半导体装置的形成方法制造方法及图纸

此处提供半导体装置、集成电路、与其形成方法。在一实施例中，方法包括沉积第一介电层于工件上的金属垫上；形成第一开口于第一介电层中，以露出金属垫的一部分；在形成第一开口之后，形成第二介电层于露出的金属垫的部分上；沉积第一聚合材料于第二介电层上；形成第二开口穿过第一聚合材料与第二介电层以露出金属垫；以及形成凸块结构于露出的金属垫上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例关于半导体装置，更特别关于采用具有卤素成分的聚合材料并保护接点垫免于腐蚀的方法。
技术介绍
半导体集成电路产业已经历快速成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。然而这些进展亦增加处理与制造集成电路的复杂度。为实现这些进展，处理与制造集成电路的方法亦需类似发展。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件)缩小而增加。举例来说，形成于半导体基板上的集成电路可切割成分开的装置晶粒或集成电路芯片。每一集成电路芯片可进一步贴合(比如接合)至中介物、再生晶圆、或另一晶粒，以形成封装或装置。为了达到多种线路需求，可形成导电金属线路的再布线层于集成电路芯片上，以自芯片的边缘至中心重新分配接合连接物，或者通常将接合连接物分散至较大区域(其大于集成电路芯片面积)。可实施一或多个钝化层于再布线层周围，且可形成额外的聚酰亚胺层于一或多个钝化层上。在后续工艺时可能释放一些聚酰亚胺层包含的成分，其可能腐蚀最顶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n沉积一第一介电层于一工件上的一金属垫上；/n形成一第一开口于该第一介电层中，以露出该金属垫的一部分；/n在形成该第一开口之后，形成一第二介电层于露出的该金属垫的该部分上；/n沉积一第一聚合材料于该第二介电层上；/n形成一第二开口穿过该第二介电层以露出该金属垫；以及/n形成一凸块结构于露出的该金属垫上。/n

【技术特征摘要】
20190927 US 62/907,360;20200723 US 16/936,9101.一种半导体装置的形成方法，包括：
沉积一第一介电层于一工件上的一金属垫上；
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄致凡，陈蕙祺，李智圣，吕志弘，陈殿豪，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71