半导体结构及其制造方法技术

半导体结构包括设置在金属线上方的第一钝化层，设置在第一钝化层上方的含铜RDL，其中含铜RDL电耦接至金属线，并且含铜RDL的与第一钝化层的上表面接触的部分形成锐角，以及设置在含铜RDL上方的第二钝化层，其中位于第二钝化层和含铜RDL的顶面之间的界面是弯曲的。半导体结构可以进一步包括设置在第二钝化层上方的聚合物层，其中聚合物层的部分延伸以接触含铜RDL，电耦接至含铜RDL的凸块以及设置在凸块上方的焊料层。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工艺经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在IC发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件)已经减小。例如，IC形成在可以切割成单独的器件管芯或IC芯片的半导体衬底上。每个IC芯片可以进一步附接(诸如通过接合)至中介层、重构晶圆、电路板或另一管芯以形成封装件或器件。为了满足各个布线需求，导电金属线的再分布层(RDL)可以形成在IC芯片上，以将连接件从芯片的边缘再布线接合至芯片的中心，或通常将连接件分散接合至大于IC芯片的面积。已经在RDL周围实现了一个或多个钝化层，以保护半导体表面免受电短路、应力和化学污染物的影响。然而，一些钝化层在随后的工艺期间易于产生应力和破裂，并且可能在与相邻金属接触件的界面处导致空隙本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体结构的方法，包括：/n提供设置在半导体衬底上方的互连结构，其中，所述互连结构包括金属线；/n在所述金属线上方形成第一介电层；/n图案化所述第一介电层以暴露第一开口中的所述金属线的部分；/n在所述第一介电层上方形成图案成形层，从而填充所述第一开口；/n在所述图案成形层中形成第二开口；/n形成基脚轮廓以横向延伸所述第二开口；/n在所述第二开口中形成再分布层(RDL)，从而使得所述再分布层电耦接至所述金属线，其中，所述再分布层包括弯曲的顶面；以及/n在所述再分布层上方形成第二介电层。/n

【技术特征摘要】
20190928 US 62/907,563;20200728 US 16/941,3081.一种制造半导体结构的方法，包括：
提供设置在半导体衬底上方的互连结构，其中，所述互连结构包括金属线；
在所述金属线上方形成第一介电层；
图案化所述第一介电层以暴露第一开口中的所述金属线的部分；
在所述第一介电层上方形成图案成形层，从而填充所述第一开口；
在所述图案成形层中形成第二开口；
形成基脚轮廓以横向延伸所述第二开口；
在所述第二开口中形成再分布层(RDL)，从而使得所述再分布层电耦接至所述金属线，其中，所述再分布层包括弯曲的顶面；以及
在所述再分布层上方形成第二介电层。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成所述图案成形层之前，在所述第一介电层上形成晶种层；以及
在形成所述第二介电层之前，去除所述晶种层的未被所述再分布层覆盖的部分。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述图案成形层包括在所述第一介电层上形成光刻胶层。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第二开口包括对所述光刻胶层实施第一光刻工艺，并且其中，形成所述基脚轮廓包括在实施所述第一光刻工艺之后对所述光刻胶层实施第二光刻工艺。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述图案成形层包括在所述第一介电层上形成底层，并且随后在所述底层上形成光刻胶层。


6.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈香谷，陈殿豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71