氧化膜形成方法及氧化膜形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种利用大气压附近的压力条件下的ＣＶＤ法在基板（Ｓ）的表面形成氧化膜的装置，具备供给由ＴＭＯＳ、ＭＴＭＯＳ等含硅气体构成的原料气体（Ａ）、由Ｏ↓［２］、Ｎ↓［２］Ｏ等氧化性气体构成的反应气体（Ｂ）这样的２成分工艺气体的工艺气体供给源（３Ａ）、（３Ｂ）、放电处理部（１）。通过对工艺气体（Ａ）不进行放电处理，而在基板表面附近混合到用放电处理部１进行了放电处理的工艺气体（Ｂ）中，从而在常压下的ＣＶＤ法中，用较快的成膜速度形成膜质.覆盖性良好的氧化膜。另外，如果混合进行了放电处理或未进行放电处理的Ｈ↓［２］Ｏ则更为理想。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用大气压附近的压力条件的化学气相生长法(CVDChemical Vapor Deposition)，在基板的表面形成氧化膜的氧化膜形成方法及实施它的氧化膜形成装置。
技术介绍
作为在硅晶片、电子电路基板等的基板的表面形成硅氧化膜(SiO2)的方法，以往主要采用使用四甲氧基硅烷(TMOS:Si(OCH3)4)及氧(O2)的低压等离子体CVD法、使用四乙氧基硅烷(TEOS:Si(OC2H5)4)及臭氧(O3)的常压热CVD法。但是，这些氧化膜形成方法中，如果要使膜质及覆盖性中中的任一项良好，则有很多需要改善的地方。考虑到此点，在特公平08-6181号公报(以下称为专利文献1。)中，将TEOS和低浓度的臭氧气体的混合气体在基板表面与高浓度的臭氧气体混合，另外，在特开平08-306683号公报(以下称为专利文献2。)中，公布有通过将TEOS和臭氧气体和H2O气体的混合气体向基板表面吹送而进行成膜，来形成水分、氢、碳等的含量较少并且覆盖性良好的含硅绝缘膜的方法。另外，在特开2001-144084号公报(以下称为专利文献3。)中，公布有通过将TMOS和氧化性气体等离子体化而进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化膜形成方法，是利用大气压附近的压力条件的ＣＶＤ法在基板的表面形成氧化膜的方法，其特征是，使用原料气体（Ａ）、反应气体（Ｂ）这样的２成分工艺气体，对该２成分的工艺气体（Ａ）、（Ｂ）当中的工艺气体（Ｂ）进行放电处理，使未进行放电处理的工艺气体（Ａ）在基板表面附近合流、混合到进行了该放电处理的工艺气体（Ｂ）中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：江口勇司，中岛节男，伊藤巧，川崎真一，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]