本发明涉及一种DPC覆铜陶瓷基板表面金属化方法，A、基板前处理：对陶瓷基板进行除油清洗、酸性微蚀、热风烘干；B、基板表面摩擦焊：在旋转摩擦焊机上进行，采用钛合金高温搅拌头，在惰性气体气氛下，通过高速旋转将钛合金涂焊在基板表面。其中，旋转...

本实用新型涉及半导体技术领域。一种覆铜基板可组装包装盒，包括可拆卸连接的下支撑板以及上支撑板，所述下支撑板呈开口向上的槽体，所述上支撑板呈现开口向下的槽体，所述下支撑板以及上支撑板围成一左右两端开口的置物槽；所述上支撑板以及下支撑板的外...

本实用新型涉及机械技术领域。一种激光加工移取覆铜陶瓷基板用真空吸盘，包括气嘴，还包括一吸气胶垫，吸气胶垫为EVA泡沫，吸气胶垫可拆卸的套设在气嘴的外围，且吸气胶垫的前端超出气嘴的前端；以吸气胶垫的前端为用于吸附工件的吸附端；气嘴的材质为...

本实用新型涉及一种与芯片热膨胀相匹配的覆铜陶瓷基板，包括位于中间的至少两层陶瓷层、贴敷在陶瓷层上下表面的焊料结合层、以及设置在焊料层上的铜层。其中，相邻两层陶瓷层之间通过连接层连接，铜层与陶瓷层的铜瓷厚度比为0.10～0.20，焊料结合...

本发明涉及半导体技术领域。一种DCB覆铜基板制备方法，包括如下步骤：步骤一，真空扩散焊：将清洗后的金属薄片以及铜片叠放在一起，真空条件下进行扩散焊，形成金属薄片与铜片焊接相连的组合体；步骤二，组合体表面清洗；步骤三，干法氧化：在氮气保护...

本实用新型公开了一种用于DBC基板印刷阻焊时的治具，包括可固定于DBC基板印刷阻焊工作台面上的治具板，所述治具板上开设有一个长方形的凹槽；所述DBC基板包括中间层的陶瓷基板和上下两层的铜片基板，所述陶瓷基板的长度和宽度对应的大于铜片基板...

本实用新型公开了一种覆铜陶瓷基板烧结夹层冷却板。一种覆铜陶瓷基板烧结夹层冷却板，包括冷却芯体，冷却芯体中40％‑100％的区域为泡沫铜制成的散热层；还包括设置在冷却芯体中央处的上下两侧的陶瓷隔板，陶瓷隔板与冷却芯体固定连接；竖直状态下，...

本实用新型公开了一种用于DBC基板激光打孔时固定基板的治具，包括治具本体，所述治具本体为方形，治具本体中心开设有镂空的方形凹槽使得治具本体为方形框体，所述凹槽的上下左右四面中的三面对应的方形框体处加工有凹陷的台阶面，凹槽的第四面对应的方...

本发明涉及一种覆铜陶瓷基板，烧结前包括位于中间的陶瓷层、位于陶瓷层上下两面的焊料层、贴附在焊料层上的应力缓冲层以及贴附在应力缓冲层上的金属铜层。应力缓冲层为金属片，毛面朝向焊料层、光面朝向金属铜层。制备方法如下：1)将作为应力缓冲层的铜...

本发明涉及一种覆铜陶瓷基板镀镍方法，在陶瓷覆铜板图形化工艺后进行，包括如下步骤：1)制备高光面铜面：在20℃‑35℃条件下，将覆铜陶瓷基板置于抛光液中抛光5min‑30min，抛光后不进行烘干，保持湿板状态；2)清洗、烘干：将经步骤1)...

本发明公开了一种带有缓冲层的金属陶瓷基板及其制备方法。一种带有缓冲层的金属陶瓷基板，包括一陶瓷片以及覆盖在所述陶瓷片上的金属层，其特征在于，所述金属层以及所述陶瓷片之间设有一缓冲层；所述缓冲层是一厚度为6μm‑50μm的微孔形中间结合层...

本实用新型涉及机械领域。一种卡接快装式插板架，包括连接杆以及支撑板，连接杆包括支撑连接杆以及限位连接杆，所有的连接杆的端部均设有卡接头，卡接头包括从外至内沿着轴向顺序连接的大头段以及小头段；支撑板包括内外设置的内卡板以及外卡板，内卡板上...

本实用新型涉及一种无线充电线圈，包括AMB覆铜陶瓷基板以及蚀刻于其覆铜层上的金属环绕层。其中，AMB覆铜陶瓷基板包括陶瓷片层以及覆盖于该陶瓷片层单面或双面的覆铜层，陶瓷片层的厚度为0.1～1mm，覆铜层的厚度为0.1～1.0mm；金属环...

本发明涉及一种氮化硅瓷片界面改性方法及覆铜陶瓷基板制备方法，其中氮化硅瓷片界面改性方法包括如下步骤：1)改性溶液制备：将粒径为20～20000nm的α‑氮化硅粉末与分散剂加入至溶剂中搅拌均匀，得到α‑氮化硅粉末含量为0.003～0.02...

本发明涉及一种激光熔覆制备预焊覆铜陶瓷基板方法，包括如下步骤：1)除油清洗及丝网印刷：覆铜陶瓷基板除油清洗后在表面需焊接芯片位置印刷锡焊膏或涂覆助焊剂后贴附焊片；2)激光熔覆‑预加热：采用0.4～0.8kW功率激光处理锡焊膏或助焊剂进行...

本发明涉及一种钛箔化学减薄方法，包括如下步骤：1)钛箔表面除油清洗：待处理钛箔依次在丙酮、无水乙醇、纯水中超声浸洗共计5min‑10min后烘干取出；2)氮化工艺：真空炉抽真空后通入氮气，氮化钛箔表面，氮化温度控制在500℃‑650℃，...

本发明涉及一种覆铜陶瓷基板拉力测试样品制备方法，包括如下步骤：A、铜条预制：铜片前处理后进行贴膜和曝光，过DES线(显影、蚀刻和退膜)后，切割包装备用，其中，曝光过程中采用定制条形菲林；B、瓷条预制：瓷片表面除油及表面粗化后，沿平行于瓷...

本发明涉及一种提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，包括如下步骤：A极冷处理阶段：将图形化工艺后的覆铜陶瓷基板产品，除杂后置于‑55℃～‑75℃温度环境下2min‑3min；B缓慢升温阶段：升温速率为0.4～0.8℃/min，升温至20...

本发明公开了一种覆铜陶瓷基板的活性金属层的蚀刻液及其刻蚀方法。一种陶瓷覆铜基板的活性金属反应层的蚀刻液，由以下质量百分比的组分组成；5％‑15％H

本发明公开了一种蚀刻液体系及一种氮化铝基板的刻蚀方法。所述的蚀刻液体系包括：第一蚀刻液，以质量百分比计，包括1％‑5％氨水、3％‑8％强氧化剂、0.5％～5％络合剂以及余量的水；第二蚀刻液，以质量百分比计，包括1％‑5％碱、2％‑8％过...