【技术实现步骤摘要】
一种3D结构陶瓷基板的制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,具体是陶瓷基板的制备方法。
技术介绍
[0002]陶瓷基板具有热导率高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀、抗辐射等特点,在电子器件封装中得到广泛应用,根据制备原理和工艺的不同,目前主流产品可以分为厚膜印刷陶瓷基板(Thick Printing Ceramic Substrate,TPC)、直接键合铜陶瓷基板(Direct Bonded Copper Ceramic Substrate,DBC)、活性金属焊接陶瓷基板(Active Metal Brazing Ceramic Substrate,AMB)等。小型化的高压大功率模块是半导体器件重要发展方向之一,在半导体器件设计中,随着尺寸减小,芯片功率密度急剧增加,对模块散热封装可靠性提出了新的要求。
[0003]IGBT模块是新一代的功率半导体元件模块,具备集通态压降低、开关速度快、高电压低损耗、大电流热稳定性好等等众多特点。随着电动汽车主逆变器功率半导体技术发展,高可靠性、高功率密度的IGBT模块封装方式改进的核心要求。传统的IGBT模块封装最大的问题是散热效率差、芯片封装密度低、寄生参数过高,这与其采用的引线键合(超声波铝打线)和单边散热技术有关。
[0004]为了解决上述问题,现有技术中为了解决上述问题,采取多种方法,其中有1)直接导线键合结构:利用焊料,将铜导线与芯片表面直接连接在一起,相对于引线键合技术,该技术使用的铜导线可有效降低寄生电感,同时由于铜 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种3D结构陶瓷基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,真空烧结:在陶瓷基板的表面丝印一层活性金属焊料或者在陶瓷基板和金属片间放置活性金属焊片,将金属片覆盖于所述活性金属焊料或者活性金属焊片上,在真空环境下加热使金属片钎焊于陶瓷基板表面;步骤二,金属片蚀刻
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沟槽蚀刻成型:依次进行贴膜、曝光、显影、蚀刻以及退膜,进而在金属片上形成沟槽;步骤三,金属片蚀刻
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第一金属层蚀刻成型:在金属片上油墨印刷或喷涂第一金属层图案,蚀刻,在金属片上形成第一金属层;步骤四,金属片蚀刻
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第二金属层蚀刻成型:在金属片上油墨印刷或喷涂第二金属层图案,蚀刻,在金属片上形成第二金属层;步骤五,金属片蚀刻
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第三金属层蚀刻成型:在第二金属层上油墨印刷或喷涂第三金属层图案、蚀刻、退膜,在金属片上形成第三金属层;步骤六,焊料蚀刻:蚀刻沟槽位置的焊料层。2.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法,其特征在于:步骤一中,所述真空烧结的温度控制在700℃
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940℃,真空度小于0.01Pa,烧结时间60min
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540min。3.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法,其特征在于:步骤二中,贴膜为贴干膜。4.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法,其特征在于:步骤二中的,曝光是在黄光环境中,用波长为200
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400nm的紫外线垂直照射,曝光能量为25
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60J/cm2。5.根据权利要求1所述的一种3D结构陶瓷基板的制备方法,其特征在于,步骤二中的,使用碱性溶液进行显影,显影温度为28
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32℃,显影时间为60
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150s;所述碱性溶液为碳酸钠或碳酸钾溶液,碱性溶液的质量百分比浓度为0...
【专利技术属性】
技术研发人员:王斌,贺贤汉,周轶靓,葛荘,吴承侃,
申请(专利权)人:江苏富乐德半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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