道50a的电场施加电极51和其上设置有第二种流道50b的接地电极52,通过在电极51、52之间施加电场产生等离子体放电。加工头3的下表面与基材W平行相对。在加工头3的...
  • 本发明目的在于提供一种能在不导致破损的情况下以高生产率得到半导体芯片的半导体芯片的制造方法。本发明的半导体芯片的制造方法,其中包括:在形成有电路的半导体晶片上粘贴切割用粘合带的粘合带粘贴工序,所述切割用粘合带具有含通过光照产生气体的气体...
  • 均匀氧氮化物和氮化物膜可通过不依赖于的氮化时间或氮化温度的低温和高速氮化反应而形成。将固体电介质在300(托)或更高的压力下提供在相互相对的一对电极的至少一个相对表面上,将包含等于或低于0.2%的氧化物的氮气引入所述一对相对电极之间的空...
  • 本发明提供一种可以以高生产率制造厚50μm以下例如25~30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。本发明至少包括:使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合,将所述晶片...
  • 为了提高移除例如晶片的基板(90)的外周部上的不需要物质的效率,以及为了防止颗粒粘附到所述基板(90)上,提出本发明。反应性气体从喷射喷嘴(75)以如此方式朝向所述基板(90)的所述外周部的目标点(P)喷射出,即当从与所述基板(90)正...