【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及向被处理物喷出处理气体，进行被处理物的清洗、表面改 性、蚀刻、抛光、成膜等表面处理的装置，包括等离子体表面处理装置或热CVD装置等。尤其，涉及在等离子体处理中，将被处理物配置于电极 间空间的外部，朝向其喷出在电极间形成的等离子体的所谓的远程式等离 子体处理装置。
技术介绍
在液晶面板等平板显示器的制造领域等中，近年来，被处理物处于大 型化的倾向，表面处理装置也寻求针对大型被处理物的应对。在专利文献1、 2中记载了设置两列将多个电极与长边方向平行地排 列而成的电极列，在这些两个电极列之间形成了间隙状放电空间的等离子 体表面处理装置。即使各电极短，也能够将间隙状放电空间设成与大型被 处理物的宽度尺寸对应的长度。通过将用该间隙状放电空间等离子体化的 处理气体喷到被处理物，能够一次性处理被处理物的整个宽度。被处理物 在与电极的长边方向(间隙状放电空间的延伸方向)正交的方向上被输送。在专利文献3、 4中记载了将多个电极在与长边方向正交的方向上排 列而成的电极模块沿所述长边方向设置前后两级的技术。在给电极模块的 相邻的电极之间形成间隙状放电空间。前级的电极模块...
【技术保护点】
一种表面处理装置，其将处理气体喷到被处理物的表面而处理该表面，其特征在于，具备： 第一单元，其具有用于喷出所述处理气体的第一孔列，该第一孔列在第一方向上延伸； 第二单元，其具有用于喷出所述处理气体的第二孔列，该第二孔列在与所述第一孔列相同的方向上延伸； 移动机构，其使所述被处理物相对于所述第一、第二单元，在与所述第一方向正交的第二方向上相对移动，其中 所述第一单元和第二单元配置为，相互在所述第一方向上错开，且在所述第二方向上错开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：日野守，今井克广，竹内裕人，中森勇一，高桥英则，屋代进，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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