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此处提供半导体装置、集成电路、与其形成方法。在一实施例中，方法包括沉积第一介电层于工件上的金属垫上；形成第一开口于第一介电层中，以露出金属垫的一部分；在形成第一开口之后，形成第二介电层于露出的金属垫的部分上；沉积第一聚合材料于第二介电层上；...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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