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本发明涉及半导体技术领域。一种DCB覆铜基板制备方法，包括如下步骤：步骤一，真空扩散焊：将清洗后的金属薄片以及铜片叠放在一起，真空条件下进行扩散焊，形成金属薄片与铜片焊接相连的组合体；步骤二，组合体表面清洗；步骤三，干法氧化：在氮气保护的弱...
该专利属于江苏富乐德半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏富乐德半导体科技有限公司授权不得商用。

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