等离子加工装置及其电极结构制造方法及图纸

一种等离子加工装置及其电极结构，其中内介质通道（１７）形成在圆环形内电极（１１）的内周面（１２ａ）和容纳在电极（１１）中的圆环形内通道形成部件（１５）之间。圆环形第一密封部件（１８）置于电极和部件（１５）的上圆周侧面之间。圆环形第二密封部件（１９）置于部件（１５）的底部平坦表面（１５ｂ）和电极（１１）的凸缘部分（１３）之间。电极（１１）和部件（１５）的底部圆周侧面大致相互面对，并且没有任何插入间隙。内电极１１经作为气体通道的间隙（ｌｐ）被圆环形外电极（２１）包围，在气体通道中加工气体被等离子化。外介质通道（２７）形成在电极（２１）的外周面（２２ａ）和圆环形外通道形成部件（２５）之间。第三和第四密封部件（２８，２９）分别置于电极（２１）和部件（２５）之间。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子加工装置和方法，其中诸如工件(将被处理的物体) 蚀刻、化学蒸汽沉积(CVD)、清洗、灰化、表面改性等的不同的表面处理 通过等离子化加工气体并将被等离子化的气体施加到诸如半导体晶片的 工件上而进行。
技术介绍
例如，半导体晶片是通过使用旋涂机等的沉积过程(薄膜形成过程) 进行蚀刻过程。旋涂机是用于在半导体晶片上形成诸如绝缘薄膜和光致抗 蚀剂薄膜的薄膜的装置。半导体晶片被旋转，液体材料被落到晶片的上表 面(前表面)的中心部分上，这样液体材料通过离心力在整个表面上扩展。 通过这样做，薄膜不仅覆盖晶片的上表面的整个表面(内侧面积)，而且 覆盖上表面的外边部分和外端表面。如果允许此薄膜占据晶片的外边，这 将是在诸如用于保持外边的过程总产生微粒的一个原因。此外，由于液体 流的阻力的缘故，薄膜在晶片的外边上的厚度比在主要区域上更大。这不 仅导致在对薄膜表面抛光时的不方便，而且导致由于剥离所导致的污染。在根据PE-CVD和LP-CVD的沉积的情况下，薄膜厚度在薄膜的外边很少 变大，但是有可能在晶片的外边在传输的过程中意外的接触时而产生裂 纹，这样导致污染。 '在本专利技术的先本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子加工装置中的电极结构，其中加工气体被等离子化，被等离子化的气体被施加到工件，其中　　　　所述电极结构包括：　　　　用于等离子化所述加工气体的电极，以及　　　　设置相邻于所述电极的通道形成部件，　　　　所述电极和所述通道形成部件的相对表面限定介质通道，用于允许进行温度调节的介质从其中通过，　　　　设置在所述相对表面之间的第一和第二密封部件，所述第一和第二密封部件以在其间夹持所述介质通道的方式沿着所述介质通道延伸，　　　　所述电极、通道形成部件、第一和第二密封部件都具有环形结构，　　　　所述电极的外周表面和通道形成部件设置至少作为所述相对表面的一部分，　　　　所述介质通道被形成在所述外周...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野上光秀，宫本荣司，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]