【技术实现步骤摘要】
一种覆铜陶瓷基板专用铜片加工的方法
[0001]本专利技术涉及铜片
,具体涉及一种覆铜陶瓷基板专用铜片加工的方法。
技术介绍
[0002]DCB是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝陶瓷基片表面单面或双面上的特殊工艺方法,其中铜瓷之间的浸润是通过氧化后铜片和陶瓷之间在高温条件下形成铜氧共晶液而实现的。
[0003]该领域通用的铜片处理方法为铜片裁切后除油、粗化、酸洗、超声波清洗和铜片插架氧化,目前超声波清洗铜片工艺都为水平线超声波清洗,水平线滚轮在一定程度上会削弱超声清洗效果,这使得氧化前铜片表面样貌和清洁度难以保证,微量油脂、颗粒、表面结构、微孔道异物等制约了后续铜片氧化品质。
[0004]同时通用的铜片氧化分为热氧化和化学氧化两种:
[0005]一、其中热氧化即在隧道式氧化炉内通过高温通氧的方式来实现铜片表面的氧化,该方法铜面均匀性较好,氧含量容易控制,工艺较成熟,但受制于氧化炉带速限制,整体效率不高,且炉内温度较高,能耗相对较大,因此成本高;
[0006]二、化学氧化即通过特定化学试剂在一定的反应条件下来实现铜片表面的氧化,该方法生产效率较高,热循环性能和抗弯性能好,但氧化后铜面会有残留粉状颗粒,该粉末易脱落,进而造成烧结后表面不均。
[0007]鉴于此,人们需要一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法。
技术实现思路
[0008]本专利技术的目的在于提供一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,以解决现有技术中的问题。
[0009]一种覆铜陶瓷基板专 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:使用酸性除油剂去除铜片表面油脂,对铜片表面进行粗化处理,使用酸性溶剂去除铜片表面氧化层;S2:将铜片水平浸入去离子水5
‑
10min,将铜片缓慢拉离水面,90
‑
120℃下烘干;S3:将干燥后的铜片垂直浸入离子水35
‑
45℃下超声波清洗3
‑
6min,25
‑
35℃下超声波清洗10
‑
20min,将铜片缓慢拉离水面,90
‑
120℃下烘干;S4:对铜片使用碱法氧化药液进行氧化,除杂,烘干得到产品。2.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,其特征在于,所述碱法氧化药液按浓度百分比包括如下组分:NaClO
2 20
‑
40%、NaOH 10
‑
20%、水40
‑
70%。3.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,其特征在于:所述超声波清洗的超声波频率为30
‑
50kHz,所述酸性除油剂为浓度为10
‑
20%的双氧水,所述酸性溶剂为浓度为3
‑
5%的硫酸溶液。4.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,其特征在于:所述粗化处理的操作是将铜片浸入微蚀药水,浸泡15
‑
25S。5.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,其特征在于,S4步骤中,铜片氧化具体步骤为:将铜片固定于碱法氧化药液槽,使用碱法氧化药水70
‑
90℃下浸泡5
‑
10min,氧化铜膜厚控制在0.4
‑
0.8mg/m2,对铜片进行多级溢流水洗,每级处理30
‑
60S,每级溢流量控制在2
‑
8L/min。6.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李炎,贺贤汉,陆玉龙,蔡俊,董明锋,马敬伟,
申请(专利权)人:江苏富乐德半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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