本发明公开了一种陶瓷覆铜基板表面化学镀银退镀方法；所述制备工艺包括以下步骤：S1：取陶瓷覆铜基板，镀银；S2：挑选不良品，进行退镀；S3：将退镀后的陶瓷覆铜基板进行水洗，中和，再水洗，烘干后，准备镀银。所述退镀包括以下步骤：S1：配置退...

本发明提供了一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法，包括如下步骤：酸性除油，然后微蚀胶涂敷于铜片表面，光照固化，5

本发明提供一种铜片表面处理方法，使用喷砂工艺对铜片进行处理，将金刚砂悬浊液高速喷射到铜表面，以改变铜面表面形貌，消除铜片在加工过程中的条纹状缺陷；在去除铜表面缺陷(杂质、油渍、污渍、氧化)的同时，也能在铜片表面形成一定的粗糙度，为后工序...

本实用新型涉及一种半导体基板激光切割固定治具，包括半导体基板激光切割固定治具，包括承载平台，内部中空，底部设置斜坡，该斜坡最低端设置有防尘滤嘴，该防尘滤嘴与治具外的真空吸引机构连接；固定夹具组，均匀设置在承载平台的四周，包括升降固定夹具...

本实用新型公开了一种陶瓷成型用流延机，包括料浆箱、刮刀、热风干燥器、基台、膜带；还包括设置于基台两侧上表面的承载基体，承载基体位于膜带下表面；所述基台中间干燥段上设有干燥驱动辊及干燥从动辊；所述干燥驱动辊及干燥从动辊可使膜带在热风干燥器...

本实用新型涉及半导体技术领域。一种3D结构陶瓷基板，包括一瓷片，还包括固定在瓷片上方的3D结构的上金属层；上金属层包括不同厚度的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，第一金属层、第二金属层以及第三金属层厚度递减；第三金属层位于瓷片中央区...

本发明涉及半导体技术领域。一种提高覆铜陶瓷基板邦定性能的方法，包括以下步骤：步骤一，覆铜陶瓷基板置入插板架内，放入反应腔；步骤二，反应腔抽真空；步骤三，反应腔通氩气以及氢气；步骤四，电极放电形成等离子体，对覆铜陶瓷基板表面进行清洁；步骤...

本发明提供一种双层铜片氧化治具，包括上矩形框架和下矩形框架，上矩形框架和下矩形框架通过两个侧板连接，两个侧板相对设置，两个侧板上均开设有若干通气孔；一种根据所述氧化治具氧化铜片的氧化方法：将两个待氧化铜片分别放置在双层铜片氧化治具的上矩...

本发明提供了一种陶瓷流延浆料及其制备方法，按重量百分比计，包含30％

本发明提供了提高DCB覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，在DCB覆铜陶瓷基板的制备过程中，增加菲林设计间距并提高腐蚀线速。采用上述技术方案后，通过改善DCB覆铜陶瓷基板的制备工艺，例如通过增加DCB菲林设计间距并提高腐蚀线速，从而减少D...

本发明涉及半导体技术领域。步骤一，真空烧结：将金属片覆盖于活性金属焊料或者活性金属焊片上，在真空环境下加热使金属片钎焊于陶瓷基板表面；步骤二，依次进行贴膜、曝光、显影、蚀刻以及退膜，进而在金属片上形成沟槽；步骤三，金属片蚀刻

本发明涉及覆铝陶瓷绝缘衬板的制备方法，包括：(1)陶瓷金属化层制备，在基板表面形成均匀铝金属化层；(2)表面镀，在高纯铝箔或陶瓷基板表面形成均匀微米级镀层；(3)瞬间液相扩散焊接，陶瓷基板双面贴合高纯铝箔，瞬间液相扩散焊接后得覆铝陶瓷绝...

本发明涉及一种氮化硅陶瓷制备方法，包括：S1)多晶硅铸锭：硅粉形核法定向凝固多晶硅铸锭，将80wt％

本发明涉及改善陶瓷覆铜载板高温烧结后外观不良的方法，包括：A、微蚀，采用硫酸与过硫酸钠混合液对陶瓷覆铜载板进行微蚀并进行溢流水洗，硫酸的浓度为18.4～36.8g/L，过硫酸钠的浓度为20～40g/L；B、喷砂，采用Al2O3质量百分比...

本实用新型涉及机械技术领域。一种激光切割覆铜基板用吸附治具，包括支撑台，支撑台上开设有安装孔以及吸附孔，吸附孔的内壁开设有内螺纹；还包括与吸附孔导通的支撑件以及中央开设有通气孔的中空螺丝，支撑件的中央开设有圆孔，中空螺丝穿过圆孔与吸附孔...

本发明涉及半导体技术领域。一种覆铜陶瓷基板表面缺陷处理的方法，包括以下步骤：步骤一，覆铜陶瓷基板入料，通过皮带输送，需抛刷面朝上；步骤二，覆铜陶瓷基板途径研磨段研磨；研磨段设有陶瓷刷辊以及不织布刷辊；步骤三，覆铜陶瓷基板途径抛刷段抛刷，...

本发明涉及一种减少DCB产品皱皮疙瘩不良的方法，包括如下步骤：A、研磨：采用刷辊对带有皱皮疙瘩的一面进行研磨，速度设置为0.8～1.0m/min，研磨量控制在7～12μm范围内，还原原始铜片表面的光亮，而后经纯水超声清洗去除研磨下来的异...

本发明涉及一种铜片氧化方法，将铜片与陶瓷层键合的一面形成特定厚度的氧化层，另一面不形成氧化层。其中，氧化炉内设置有入口、加温区、冷却区以及出口，加温区包括十个温区，各区温度设置如下：一区550℃、二区650℃、三区680℃、四区720℃...

本实用新型涉及机械技术领域。一种激光切割用覆铜基板翘曲压边吸附治具，包括底板以及载物台，载物台上开设有安装孔以及吸附孔，底板两侧上开设有对称设置的压板卡槽；还包括两个用于下压覆铜陶瓷基板短边两侧边缘的压板，压板的底部活动安装在压板卡槽内...

本发明涉及半导体技术领域。一种氮化铝覆铝陶瓷衬板的制备方法，包括以下步骤：步骤一：氮化铝陶瓷表面改性层制备，制备表面改性溶液，将氮化铝陶瓷浸入到表面改性溶液中，充分润湿后烘干；步骤二：表面改性层固化，将氮化铝陶瓷置于马弗炉中烘烤，在氮化...