一种DCB覆铜基板的制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域。一种DCB覆铜基板制备方法，包括如下步骤：步骤一，真空扩散焊：将清洗后的金属薄片以及铜片叠放在一起，真空条件下进行扩散焊，形成金属薄片与铜片焊接相连的组合体；步骤二，组合体表面清洗；步骤三，干法氧化：在氮气保护的弱氧气氛下对组合体进行表面氧化；步骤四，烧结：组合体预弯，预弯后的组合体扣在瓷片上进行氧化烧结。保证金属面的质量，从而显著减少烧结大气泡。

【技术实现步骤摘要】
一种DCB覆铜基板的制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体是覆铜基板的制备方法。
技术介绍
陶瓷基板具有热导率高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀、抗辐射等特点，在电子器件封装中得到广泛应用，根据制备原理和工艺的不同，目前主流产品可以分为厚膜印刷陶瓷基板(ThickPrintingCeramicSubstrate,TPC)、直接键合铜陶瓷基板(DirectBondedCopperCeramicSubstrate,DCB或称DBC)、活性金属焊接陶瓷基板(ActiveMetalBrazingCeramicSubstrate,AMB)等。小型化的高压大功率模块是半导体器件重要发展方向之一，在半导体器件设计中，随着尺寸减小，芯片功率密度急剧增加，对模块散热封装可靠性提出了新的要求。目前，AMB及DCB覆铜板是功率模块最常用的两种基板，DCB覆铜板一般应用于对抗冷热循环性能要求不高的领域，而AMB覆铜板应用于对冷热循环可靠性要求高的领域，如IGBT大功率模块，但DCB覆铜板也有其显著的优势，首先价格便宜，其次工艺过程成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DCB覆铜基板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一，真空扩散焊：将清洗后的金属薄片以及铜片叠放在一起，真空条件下进行扩散焊，形成金属薄片与铜片焊接相连的组合体；/n步骤二，组合体表面清洗；/n步骤三，干法氧化：在氮气保护的弱氧气氛下对组合体进行表面氧化；/n步骤四，烧结：组合体预弯，预弯后的组合体扣在瓷片上进行氧化烧结。/n

【技术特征摘要】
1.一种DCB覆铜基板制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，真空扩散焊：将清洗后的金属薄片以及铜片叠放在一起，真空条件下进行扩散焊，形成金属薄片与铜片焊接相连的组合体；
步骤二，组合体表面清洗；
步骤三，干法氧化：在氮气保护的弱氧气氛下对组合体进行表面氧化；
步骤四，烧结：组合体预弯，预弯后的组合体扣在瓷片上进行氧化烧结。


2.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法，其特征在于：所述金属薄片为铜箔，厚度为2-20um。


3.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，真空扩散焊的温度为600℃-800℃，保温时间为2min-20min，真空度为0.01Pa-0.1Pa，升温速率为10℃/min-40℃/min，降温速率为10℃/min-40℃/min，通过机械加压方式在铜箔与铜片之间提供2-10MPa压力。


4.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，金属薄片与铜片叠合构成一组待焊接组，两组待焊接组之间使用陶瓷板隔开。


5.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，依次进行除油、酸性微蚀、超声水洗、溢流水洗、吸水滚轮以及热风烘干；热风烘干的温度为80℃-100℃。


6.根据权利要求1所述的一种DCB覆铜基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，贺贤汉，葛荘，欧阳鹏，孙泉，
申请(专利权)人：江苏富乐德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32