本发明涉及一种用于制备超薄钛箔的化学铣切液及铣切方法，该铣切液由下述组分组成：体积分数分别为15％～25％的氢氟酸溶液、1％～3％的硝酸溶液、5％～8％的的冰醋酸溶液，浓度为0.1～0.5g/100mL铣切液的缓蚀稳定剂，余量为纯水。铣...

本发明公开一种氮化铝陶瓷基板表面粗化方法，包括如下步骤：步骤一，通过除油剂和纯水去除氮化铝陶瓷基板表面的油污和杂质，测试氮化铝陶瓷基板的表面粗糙度，依据表面粗糙度的测试结果确定后续化学粗化程度；步骤二，将经步骤一处理过的氮化铝陶瓷基板浸...

本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板表面处理方法，包括如下工序：1)前处理：去除基板表面的油污和杂质后，将其浸没于有机溶剂液中，处理后取出烘干；2)界面偶联剂处理：将经步骤1)处理后的氮化铝陶瓷基板浸没于界面偶联剂和无水乙醇的混合溶液中常温处理...

本发明公开了一种高可靠性氮化硅覆铜陶瓷基板的铜瓷界面结构，自上而下分别为铜，连接层，反应层，氮化硅陶瓷，反应层，连接层和铜；所述反应层是活性金属元素与氮化硅反应形成的活性金属的氮化物，用于实现焊料与氮化硅陶瓷和铜的浸润及连接；所述连接层...

本发明涉及半导体技术领域。一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；步骤三...

本发明涉及半导体加工技术领域。一种无需刻蚀的AMB直接成型方法，包括如下步骤：步骤一，使用精雕机在铜片的图案周边雕刻出凹槽；步骤二，使用丝网印刷、涂覆或覆膜设备在铜片上需要键合的区域涂装钎焊材料；步骤三，将铜片与瓷片对位固定；步骤四，真...